sram作用
SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM （异步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）、PBSRAM （流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列，行/列地址译码器，灵敏放大器，控制电路，缓冲/驱动电路。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
sram
+关注
关注
6文章
809浏览量
117226
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SRAM与DRAM的结构差异和特性区别
在内存技术持续革新的今天，SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）依然是计算系统中最核心的存储组件。尽管出现了MRAM、ReRAM等新兴存储方案，但二者凭借成熟的设计与明确
低功耗异步SRAM系列的应用优点
在各类电子设备与嵌入式系统中，存储器的性能与功耗表现直接影响着整体设计的稳定与效率。低功耗SRAM，特别是异步SRAM系列，凭借其出色的能效比与高可靠性，正成为越来越多工业控制、通信设备及便携终端中的关键部件。
双口SRAM静态随机存储器存储原理
在各类存储设备中，SRAM（静态随机存储器）因其高速、低功耗和高可靠性，被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中，双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计，在高带宽和多任务场景中表现尤为出色，成为提升系统效率的重要组件。
高速数据存取同步SRAM与异步SRAM的区别
在现代高性能电子系统中，存储器的读写速度往往是影响整体性能的关键因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在这一需求下发展起来的重要
SRAM是什么,SRAM的芯片型号都有哪些
在处理器性能持续攀升的今天，存储系统的速度已成为制约整体算力的关键瓶颈之一。作为最接近CPU核心的存储单元，SRAM（静态随机存取存储器）承担着高速缓存的重要角色，其性能直接影响数据处理效率。当前
PSRAM融合SRAM与DRAM优势的存储解决方案
PSRAM（伪静态随机存储器）是一种兼具SRAM接口协议与DRAM内核架构的特殊存储器。它既保留了SRAM无需复杂刷新控制的易用特性，又继承了DRAM的高密度低成本优势。这种独特的设计使PSRAM在嵌入式系统和移动设备领域获得了广泛应用。
高速存储器sram,带ECC的异步SRAM系列存储方案
在要求高性能与高可靠性的电子系统中，存储器的选择往往成为设计成败的关键。Netsol推出的高速异步SRAM系列，凭借其出色的性能表现与独有的错误校正（ECC）能力，为工业控制、通信设备及高精度计算等应用提供了值得信赖的存储解决方案。
外置SRAM与芯片设计之间的平衡
在存储解决方案中，外置SRAM通常配备并行接口。尽管并口SRAM在数据传输率方面表现卓越，但其原有的局限性也日益凸显。最明显的挑战在于物理尺寸：不论是占用的电路板空间或是所需的引脚数量，并行接口都
如何利用Verilog HDL在FPGA上实现SRAM的读写测试
本篇将详细介绍如何利用Verilog HDL在FPGA上实现SRAM的读写测试。SRAM是一种非易失性存储器，具有高速读取和写入的特点。在FPGA中实现SRAM读写测试，包括设计SRAM
新思科技SRAM PUF与其他PUF类型的比较
高效且可灵活扩展的加密（根）密钥生成与存储解决方案所发挥的作用。SRAM PUF技术利用硅材料的物理特性，生成器件专属的标识符，提供了一种替代传统密钥存储方法的可靠方案。如果开发者尚不熟悉SRAM PUF的基础原理，建议先阅读前
如何将Flash刷写程序放到SRAM中运行？
客户要求Flash driver不能存储在Flash中，需要在升级的时候，由CAN FBL发送到SRAM中，再运行SRAM中的Flash driver
我应该如何实现这个要求？如何能把Flash driver分离成一个单独的部分，再由CAN FBL加载到
发表于 07-15 07:22
季丰推出SRAM错误地址定位黑科技
近期受晶圆厂委托， 季丰在执行完SRAM芯片在中子辐射下SER测试后， 通过对SRAM芯片的深入研究，对测试失效数据的分析，将逻辑失效地址成功转换为物理坐标地址，最终在图像上显示失效位置，帮助客户直观地看到失效点分布位置。 通过多个失效芯片图像的叠加，客户可以看到多个芯片
S32K312无法使用int_sram_shareable SRAM存储数据怎么解决？
我在定制硬件中使用S32K312 IC （单核）。我已使用 RTD SDK 创建了该项目。
我看到有以下 RAM（大分区）可供我们使用（根据生成的链接器文件）：
int_dtcm
int_sram
发表于 03-27 07:16
DS1265AB 8M非易失SRAM技术手册
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
DS1249AB 2048k非易失SRAM技术手册
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否
工商网监
评论