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倒计时7天 | OktoberTech™ 2025 高峰论坛嘉宾及议程揭晓2025-06-05 19:45
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论坛日程发布丨OktoberTech™英飞凌生态创新峰会现场高能抢先看2025-06-04 18:33
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新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块2025-06-03 17:34
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探索吉他音色与效果器的奇妙世界(1)- 缺陷创造的美2025-05-31 08:37
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新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET2025-05-29 17:04
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新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品2025-05-27 17:03
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栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用2025-05-26 18:07
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新品 | 采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板2025-05-22 17:03
新品采用电平位移驱动器碳化硅SiCMOSFET交错调制图腾柱5kWPFC评估板电子设备会污染电网,导致电网失真,威胁着供电系统的稳定性和效率。为此,电源设计中需要采用先进的功率因数校正(PFC)电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC,电源系统可以减少失真,保持稳定高效的供电。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交 -
新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列2025-05-21 17:07
新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流的高速栅极驱动器,可用于Si/SiCMOSFET和IGBT开关。设计采用英飞凌的绝缘体上硅(SOI)技术,1ED