探究欧盟的半导体发展策略

之前谈过美国、日本、南韩三国的半导体发展策略，12月欧盟会议也做出决议，由法、义、德、英29家公司共同研发半导体5个项目，至2024年止由参与国政府支持17.5亿欧元。

欧洲半导体从来不是强项，现在说得上名字的大厂只有英飞凌(Infineon)和意法半导体(STMicroelectronics)。这两家产品集中于功率元件与车用电子，只是比例上略有不同。既然在先进逻辑制程和存储器技术失去了动量，集中精力于己长以及应用面的考量，似乎是政策的必然。

这5项领域分别为功率半导体、节能芯片、智慧传感器、先进光学设备，还有化合物材料。

这里面比较费解的是第四项先进光学设备，但是从参与计划的两家德国公司Carl Zeiss与Advanced Mask Technology Center (AMTC)来看，讲的大概不是如硅光子类的芯片，而真的是光学机器设备。AMTC的产品是光罩，Carl Zeiss大家的印象是镜片和相机，但是Carl Zeiss也是ASML在EUV的策略伙伴、并且也制造光罩却是较少为人知的。有趣的是ASML并未参加此一项目，这是业界常态，也就是最强的公司毋需政府照拂。

第一项节能芯片是过去所有行动器具芯片的共同要求，譬如DRAM中的LP DDR4讲的就是低功率界面，同样的需求还有未来的IoT。有趣的是计划引用的应用例子单为车用半导体。

笫二项功率半导体过去德、日二分天下，尤其英飞凌过去的DRAM技术以挖深沟(trench)见长，在功率元件的工艺技术上亦颇为受用。计划的目标为改进可靠性，即功率元件永久的命题，应用为智慧家电，以及，又是车用电子。这个项目的中低阶产品预计未来会受中国强烈的冲击。国内的功率元件自给率比平均IC的自给率还低，只有10%，进口替代成为政策目标，受到政策影响的，就是德、日这两个功率元件大国。

第三项传感器主要是改善光学、行动和磁场传感器的效能和精确度，应用的对象仍是车用电子。

第五项化合物材料(compound materials)是指取代硅的化合物，国内称之为第三代半导体。目前主要的候选人为SiC与GaN这两种宽带隙材料；前者耐高压，后者速度快。这是功率元件的下世代产品，在高压、高电流、低功耗、散热、面积和速度上都期待比硅基功率元件要有所提升。参加这项目的公司看来独缺英飞凌，想来与ASML在光学设备缺席的原因相仿。功率半导体与化合物半导体的应用领域利润最高的都是引擎盖下(under the hood)的原厂设备(OE)元件，对于可靠性的要求极为严苛，要达ppb等级。这个项目主要应用领域也是车用电子。

从欧盟支持的政策可以看到3个想法。一是巩固自己的强项，拉大差距。再者，应用集中，主要在车用电子和新能源。第三则是由半导体制造向上、下游两边推进，上游是材料和机器设备，下游是应用。这都是后摩尔定律时代半导体增值的几种基本策略。