日本UV-LED先驱Nitride成立Micro LED全资子公司

日本UV-LED先驱Nitride Semiconductors成立了一家名为Micro Nitride的全资子公司。新公司将基于一项正在申请专利的新技术，开发和销售用于Micro LED显示器的Micro UV LED芯片。该公司总资本为1亿日元（约600万人民币），其中5000万为储备金。

目前，业内有两种制造Micro LED显示器的方法：(1) 独立红绿蓝LED芯片型，使用分别发红光、蓝光和绿光的三种LED芯片; (2)Micro Blue LED激发红光和绿光荧光粉型，使用Micro Blue LED芯片和可以激发出红光和绿光的荧光粉。

对于独立红绿蓝LED芯片型，红光Micro LED芯片由于材料太过脆弱而不具有生产性。另外，高密度转移和键合不同结构和颜色的Micro LED芯片也非常的困难。每种Micro LED的电流、电压和反应速度各不相同，因此单独控制每个芯片存在很大的问题。

相比之下，Micro Blue LED激发荧光粉的方法只需要将单一的Micro Blue LED芯片集成到显示基板上就可以，因此转移和键合难度大大降低，电流和电压也可以统一。不过这种方案中，蓝光是芯片发射光，而红光和绿光则是激发光，这意味着红光和绿光存在反应时间上的滞后。另外还存在一个问题，即由蓝色激发产生的红色和绿色的亮度都很低，颜色再现性也很差。

Micro Nitride公司正在开发一种名为Micro UV LED搭配RGB荧光粉的替代技术来解决这个问题。研究发现，同时在n层和p层内制作SLS结构时，Micro UV LED芯片的发光效率可以提高一倍（该技术专利在申请中）。

提升发光效率的原因是电流的扩散距离变短，这使得发光复合几率增加，内量子效率提高，同时，从发光层到外部距离的缩短也进一步提高了外量子效率。

作为母公司的Nitride Semiconductors于2000年在德岛大学初创成立，其创始人们在那里开发出世界上第一颗UV LED。该公司开发出比蓝光LED波长短100nm的紫外光LED，具有许多和晶体生长相关的核心技术。