Onsemi PNP 双晶体管 BC858CDXV6T1 和 BC858CDXV6T5 器件详解

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的晶体管是实现电路功能的重要环节。今天，我们就来详细了解一下 Onsemi 公司推出的 PNP 双晶体管 BC858CDXV6T1 和 BC858CDXV6T5，看看它们在通用放大器应用中能发挥怎样的作用。

文件下载：BC858CDXV6T1-D.PDF

一、产品概述

BC858CDXV6T1 和 BC858CDXV6T5 这两款晶体管专为通用放大器应用而设计，采用 SOT - 563 封装，这种封装适用于低功耗表面贴装应用。并且，它们是无铅器件，符合环保要求。

二、关键参数解读

1. 最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	- 30	V
集电极 - 基极电压	VCBO	- 30	V
发射极 - 基极电压	VEBO	- 5.0	V
集电极连续电流	IC	- 100	mAdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超出这些限制，不能保证器件的功能，可能会造成损坏并影响可靠性。大家在设计电路时，一定要确保工作参数在这些额定值范围内。

2. 热特性

（一个结加热）
总器件功耗（注 1），25°C 以上降额	PD	2.9
结到环境热阻（注 1）		350	°C/W
	符号		单位
总器件功耗（注 1），25°C 以上降额		500	mW mW/°C
温度范围		- 55 到 + 150	°C

注 1 提到是在 FR - 4 最小焊盘条件下。热特性对于晶体管的稳定工作至关重要，过高的温度可能会影响器件的性能和寿命，所以在设计散热方案时要充分考虑这些参数。

3. 电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极击穿电压（IC = - 10 mA）：V(BR)CEO 最小值为 - 30 V。
• 集电极 - 基极击穿电压：V(BR)CBO 最小值为 - 30 V。
• 发射极 - 基极击穿电压：V(BR)EBO 最小值为 - 5.0 V。
• 集电极截止电流（VCB = - 30 V，TA = 150°C）：ICBO 最大值为 - 4.0 nA。

导通特性

• 电流增益 hFE（IC = - 2.0 mA，VCE = - 5.0 V）：最大值为 800。
• 集电极 - 发射极饱和电压（IC = - 10 mA，IB = - 0.5 mA；IC = - 100 mA，IB = - 5.0 mA）：最大值为 - 0.65 V。
• 基极 - 发射极导通电压（IC = - 2.0 mA，VCE = - 5.0 V）：最小值为 - 0.6 V。

这些电气特性是我们在设计电路时进行参数计算和性能评估的重要依据，大家可以根据具体的应用需求来选择合适的工作点。

三、封装与订购信息

1. 封装

采用 SOT - 563 封装，尺寸为 1.60x1.20x0.55，引脚间距 0.50P。封装尺寸的精确控制对于电路板的布局和焊接工艺都有重要影响，在进行 PCB 设计时要严格按照尺寸要求进行。

2. 订购信息

器件	封装	包装数量
BC858CDXV6T1G	SOT - 563（无铅）	4000 / 卷带
BC858CDXV6T1	SOT - 563	4000 / 卷带
BC858CDXV6T5G	SOT - 563（无铅）	8000 / 卷带

需要注意的是，BC858CDXV6T1 已停产，不建议用于新设计。如果有相关需求，建议联系 Onsemi 代表获取最新信息。

四、典型特性与应用建议

文档中还给出了一些典型特性的图表，如归一化直流电流增益、“饱和”和“导通”电压、集电极饱和区域、基极 - 发射极温度系数、电容以及电流增益 - 带宽乘积等。这些典型特性可以帮助我们更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。

在实际应用中，我们可以根据这些特性来优化电路设计，例如根据电流增益 - 带宽乘积来确定放大器的带宽范围，根据基极 - 发射极温度系数来考虑温度补偿措施等。

总之，Onsemi 的 BC858CDXV6T1 和 BC858CDXV6T5 晶体管在通用放大器应用中具有一定的优势，但在使用过程中需要充分了解其各项参数和特性，结合具体的应用场景进行合理设计。大家在实际设计中遇到过哪些关于晶体管应用的问题呢？欢迎在评论区分享交流。