英飞凌工业半导体文章

• 英飞凌携手优优绿能，助力电能转换效率新突破2025-05-20 10:35

  

  在全国两会聚焦新能源汽车充换电基础设施升级、力推超充网络扩建、高速充电走廊建设及换电模式普及的背景下，充换电行业正迎来高质量发展的关键期。近日，英飞凌科技宣布与深圳优优绿能股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌先进的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT，CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驱动器等全套功率半导体解决方案，全面赋能优优绿能新一

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• 英飞凌碳化硅产品创新的四大支柱综述(二)2025-05-19 17:32

  

  本文是作者2024年“第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会”演讲稿第二部分，第一部分请见《英飞凌碳化硅SiC技术创新的四大支柱综述（一）》。英飞凌SiC技术创新到丰富产品的四大支柱SiC技术创新到丰富产品的四个支柱简单讲，就是技术，质量，产量和产品。技术优势要做好碳化硅MOSFET，在技术上需要做好两件事情：性能稳定的体二极管垂直结构的功率MOSFE

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• 电力电子中的“摩尔定律”(2)2025-05-17 08:33

  

  04平面磁集成技术的发展在此基础上，平面磁集成技术开始广泛应用于高功率密度场景，通过将变压器的绕组(winding)设计在pcb电路板上从而代替利兹线，从而极大降低了变压器的高度。然而pcb的铜带厚度并不大，一般不会超过4oz（140μm）,因此想要通过pcb传输大电流会有极大的损耗。为

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• 新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块2025-05-16 17:08

  

  新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2三电平模块，采用EasyPACK3B封装和最新开发的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技术。该模块采用大电流PressFIT压接式引脚，配备NTC温度传感器，并针对储能应用进行了优化，非常适用于1000VDC100kW功率变换系统。产

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• IPAC碳化硅直播季倒计时丨沟槽栅VS平面栅，孰是王者？2025-05-15 17:05

  

  直播时间：5月20日14:00直播主题：沟槽栅VS平面栅，孰是王者？立即扫码报名吧！直播间不定时会有礼品掉落，速速扫码预约！520碳化硅首场直播，带你直击可靠性核心战场！平面栅和沟槽栅，简约设计与繁复工艺的碰撞，单元均匀性与底部电场聚焦的较量，沟槽栅缘何在可靠性领域持续“占鳌”，成为行业标杆？高温下沟槽栅SiC电阻漂移，真的会成为其可靠性路上的“绊脚石”？低

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• 英飞凌与美的签署战略合作协议：聚焦技术创新与智能绿色生活2025-05-14 10:08

  

  近期，英飞凌科技与美的集团签署战略合作协议。通过深度整合各自优势资源，双方将在智能家电、新能源以及全球供应等多维度加深合作，共同为消费者提供绿色、安全、高效的产品与服务。英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉，美的集团副总裁兼首席可持续发展官李国林代表双方正式签署战略合作协议。英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉

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• 新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块2025-05-13 17:04

  

  新品EasyDUAL1B和2B，1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B，2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。EasyDUAL1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。产品型

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• 英飞凌碳化硅SiC技术创新的四大支柱综述（一）2025-05-12 17:06

  

  本文是按照2024年“第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会”演讲稿整理碳化硅为提升绿色能源链中的各种应用提供了巨大潜力IGBT在大功率电力电子行业的应用是在20年前发展起来的，当年主要应用在工业电源、UPS和变频器等有限领域。但到了今天，整个电能生态链——新能源发电、输配电、电能质量改善等都成了IGBT的应用大户。而且，用电领域的范围还在拓展，如热泵

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• 电力电子中的“摩尔定律”(1)2025-05-10 08:32

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学刘赜源的投稿。著名的摩尔定律中指出，集成电路每过一定时间就会性能翻倍，成本减半。那么电力电子当中是否也存在着摩尔定律呢？1965年，英特尔创始人之一的戈登·摩尔(GordonMoore)在《电子器件会议记录》中提出，集成电路芯片上所能容纳的晶体管数量每隔大约18至24个月会翻倍，同时成本也会相应下降

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• 英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升2025-05-08 17:05

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiCMOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC产品系列覆盖了400V至3.3kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的Si

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