首个4D NAND闪存!SK海力士宣布正式出样96层QLC闪存,核心容量1Tbit

5月9日SK海力士宣布，SK海力士基于96层4D NAND技术开发了一种one-terabit (Tb) quadruple level cell (QLC)闪存芯片，具有更大数据存储容量。

SK Hynix去年底宣布了96层堆栈的QLC闪存，号称是首个4D NAND闪存，今天该公司宣布正式出样96层QLC闪存，核心容量1Tbit。

对于NAND闪存，大家都知道有SLC、MLC、TLC及QLC之分，每种类型的闪存中存储的电荷位数分别是1、2、3、4，所以QLC闪存的容量更高，成本更低，不过QLC闪存的电压控制也更复杂，导致写入速度变差，可靠性也会降低。

尽管如此，由于QLC闪存在容量、成本上的优势，三星、美光、东芝、西数、SK Hynix、Intel等公司还是要力推QLC闪存，而且普遍会用于90+堆栈的新一代NAND闪存中。

SK Hynix去年底宣布了96层堆栈的QLC闪存，并取名为4D NAND闪存，相比通常的3D NAND闪存听上去更先进，主要原因就是SK Hynix首次实现了4D平面，每个NAND核心中的平面数量从2个增加到4个，数据带宽也从32KB翻倍到了64KB，核心容量达到了1Tbit，比目前MLC/TLC主流的256Gbit、512Gbi至少翻倍，可以轻松制造出16TB的硬盘。

SK Hynix今天宣布正式出样96层堆栈的QLC闪存给客户，SM慧荣等公司已经拿到了QLC闪存样品，并表示SK Hynix的QLC闪存整体性能令人印象深刻。

除了QLC闪存之外，SK Hynix还会开发自己的QLC软件算法及主控芯片，并及时推出解决方案以满足客户需求。