SCM比NAND闪存更快，但仍然很昂贵

存储级存储器（SCM）克服了NAND闪存的局限性，这使得接管成为必然。

存储级存储器（SCM），能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力，也能有像DRAM一样的的速度，这使得它最终将取代闪存作为首选的高速存储介质。

这就是HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测。但他补充说，这需要一些时间。

“这不会在一夜之间发生; 它变得经济可行只是时间问题，但它最终会接管。也许10年后。“，他告诉我。

在每个字节的基础上，SCM的成本比闪存高出四倍。目前只有两家供应商：英特尔和三星。英特尔以Optane品牌销售它并以企业为目标，英特尔的Optane HPE将其用于其存储阵列。

三星的产品名为Z-SSD，现在专注于消费者，并计划在今年晚些时候向OEM提供样品。据说东芝和Western Digital也在开发自己的SCM产品。

除了更换NAND闪存外，Iannaccone还认为SCM使用的NVMe协议将取代目前存储阵列中使用的SCSI / SAS接口。“，现实是NVMe是一种更加精简的记忆方式。存储级内存SCM的行为更像内存，延迟更低。“，他说。

由于闪存的固有设计，SCM在这块要好很多。性能问题和闪存延迟的最大原因之一是使用垃圾收集以满足新写入。将数据写入闪存驱动器时，无法覆盖旧信息。它必须在其他地方写入一个新数据块，并在磁盘I / O暂停时删除旧文件。

因为你在以前的写入之后总是在清理，它会导致一些不稳定，这就是媒体行为的方式。

SCM比NAND闪存更快，但仍然很昂贵

凭借其覆盖文件的能力，写入数据所需的时间要短得多，SCM为9ms，NAND为90ms至100ms。此外，您没有媒体的不可预测性，因为您没有运行后台进程来优化媒体。

英特尔以多种外形销售Optane。3PAR为其存储阵列而非服务器提供PCI Express附加卡。它们充当存储阵列SSD和服务器内存之间的缓存。通过增加大约3TB的SCM，3PAR在Oracle基准测试中实现了30％的性能提升，同时价格提升了5％。

最终，Iannaccone认为SCM能够从其物理位置分解并充当多个存储阵列的缓存，并且所有其他阵列都与具有SCM内存的阵列通信。

“SCM仍然相当昂贵，因此我们将其用作缓存和智能算法层来制作缓存，”他说。

随着SCM的成本下降并且作为闪存的替代品变得更加可行，用例将分裂。对于大容量存储，每千兆字节将有一个更合适的价值，并且将有一个性能层来优化I / O。