台积电如何独占苹果订单？

集微网消息，1931年出生的张忠谋先生是半导体领域罕见的“奇才”，其开创晶圆代工(Foundry)模式，成就一批批IC设计厂商，张忠谋也由此一路见证了全球IC产业的兴起。虽然张忠谋于今年6月5号正式退休，但是他对半导体产业的发展趋势仍有着不可低估的预判。

数日前，在台积电一次内部沟通会上，张忠谋展望未来全球半导体产业发展有5个比较大的推动力量，分别为第一个是中国市场，第二个是光刻的EUV技术，第二是2.5D和3D的封装，第四个是AI，第五个是特殊材料和RI。其中也有台积电未来持续经营的方向。

台积电南京有限公司总经理罗镇球表示，台积电是一个对技术追求非常执著的公司，在过去30多年时间里，台积电一直在追求技术，从二零零几年开始进入了无人区，一直摸索前行，包括未来的2.5D封装、3D封装，还有EUV技术。

7nm之后，并非是突破5nm

台积电最早是从2微米、3微米开始做，如今在10nm之后，最新的7nm工艺也已量产出货，苹果新推出的A12仿生处理器就是由台积电独家代工制造。

A12处理器基于台积电7nm工艺制程生产，与之前的10nm FinFET制程相比，7nm FinFET实现1.6倍的逻辑密度，20%的速度提升，以及40%的功率减少。台积电预计，今年底可以看到有50个客户的产品导入台积电7nm工艺；在7nm之后，台积电将要突破并量产的工艺制程并不是5nm，而是 N7plus。

罗镇球透露，在7纳米后，台积电在开发另一个更先进的工艺，叫N7plus，会用EUV。用EUV技术做出7纳米的plus，可以比7纳米制程还要再缩小，到目前为止它的良率已经跟7纳米的工艺很接近了。

目前半导体制程的主流光源是氩氟雷射，波长为 193 纳米，当晶体管尺寸已微缩到几十纳米时，就像用一支粗毛笔写蝇头小字一般，生产起来有点力不从心。而极紫外光的波长仅有 13.5 纳米，这也使得 EUV***成为了攻克7nm之后、5nm甚至更高制程工艺的关键。

2.5D迈向3D，CoWoS是关键

从广义来看，摩尔定律是不会停止，现在系统级封装讲的是堆叠，把不同的IC堆叠起来是立体的，以单位空间看芯片中的晶体管数仍以持续不断的倍数增加，这正是2.5D、3D封装带来的应用趋势。

罗镇球表示，我们已经有2.5D封装的集成产品，现在做3D的封装，就是把两个CoWoS开始做堆叠，或者是四片CoWoS做堆叠，这种异质性的堆叠，已经有很好的进展。

据了解，CoWoS 3D 封装技术和InFO一样，客户能够在单个器件上混合使用多个硅片，达到比传统单片 IC 更高的集成度级别和容量，3D-IC 也将成为替代单片 IC 设计的可行主流解决方案。

以5G为例，现在5G手机已经在做了，5G芯片涉及的频宽多，天线会很复杂，需要有更多集成化设计，台积电会采用有一种晶圆级扇出式封装天线(InFO-AiP)技术，号称外观尺寸可缩小10%，天线增益可提高40%。

也正是因为InFO工艺，台积电才能长期独占苹果iPhone订单。据熟悉台积电的人士透露，台积电正将这一优势持续拉大，未来苹果两代新iPhone的芯片订单也都会由台积电独供。

而三星为什么长期无缘新iPhone芯片订单？上述人士表示，按三星的堆叠技术应用，整个产品会越来越小，而iPhone要求更薄，台积电的堆叠技术正符合iPhone的预期，再加上异质性的整合，整个产品性能会更领先一步。当前系统级封装最重要的产品标准，不再是以线宽微缩为标准，如果没有功能整合，没有异质性整合是很难领先的。

罗镇球表示，我们正在封装上想办法克服5G芯片面临的问题，让5G通讯能尽快实现，这需要能很快封装到像手机这样的大小产品中去，而且它的性能要更好，我们在2.5D/3D封装上持续努力，已经有很好的进展。