Nexperia推出反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅（SiGe）整流器

符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性。

奈梅亨，2020年5月27日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅（SiGe）整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其适合高温应用，例如，LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域，在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时，工程师也可以使用适用于高温设计的快速恢复二极管，优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压（Vf）和低Qrr，使传导损耗降低10-20%。

PMEG SiGe设备（PMEGxGxELR/P）采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。封装采用实心铜夹片，降低热阻，优化热传输至周围环境，使PCB更小、更紧凑。此外，使用SiGe技术，能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。

Nexperia产品经理Jan Fischer评论道：“使用Nexperia的创新型锗化硅技术，让工程师有更多选择来设计电源电路，最终构建引领市场的产品，这是之前从未有过的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充，该产品采用夹片粘合FlatPower （CFP）封装，包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外，我们还将继续扩展产品组合，始终为客户提供符合其应用的产品。”

第一批4款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器目前已进入量产阶段。更有8款150V和200V的产品现可提供样片。