英飞凌工业半导体文章

• 英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器2026-02-04 17:03

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布将为EnphaseEnergy,Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆变器提供其突破性的氮化镓（GaN）技术。EnphaseEnergy是一家全球领先的能源技术公司，同时也是光伏及电池系统微型逆变器领域全球领先的供应商。英飞凌的CoolGaN双向开关（BDS）技术可大幅提升Enphas

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• 新品 | 采用6500V IGBT 4沟槽栅场截止技术的IHV-A模块2026-02-02 17:09

  

  新品采用6500VIGBT4沟槽栅场截止技术的IHV-A模块IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模块，应用了IGBT4沟槽栅场截止技术，是高压直流输电用电压源换流器、牵引传动及工业应用的理想解决方案。产品型号：■FZ675R65KE4产品特性低饱和压降VCEsat铝碳化硅AlSiC基板存储温度下限可达-55°C封装材料CTI>600应用价值助力

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• 新品 | Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET评估板2026-01-29 17:07

  

  新品Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC750VMOSFET评估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1评估板旨在评估采用Q-DPAK封装的CoolSiC750VMOSFET的开关性能。该板集成了四颗SiCMOSFET及与之配套的EiceDRIVER隔离栅极驱动芯片。通过优化的功率回路设计实现高速开关，本评估板完美展示了如何在Q-DPAK封装中最佳地应用高速

  MOSFET 碳化硅 评估板 1384浏览量

• 白皮书下载｜使用PSOC™ Control C3和CoolGaN™解决方案，打造可靠、节能、安全的家电设计2026-01-28 17:08

  

  在家电应用中，可靠性、安全性和使用寿命至关重要。随着开关频率和功率密度不断提升，短路、过电流以及电压尖峰带来的灾难性故障的风险也随之增加。为了避免MOSFET、IGBT、GaN等敏感器件因过热而受损，系统必须在亚微秒级完成故障检测与隔离。英飞凌PSOCControlC3微控制器（MCU）以其无以伦比的性价比应用于实时电机控制和功率转换领域。该产品基于单核Ar

  GaN PSoC 家电设计 1160浏览量

• 新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板2026-01-26 18:42

  

  新品碳化硅SiC5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99%的效率与170W/in³的超高功率密度。产品型号：■EVAL_5K5W_3PH_LLC_

  LLC谐振 变换器 碳化硅 656浏览量

• 新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V2026-01-22 17:05

  

  新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半桥模块通过AQG324认证，采用PressFIT引脚和预涂导热界面材料，集成NTC温度传感器，具有1200V耐压和4mΩ导通电阻，专为电动汽车电驱动系统与电动航空生态系统中的功率转换应用而设计。产品型号：■FF4MR12W2M1HP_B11_A

  MOSFET SiC 碳化硅 1449浏览量

• 新品 | 英飞凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化镓双向开关2026-01-19 17:14

  

  新品英飞凌第五代CoolGaNBDS650V氮化镓双向开关CoolGaNG5系列650V双向开关（BDS）是一款单片集成器件，能够在两个方向上主动阻断电压和电流。它在电力电子领域，特别是在实现单级功率变换方面，是一项卓越的创新。该器件采用TOLT封装，能够实现高功率密度设计，是多种应用场景下的通用化优选方案，并可助力实现具备成本优势的创新拓扑结构。产品型号：

  双向开关 氮化镓 英飞凌 2862浏览量

• 新品 | 第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管2026-01-15 17:09

  

  新品第五代氮化镓CoolGaN650VG5双通道晶体管第五代氮化镓CoolGaN650VG5双通道晶体管将半桥功率级集成于小型6×8mmQFN-32封装中，该功率级由两个导通电阻典型值140mΩ、耐压650V的增强型CoolGaN晶体管组成。该产品凭借CoolGaN晶体管卓越的开关特性，非常适合用于实现AC-DC充电器与适配器的高功率密度设计，以及低功率电机

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品，新增75mΩ型号2026-01-12 17:03

  

  新品CoolSiCMOSFET650V第二代产品，新增75mΩ型号CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiCMOSFET技术打造，通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性，实现系统性价比的飞跃。该系列在硬开关与软开关拓扑中均能实现顶级的效率、高频开关特性及可靠性。产品型号：■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I

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• 新品 | 采用半桥架构的 1ED3330MC12M 隔离式栅极驱动的评估板设计2026-01-07 17:06

  

  新品采用半桥架构的1ED3330MC12M隔离式栅极驱动的评估板设计该评估板用于在半桥配置下评估1ED3330MC12M隔离栅极驱动芯片与分立功率开关。该评估板搭载两枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R变压器驱动芯片构建隔离式板载电源。板上预留两个TO247-4封装的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  变压器 评估板 驱动芯片 1181浏览量