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onsemi PNP硅通用晶体管BCH807系列技术解析

lhl545545 2026-05-25 16:30 次阅读
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onsemi PNP硅通用晶体管BCH807系列技术解析

在电子设计领域,通用晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们来深入了解一下安森美(onsemi)的PNP硅通用晶体管BCH807 - 16L/25L/40L和NSVBCH807 - 16L/25L/40L系列,看看它们有哪些独特之处。

文件下载:BCH807-16LT1-D.PDF

产品特性

高温性能与应用

BCH807系列晶体管的最高结温($T_{J(max)}$)达到了175°C,这使得它们非常适合高温、关键任务的应用场景。而带有NSV前缀的型号则针对汽车和其他有独特生产地及控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。

环保特性

这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)的,并且符合RoHS标准,体现了环保理念,也满足了相关法规要求。

最大额定值

额定参数 符号 单位
集电极 - 发射极电压 $V_{CEO}$ -45 V
集电极 - 基极电压 $V_{CBO}$ -50 V
发射极 - 基极电压 $V_{EBO}$ -5.0 V
集电极连续电流 $I_{C}$ -500 mAdc
集电极峰值电流 $I_{CM}$ -800 mA

这些参数为我们在设计电路时提供了安全边界,超过这些额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。

热特性

不同基板的散热情况

特性 符号 最大值 单位
FR - 5板总器件功耗($T_{A}=25^{circ}C$,25°C以上降额) $P_{D}$ 225
1.3
mW
mW/°C
结到环境热阻(注1) $R_{UA}$ 400 °C/W
氧化铝基板总器件功耗($T_{A}=25^{circ}C$,25°C以上降额) $P_{D}$ 300
1.8
mW
mW/°C
结到环境热阻(注2) $R_{UA}$ 330 °C/W
结和储存温度 $T{J}$,$T{stg}$ -55 到 +175 °C

注1:FR - 4板,1 oz.Cu,$100mm^2$;注2:氧化铝 = 0.4 × 0.3 × 0.024 in,99.5%氧化铝。在实际设计中,我们需要根据具体的散热需求选择合适的基板,以确保晶体管在正常工作温度范围内。

电气特性

截止特性

特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位
集电极 - 发射极击穿电压($I_{c} = -10 mA$) $V_{(BR)CEO}$ -45 V
集电极 - 发射极击穿电压($V{EB}=0$,$I{C}=-10mu A$) $V_{(BR)CES}$ -50 V
发射极 - 基极击穿电压($I_{E}=-1.0 mu A$) $V_{(BR)EBO}$ -5.0 V
集电极截止电流($V{CB} = -20 V$,$T{J}=150^{circ}C$) $I_{CBO}$ -100
-5.0
nA
uA

导通特性

特性 型号 符号 最小值 典型值 最大值 单位
直流电流增益($I{C} = -100 mA$,$V{CE} = -1.0 V$) BCH807 - 16/NSVBCH807 - 16L*
BCH807 - 25/NSVBCH807 - 25L
BCH807 - 40/NSVBCH807 - 40L
$h_{FE}$ 100
160
250
250
400
600
($I{C} = -500 mA$,$V{CE} = -1.0 V$) 40
集电极 - 发射极饱和电压($I{C} = -500 mA$,$I{B} = -50 mA$) $V_{CE(sat)}$ -0.7 V
基极 - 发射极导通电压($I{C} = -500 mA$,$V{CE} = -1.0 V$) $V_{BE(on)}$ -1.2 V

信号特性

特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位
电流增益 - 带宽乘积($I{C} = -10 mA$,$V{CE} = -5.0 Vdc$,$f = 100 MHz$) $f_{T}$ 100 MHz
输出电容($V_{CB} = -10 V$,$f = 1.0 MHz$) $C_{obo}$ 10 pF

这些电气特性是我们设计电路时的重要依据,不同的应用场景可能需要不同的参数组合。例如,在放大电路中,我们可能更关注直流电流增益和带宽乘积;而在开关电路中,饱和电压和截止电流则更为关键。

订购信息

器件 特定标记 封装 包装
BCH807 - 16LT1G** XXX SOT - 23(无铅) 3000 / 卷带
NSVBCH807 - 16LT1G*,**
BCH807 - 25LT1G** 5AG 3000 / 卷带
NSVBCH807 - 25LT1G*
BCH807 - 40LT1G** 5E 3000 / 卷带
NSVBCH807 - 40LT1G*

注:NSV前缀用于汽车和其他有独特生产地及控制变更要求的应用;AEC - Q101认证且具备PPAP能力。器件发布可按需提供,请联系安森美销售。

典型特性曲线

文档中还给出了多个典型特性曲线,如不同型号的直流电流增益与集电极电流关系、集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流关系等。这些曲线可以帮助我们更直观地了解晶体管在不同工作条件下的性能表现。例如,通过直流电流增益曲线,我们可以知道在不同集电极电流下,晶体管的放大能力如何变化,从而更好地选择合适的工作点。

机械封装与引脚定义

封装尺寸

SOT - 23(TO - 236)封装的尺寸为2.90x1.30x1.00 1.90P,具体尺寸参数如下: 尺寸 最小值 标称值 最大值
A 0.89 1.00 1.11
A1 0.01 0.06 0.10
b 0.37 0.44 0.50
C 0.08 0.14 0.20
D 2.80 2.90 3.04
E 1.20 1.30 1.40
e 1.78 1.90 2.04
L 0.30 0.43 0.55
L1 0.35 0.54 0.69
HE 2.10 2.40 2.64
T 0 - 10°

引脚定义

不同的引脚样式有不同的引脚定义,例如:

  • STYLE 6:引脚1为基极,引脚2为发射极,引脚3为集电极;
  • STYLE 7:引脚1为发射极,引脚2为基极,引脚3为集电极;
  • ……

在实际使用中,我们需要根据具体的引脚样式来正确连接晶体管,避免因引脚连接错误导致电路故障。

综上所述,安森美BCH807系列晶体管以其高温性能、环保特性和丰富的电气参数,为电子工程师在不同的应用场景中提供了多样化的选择。在设计电路时,我们需要综合考虑这些特性和参数,以确保电路的性能和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?欢迎在评论区分享。

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