IC Insights：供应限制开始放缓 DRAM市场增长将会降温

历史表明DRAM平均售价和市场增长将很快趋于下行；供应商谨慎并随时准备调整资本支出扩张计划。

IC Insights在其“2018年McClean报告”的9月更新中披露，在过去两年中，DRAM制造商一直在以接近满负荷运行其存储器晶圆厂，这导致DRAM价格稳步上升，并为供应商带来可观的利润。图1显示，2018年8月DRAM的平均销售价格（ASP）达到了6.79美元，相比两年前增长了165％。虽然今年的DRAM平均销售增速已经放缓，但仍保持在2018年前八个月的稳健上行轨迹。

DRAM市场以非常周期性而闻名，在经历了两年的强劲增长之后，历史优先权现在强烈表明DRAM平均售价（和市场）将很快开始下行趋势。一个指标显示DRAM平均价格即将下滑，这是DRAM资本支出大幅增加以扩大或增加新晶圆厂产能的背靠背年份（图2）。2017年DRAM资本支出增长81％至163亿美元，预计今年将再增加40％至229亿美元。在这些水平上的资本支出通常会导致大量的新产能和随后的价格快速下降。

然而，这次略有不同的是，与前几代产品相比，顶级DRAM供应商现在使用的低于20nm工艺节点通常与显着的支出升级相关的大的生产率提升要小得多。

在今年早些时候举行的分析师日活动中，美光公司提供的数据显示，制造低于20纳米节点的DRAM需要增加35％的掩模级别，每个关键掩模的非光刻步骤数量增加110％由于需要制造≤20nm的器件，因此需要更多的设备（每个部件具有比上一代更大的占位面积），并且每个晶圆的洁净室空间增加80％。在转换到较小的技术节点之后，先前平均为50％的位体积增加，是≤20nm节点的一小部分。最终结果是供应商必须投入更多资金才能减少比特量输出。因此，最近资本支出的上升虽然非同寻常，但可能不会产生类似的过剩产能，就像过去一样。

如图2所示，预计2018年DRAM平均售价将上涨38％至6.65美元，但IC Insights预测随着额外容量上线和供应限制开始放缓，DRAM市场增长将会降温。（值得一提的是，据报道，由于客户需求预期疲软，三星和SK海力士于3季度推迟部分扩张计划。）

当然，DRAM市场中的通配符是中国初创公司未来几年将扮演的角色和影响。据估计，中国约占DRAM市场的40％，约占闪存市场的35％。

至少有两家中国IC供应商Innotron和JHICC将参与今年的DRAM市场。虽然中国的产能和制造工艺最初不会与三星，SK海力士或美光公司相媲美，但看看这个国家的创业公司表现如何以及它们是否只为中国的国家利益服务，或者它们是否会扩展到满足全球需求。