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大晶磊半导体最新研发的针对中高压碳化硅MOSFET的驱动解决方案

kus1_iawbs2016 来源:lp 2019-04-11 14:24 次阅读
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半导体功率器件的未来主流将被替代为碳化硅器件的趋势已经非常明显,光伏发电、新能源汽车车载充电器、新能源汽车充电桩这几个领域,碳化硅器件已经占据了相当的市场,接下来碳化硅器件将逐步更多的应用到UPS、电机驱动、牵引、电网等方面。

SEMICON China作为中国首要的半导体行业盛事之一,于2019年3月20日到3月22日在上海新国际博览中心隆重举行。在大会举办的“功率与化合物半导体国际论坛中”主办方请来了美国科锐、德国英飞凌,等行业龙头企业来介绍最新的技术进展和市场发展方向。

会上,浙江大晶磊半导体科技有限公司介绍了最新研发的针对中高压碳化硅MOSFET的驱动解决方案。

浙江大晶磊半导体科技有限公司,成立与2018年,是属于上海大革智能科技有公司的碳化硅产业链集团的一个重要组成部分。大晶磊半导体是一家主要专注于碳化硅功率器件与功率器件应用技术的企业。

随着近年来国内国际上,碳化硅功率器件技术的不断发展。半导体功率器件的未来主流将被替代为碳化硅器件的趋势已经非常明显。

光伏发电、新能源汽车车载充电器、新能源汽车充电桩这几个领域,碳化硅器件已经占据了相当的市场。接下来随着器件技术的不断发展,制造产线的增加,碳化硅器件将逐步更多的应用到UPS、电机驱动、牵引、电网等方面。

在电网应用领域,碳化硅器件不断地朝着耐更高的电压、运行的频率提高、体积减小、小功率控制大功率,这几个方向发展。而目前市场上,对于高压应用的碳化硅MOSFET的驱动产品还处于半空白状态。

目前,针对高压应用的碳化硅MOSFET的驱动设计主要受限制于:绝缘设计、耦合电容、开关频率三个方面。

目前,大晶磊半导体可以为市场提供通过90kV BIL测试的碳化硅驱动模块。而且此驱动模块可以将碳化硅MOSFET的开关频率提升到500kHz,而耦合电容可以被控制在0.9pF。

同时,大晶磊半导体还为此款驱动设计中还包含的,独有的高压隔离电源设计方案。此款电源设计符合国际高压标准,在保证驱动正常运行的同时,电源体积相对于市场上的传统电源缩小三分之一。

浙江大晶磊半导体科技有限公司的研发团队,接下来即将与国内外的碳化硅器件供应商一起为国内电网领域的第三代半导体器件的应用提供解决方案。

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原文标题:【成员风采】大晶磊半导体,中高压碳化硅MOSFET驱动方案

文章出处:【微信号:iawbs2016,微信公众号:宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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