9.5.8 g线和i线的紫外光刻胶∈《集成电路产业全书》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5320文章
10729浏览量
353345
发布评论请先 登录
相关推荐
SU-8光刻胶起源、曝光、特性
在紫外光照射下，三芳基碘盐光敏剂被激活，释放活性碘离子。这些活性碘离子与SU-8光刻胶中的丙烯酸酯单体反应，引发单体之间的交联反应，导致SU-8光刻胶在曝光区域形成凝胶化的图案。
为什么半导体无尘室有黄光区
共读好书 什么是光刻？ 光刻是集成电路（IC或芯片）生产中的重要工艺之一。简单地说，就是利用光掩模和光刻胶在基板上复制电路图案的过程。 硅片
关于光刻胶的关键参数介绍
与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶
瑞红集成电路高端光刻胶总部落户吴中
据吴中发布的最新消息，签约项目涵盖了瑞红集成电路高端光刻胶总部项目，该项投资高达15亿元，旨在新建半导体光刻胶及其配套试剂的生产基地。
2023年中国光刻胶行业市场前景及投资研究报告
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，是半导体制造中使用的核心电子材料之一。伴随着晶圆制造规模持续提升，中国有望承接半导体
光刻胶分类与市场结构
光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
发表于 01-03 18:12
•461次阅读
光刻胶黏度如何测量？光刻胶需要稀释吗？
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶
发表于 11-13 18:14
•691次阅读
极紫外 (EUVL) 光刻设备技术应用分析
欧洲极紫外光刻（EUVL）技术利用波长为13.5纳米的光子来制造集成电路。产生这种光的主要来源是使用强大激光器产生的热锡等离子体。激光参数被调整以产生大多数在13.5纳米附近发射的锡离子（例如Sn10+-Sn15+）。
发表于 09-25 11:10
•305次阅读
集成电路的材料主要是什么？
了集成电路的性能和稳定性，同时也直接影响着电子产品的质量和寿命。本文将详细介绍集成电路的材料，主要包括硅材料、金属材料、光刻胶、氧化物和多晶硅等5种材料的相关知识。 硅材料是最常用的集成电路
深紫外光刻复杂照明光学系统设计
摘要 ：随着微电子产业的迅猛发展，我国迫切需要研制极大规模集成电路的加工设备-光刻机。曝光波长为193nm的投影式光刻机因其技术成熟、曝光线宽可延伸至32nm节点的优势已成为目前
虹科案例 | 用于低成本改造光刻设备的UV紫外光源
紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中，光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅，然后投射到
极紫外光刻随机效应的表现及产生原因
极紫外光刻的制约因素
耗电量高极紫外线波长更短，但易被吸收，可利用率极低，需要光源提供足够大的功率。如ASML 3400B光刻机，250W的功率，每天耗电达到三万度。
生产效率仍不
发表于 06-08 15:56
•317次阅读
全面解读光刻胶工艺制造流程
光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
发表于 05-11 16:10
•3272次阅读
工商网监
评论