英飞凌工业半导体文章

• 新品 | 储能系统EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模块2026-03-30 17:06

  

  新品储能系统EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模块两款新型EconoPACK3B模块采用1200V/500A三电平NPC1拓扑结构，一款集成NTC温度传感器和TRENCHSTOPIGBT7芯片，一款采用SiC二极管、TRENCHSTOPIGBT7芯片和集成NTC温度传感器。产品型号：■F3L500R12N3H7_B66■F3L50

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• 英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点2026-03-26 17:34

  

  在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiCMOSFETG2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiCMOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。相比于G1单管器件仅

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• 新品 | 英飞凌XHP™ 2系列新增2300V IGBT模块2026-03-23 17:05

  

  新品英飞凌XHP2系列新增2300VIGBT模块英飞凌XHP2系列新增2300V产品，顺应可再生能源等应对更高直流母线电压的趋势。该模块额定值为2300V/1400A，采用TRENCHSTOPIGBT7芯片技术，在6kV电气隔离电压下，为高功率应用提供了卓越的功率密度和效率。可选预涂导热界面材料TIM版本，以简化组装并优化散热性能。产品型号：■FF1400R

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• 新品 | 英飞凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驱动器2026-03-19 17:04

  

  新品英飞凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驱动器CoolGaNDriveHB600VG5系列产品，在一个小巧的6x8TFLGA-27封装中，集成了一个由两个600VCoolGaNG5晶体管构成的半桥功率级、一个电平移位栅极驱动器以及一个自举二极管。产品型号：■IGI60L1414B1M■IGI60L2727B1M■IGI60L5050B1M产品特

  GaN 英飞凌 驱动器 869浏览量

• 英飞凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品质因数(FOM)介绍2026-03-18 17:06

  

  品质因数FOM是半导体性能的量化指标之一。MOSFET的FOM由漏-源导通电阻与器件的一个或多个参数的乘积得出。FOM值越低，器件性能越好。如下是对SiCMOSFET具有重要意义的品质因数：RDS(on)*Area:这是最常用的FOM，它代表了MOSFET技术的进步RDS(ON)×Qg:综合反映静态导通损耗与栅极驱动损耗，是器件选型与代际对比的基础指标RDS

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• 直播报名丨2026年宽禁带开发者论坛邀请函2026-03-16 17:07

  

  多年来，英飞凌宽禁带开发者论坛始终是碳化硅与氮化镓领域专家聚集一堂的年度盛会。2026年3月17日（中国时间16点开始），我们将在慕尼黑演播室为您全程直播专业演讲内容。我们的部门总裁Dr.PeterWawer（零碳工业功率事业部）和AdamWhite（电源与传感系统事业部）的欢迎演讲将为活动拉开帷幕，并就市场发展和英飞凌宽禁带战略提供深刻洞见。扫码报名，预约

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• 新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展2026-03-13 17:09

  

  新品CoolSiCG21200VMOSFET采用顶部散热Q-DPAK封装第二代CoolSiC1200VMOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与

  MOSFET SiC 封装 1203浏览量

• 英飞凌继续登顶全球微控制器市场榜首，进一步巩固领先地位2026-03-12 17:07

  

  在整体市场小幅下滑的背景下，2025年市场份额达到23.2%（2024年为21.4%）集成汽车以太网以进一步强化面向软件定义汽车的微控制器业务，并为人形机器人领域开辟增长机遇英飞凌为微控制器产品组合做好前瞻布局，以满足未来网络安全需求，如后量子加密全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司进一步巩固其在全球微控制器市场的领导地位。根据Omdia

  以太网 微控制器 英飞凌 1344浏览量

• 巧妙分离电气通路与散热通路的碳化硅Q-DPAK顶部散热封装，实现极致功率密度2026-03-11 17:08

  

  英飞凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装，针对高功率密度与高温运行场景优化设计，适用于电动汽车充电、光伏、UPS、固态断路器、工业驱动及AI等领域。我们现推出IMCQ120R017M2H与IMCQ120R034M2H两款器件免费样品试用活动，诚邀工程师、研发团队及行业小伙伴们亲身体验！为什么选择Q-DPAK封装

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• 新品 | 适用于300kW+集中式光伏逆变器的EconoPACK™ 3系列模块2026-03-09 17:09

  

  新品适用于300kW+集中式光伏逆变器的EconoPACK3系列模块产品描述：■EconoPACK3B950V,600A，IGBT模块，采用三电平NPC1拓扑，集成CoolSiC肖特基二极管■EconoPACK3B950V,400A，IGBT模块，采用三电平Boost升压拓扑，集成CoolSiC肖特基二极管产品型号：■F3L600R10N3S7F■F3L40

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