安森美NVT2016N090M2碳化硅MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子工程师的设计世界里，寻找一款性能卓越、品质可靠的功率MOSFET至关重要。今天，我们就来深入了解安森美（onsemi）推出的NVT2016N090M2碳化硅（SiC）单通道N沟道MOSFET，看看它如何在众多产品中脱颖而出。

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产品特性

低导通电阻与低电荷

NVT2016N090M2具有超低的导通电阻，典型值 (R{DS(on)}=16 mOmega)（@ (V{GS}=18 V)），这意味着在导通状态下，它能有效降低功率损耗，提高能源效率。同时，其超低的栅极电荷（典型值 (Q{G(tot)}=250 nC)）和低有效输出电容（典型值 (C{oss}=310 pF)），使得开关速度更快，进一步减少了开关损耗。

高可靠性与兼容性

该器件经过100% UIL测试，符合AEC - Q101标准，适用于汽车等对可靠性要求极高的应用场景。此外，它是无卤的，符合RoHS指令豁免7a的要求，并且在二级互连（2LI）上是无铅的，体现了环保和可持续发展的理念。

典型应用

NVT2016N090M2在汽车领域有着广泛的应用，主要包括汽车车载和非车载充电器，以及电动汽车（EV）/混合动力汽车（HEV）的DC/DC转换器。在这些应用中，其高性能和高可靠性能够为系统提供稳定的功率支持，满足汽车电子系统对效率和安全性的严格要求。

关键参数与性能

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	900	V
栅源电压	(V_{GS})	+22/-8、+18/-5	V
推荐栅源电压（(T_C < 175 °C)）	(V_{GSop})		V
连续漏极电流（(T_C = 25 °C)）	(I_{DC})	148	A
功率耗散	(P_{DC})	789	W
连续漏极电流（(T_C = 100 °C)）	(I_{DC})	105	A
功率耗散	(P_{DC})	395	W
脉冲漏极电流（(T_A = 25 °C)）	(I_{DM})	424	A
工作结温和存储温度范围	(TJ)、(T{stg})	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_S)	157	A
连续漏源二极管正向电流	(I_{SP})	157	A
脉冲漏源二极管正向电流	(I_{SDM})	424	A
单脉冲漏源雪崩能量（(IL = 28 A{pk}, L = 1 mH)）	(E_{AS})	392	mJ

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

参数	符号	最大值	单位
结到壳热阻	(R_{θJC})	0.19	°C/W
结到环境热阻	(R_{θJA})	42	°C/W

热阻会受到整个应用环境的影响，并非恒定值，仅在特定条件下有效。

电气特性

在 (TJ = 25 °C) 时，该器件的电气特性表现出色。例如，在关断特性方面，当 (V{GS}=0 V, I{D}=1 mA) 或 (V{GS}=-5 V, I{D}=1 mA) 时，漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为 900 V；栅源泄漏电流 (I{GSS}) 在 (V{GS}= +22V, V_{DS}=0V) 时，范围为 -250 至 250 nA。

在导通特性方面，推荐栅极电压 (V{GSOP}) 为 +18 V，当 (V{GS}=18 V, I{D}=60 A, T{J}=25 °C) 时，导通电阻 (R_{DS(on)}) 典型值为 16 mΩ。

开关特性

在开关特性方面，开启延迟时间 (t{d(on)}) 在 (V{GS}=-5 / +18 V, V{DS}=720 V, I{D}=60 A, R{G}=2.5 Omega) 条件下为 23 ns，关断延迟时间 (t{d(off)}) 为 50 ns。

漏源二极管特性

漏源二极管的反向恢复时间 (t{RR}) 典型值为 24 ns，反向恢复电荷 (Q{RR}) 为 570 nC，反向恢复峰值电流 (I_{RRM}) 为 47 A。

封装与订购信息

NVT2016N090M2采用T2PAK - 7L封装，每盘800个，采用带盘包装。关于带盘规格的详细信息，可参考安森美的带盘包装规格手册BRD8011/D。

总结

安森美NVT2016N090M2碳化硅MOSFET凭借其低导通电阻、低电荷、高可靠性等特性，在汽车电子等领域具有广阔的应用前景。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的优势，以提高系统的性能和可靠性。不过，在实际应用中，还需要根据具体的设计要求和工作条件，对器件的各项参数进行仔细评估和验证，确保其能够满足设计目标。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。