onsemi NSVT5401MR6:通用PNP放大器的详细解析
在电子设备的设计中,选择合适的放大器至关重要。onsemi的NSVT5401MR6通用PNP放大器,凭借其出色的性能和特性,成为众多工程师的选择。下面我们就深入了解这款放大器。
文件下载:NSVT5401MR6-D.PDF
产品特性
匹配芯片与认证
NSVT5401MR6具有匹配的芯片,这意味着在实际应用中能提供更稳定和一致的性能。同时,它通过了AEC - Q101认证且具备PPAP能力,适用于汽车等对可靠性要求极高的应用场景。
环保特性
在环保意识日益增强的今天,该放大器做到了无铅、无卤/无溴化阻燃剂,并且符合RoHS标准,满足环保要求。
绝对最大额定值
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | -150 | V |
| 集电极 - 基极电压 | VCBO | -160 | V |
| 发射极 - 基极电压 | VEBO | -5.0 | V |
| 集电极连续电流 | IC | -600 | mA |
| 工作和存储结温范围 | TJ, TSTG | -55 至 +150 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。这些额定值是基于最大结温150°C,且为稳态限制,对于涉及脉冲或低占空比操作的应用,应咨询onsemi。
热特性
在 (T{A}=25^{circ}C)(除非另有说明)的条件下,总器件功耗 (P{D}) 最大为700 mW,热阻为180 °C/W。这里需要注意的是,该数据是在器件安装在1平方英寸、2盎司铜的焊盘上测得的。
电气连接与订购信息
引脚分配与标记
NSVT5401MR6采用TSOT23 - 6引脚封装,标记图中“4S2”为特定器件代码,“M”为日期代码。
订购信息
| 器件 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|
| NSVT5401MR6T1G | TSOT23 - 6(无铅) | 3000 / 卷带包装 |
如需了解卷带规格,包括部件方向和卷带尺寸等信息,可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
电气特性
击穿电压
- 集电极 - 发射极击穿电压 (BV{CEO})((I{C} = -1.0 mA),(I_{B} = 0))为 -150 V。
- 集电极 - 基极击穿电压 (BV{CBO})((I{C} = -100 μA),(I_{E} = 0))为 -160 V。
- 发射极 - 基极击穿电压 (BV{EBO})((I{E} = -10 μA),(I_{C} = 0))为 -5.0 V。
截止电流
- 集电极截止电流 (I{CBO})((V{CB} = -120 V),(I{E} = 0))为 -50 nA,在 (T{A} = 100°C) 时为 -50 μA。
- 发射极截止电流 (I{EBO})((V{EB} = -3 V),(I_{C} = 0))为 -50 nA。
直流电流增益
不同集电极电流下有不同的直流电流增益,如 (h{FE1})((V{CE} = -5 V),(I{C} = -1 mA))最小为50,还有不同芯片之间的增益变化比,如 (DIVID1 = h{FE1}(Die1) / h_{FE1}(Die2)) 在0.9 - 1.1之间。
饱和电压
- 集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(sat)})((I{C} = -10 mA),(I{B} = -1 mA))为 -0.2 V,((I{C} = -50 mA),(I_{B} = -5 mA))为 -0.5 V。
- 基极 - 发射极饱和电压 (V{BE(sat)})((I{C} = -10 mA),(I{B} = -1 mA))和((I{C} = -50 mA),(I_{B} = -5 mA))均为 -1 V。
其他特性
- 基极 - 发射极导通电压 (V{BE(on)})((V{CE} = -5 V),(I{C} = -10 mA))为 -1 V,不同芯片之间的 (V{BE(on)}) 差值在 -8 至 8 mV 之间。
- 电流增益带宽积 (f{T})((V{CE} = -10 V),(I_{C} = -10 mA),(f = 100 MHz))在100 - 300 MHz 之间。
- 输出电容 (C{ob})((V{CB} = -10 V),(I_{E} = 0),(f = 1 MHz))为 6.0 pF。
- 噪声系数 (NF)((V{CE} = -5.0 V),(I{C} = -250 μA),(R_{S} = 1.0 kΩ),(f = 10 Hz) 至 15.7 kHz)为 8.0 dB。
这里要提醒大家,产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的,不同的工作条件可能会导致性能有所不同。脉冲测试要求脉冲宽度 ≤ 300 ms,占空比 ≤ 2%。
典型性能特性
该放大器有一系列典型性能特性图,包括直流电流增益、集电极发射极饱和电压与集电极电流关系、基极发射极饱和电压与集电极电流关系、基极发射极电压与集电极电流关系、集电极截止区域以及电容特性等。这些特性图能帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。
机械封装尺寸
TSOT23 - 6引脚封装的尺寸有详细规定,如高度A在0.90 - 1.10 mm之间,长度D在2.80 - 3.10 mm之间等。同时,标注了尺寸标注和公差遵循ASME Y14.5M, 2009标准,一些尺寸不包括模具飞边等信息。
总结
onsemi的NSVT5401MR6通用PNP放大器在性能、环保和认证等方面都有出色表现。工程师在设计时,可以根据其绝对最大额定值、热特性、电气特性等参数,结合实际应用需求,合理选择和使用该放大器。大家在实际应用中有没有遇到过类似放大器的使用问题呢?欢迎交流分享。
-
电气特性
+关注
关注
0文章
426浏览量
10325
发布评论请先 登录
NSVT5551M双极晶体管技术深度解析与应用指南
onsemi NSVT5401MR6:通用PNP放大器的详细解析
评论