新兴的宽禁带(WBG)碳化硅和氮化镓功率器件越来越广泛地应用在电力电子产品中来提升效率和功率密度. 培训内容介绍了WBG功率器件特性, 及应用. 并且详细的分析了开关性能,损耗计算以及测试,仿真技巧.
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
114文章
8084浏览量
220011 -
仿真
+关注
关注
55文章
4535浏览量
138659 -
功率
+关注
关注
14文章
2130浏览量
76002
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
国产碳化硅(SiC)功率模块替代进口IGBT模块的深度性能评估与系统级损耗对标研究
半导体器件正经历从硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)向宽禁带(WBG)半导体材料碳化硅(SiC)的代际跨越。以新能源汽车(EV)、大容量储能系统(ESS)、固态变压器(SST)及大功率工业电机驱动为代表的尖端应用场景,对
如何释放功率器件性能的散热设计
以SiC-MOSFET为代表的新一代功率器件,凭借超越传统器件的高耐压、低导通电阻及高速开关特性,为显著提升电力转换效率和实现系统小型化作出贡献。然而,随着芯片尺寸缩小,“功率密度(单
电位的本质与碳化硅(SiC)功率器件应用研究报告
电位的本质与碳化硅(SiC)功率器件应用研究报告 全球能源互联网核心节点赋能者-BASiC Semiconductor基本半导体之一级代理商倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率
基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告
基于SiC碳化硅功率器件的一级能效超大功率充电桩电源模块深度报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子
功率器件测量系统参数明细
(Wafer Sort),剔除不良品,提升后端封装良率。 功率器件研发与特性分析:全面表征器件静态参数(IV特性:BVdss, Rds(on), Vth, Igss等)和动态参数研究
发表于 07-29 16:21
电源功率器件篇:线路寄生电感对开关器件的影响
、降低线路寄生电感影响的方案
1、优化PCB布局设计
▍缩短功率回路路径
▷ 将功率开关器件、直流母线电容、驱动电路等尽可能靠近布局,减少功率回路的面积。
▷ 采用双面布线的方式,在
发表于 07-02 11:22
双电机驱动搅拌器功率循环问题研究
摘 要:针对双电机搅拌机存在的功率循环造成能源的浪费,而且影响电机使用寿命的问题,通过对循环功率的产生机理及其影响因素进行分析与研究,得出循环功率与设备参数及使用参数之间的关系,提出尽
发表于 06-19 10:38
轮边电机驱动汽车性能仿真与控制方法的研究
有效。
纯分享帖,需要者可点击附件免费获取完整资料~~~*附件:轮边电机驱动汽车性能仿真与控制方法的研究.pdf【免责声明】本文系网络转载,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请第一时间告知,删除内容!
发表于 06-10 13:10
功率器件电镀的原理和步骤
在功率半导体制程里,电镀扮演着举足轻重的角色,从芯片前端制程到后端封装,均离不开这一关键工序。目前,我国中高档功率器件在晶圆背面金属化方面存在技术短板,而攻克这些技术难题的关键在于电镀。借助电镀实现
什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?
功率器件定义与核心特性 功率器件(Power Semiconductor Device)是电力电子领域的核心组件,特指直接处理电能的主电路器件
浮思特 | 从硅基到宽禁带:逆变器功率器件的代际跨越与选型策略
主导着逆变器设计领域。然而,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件的出现正在重塑行业格局。这些器件具有更高效率、更大功率
WBG功率器件的仿真技巧研究
评论