深入解析 onsemi FNB43060T2 Motion SPM 45 模块:高性能电机逆变器的理想之选
在电机驱动领域,一款性能卓越、功能丰富的逆变器模块对于提升电机的运行效率和稳定性至关重要。今天,我们就来深入了解 onsemi 的 FNB43060T2 Motion SPM 45 模块,探讨它的特点、参数以及应用场景。
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模块概述
FNB43060T2 是一款先进的 Motion SPM 45 模块,专为交流感应电机(AC Induction)、无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)提供功能齐全、高性能的逆变器输出级。该模块集成了内置 IGBT 的优化栅极驱动,能有效降低电磁干扰(EMI)和损耗,同时具备多种模块级保护功能,如欠压锁定、过流关断、驱动 IC 的热监测以及故障报告等。其内置的高速高压集成电路(HVIC)仅需单电源电压,就能将输入的逻辑电平栅极输入转换为驱动模块内部 IGBT 所需的高压、大电流驱动信号。此外,每个相位都设有独立的负 IGBT 端子,可支持各种控制算法。
主要特点
认证与性能
- UL 认证:获得 UL 认证(编号 E209204,符合 UL1557 标准),具备 600V - 30A 的三相 IGBT 逆变器,集成栅极驱动器和保护功能。
- 低损耗与高可靠性:采用低损耗、短路额定的 IGBT,内置自举二极管和专用 Vs 引脚,简化 PCB 布局。
- 温度监测:内置 NTC 热敏电阻,可实时监测温度。
- 电流传感:低侧 IGBT 设有独立的开集电极引脚,用于三相电流传感。
电气特性
引脚配置与功能
引脚描述
| FNB43060T2 模块共有 26 个引脚,各引脚功能如下: | 引脚编号 | 引脚名称 | 引脚描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | V_TH | 热敏电阻偏置电压 | |
| 2 | R_TH | 热敏电阻(温度检测)的串联电阻 | |
| 3 | P | 正直流母线输入 | |
| 4 | U | U 相输出 | |
| 5 | V | V 相输出 | |
| 6 | W | W 相输出 | |
| 7 | N_U | U 相负直流母线输入 | |
| 8 | N_V | V 相负直流母线输入 | |
| 9 | N_W | W 相负直流母线输入 | |
| 10 | C_SC | 短路电流检测输入的关断输入 | |
| 11 | V_FO | 故障输出 | |
| 12 | IN (WL) | 低侧 W 相信号输入 | |
| 13 | IN (VL) | 低侧 V 相信号输入 | |
| 14 | IN (UL) | 低侧 U 相信号输入 | |
| 15 | COM | 公共电源地 | |
| 16 | V_DD(L) | 低侧 IC 和 IGBT 驱动的公共偏置电压 | |
| 17 | V_DD(H) | 高侧 IC 和 IGBT 驱动的公共偏置电压 | |
| 18 | IN (WH) | 高侧 W 相信号输入 | |
| 19 | IN (VH) | 高侧 V 相信号输入 | |
| 20 | IN (UH) | 高侧 U 相信号输入 | |
| 21 | V_S(W) | W 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地 | |
| 22 | V_B(W) | W 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 | |
| 23 | V_S(V) | V 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地 | |
| 24 | V_B(V) | V 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 | |
| 25 | V_S(U) | U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地 | |
| 26 | V_B(U) | U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 |
内部等效电路
逆变器的高侧由三个 IGBT、续流二极管和每个 IGBT 的一个控制 IC 组成;低侧同样由三个 IGBT、续流二极管和每个 IGBT 的一个控制 IC 组成,具备栅极驱动和保护功能;功率侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端子组成。
绝对最大额定值与热阻
绝对最大额定值
在不同的工作条件下,模块的各个参数都有其绝对最大额定值,例如:
- 逆变器部分:P - NU、NV、NW 之间的电源电压(VPN)最大为 450V,浪涌电压(VPN(Surge))最大为 500V;集电极 - 发射极电压(VCES)为 600V;每个 IGBT 的集电极电流(±IC)在 TC = 25°C、TJ < 150°C 时为 30A,峰值电流(±ICP)在 1ms 脉冲宽度下为 60A;集电极耗散功率(PC)在 TC = 25°C 时为 59W;工作结温(TJ)范围为 -40 ~ 150°C。
- 控制部分:控制电源电压(VDD)在 VDD(H)、VDD(L) - COM 之间最大为 20V;高侧控制偏置电压(VBS)在 VB(U) - VS(U)、VB(V) - VS(V)、VB(W) - VS(W) 之间最大为 20V;输入信号电压(VIN)在 IN(UH)、IN(VH)、IN(WH)、IN(UL)、IN(VL)、IN(WL) - COM 之间为 -0.3 ~ VDD + 0.3V;故障输出电源电压(VFO)在 VFO - COM 之间为 -0.3 ~ VDD + 0.3V;故障输出电流(IFO)在 VFO 引脚的灌电流为 1mA;电流传感输入电压(VSC)在 CSC - COM 之间为 -0.3 ~ VDD + 0.3V。
- 自举二极管部分:最大重复反向电压(VRRM)为 600V;正向电流(IF)在 TC = 25°C、TJ < 150°C 时为 0.5A,峰值正向电流(IFP)在 1ms 脉冲宽度下为 2.0A;工作结温(TJ)范围为 -40 ~ 150°C。
- 整个系统:自保护电源电压极限(VPN(PROT))在特定条件下为 400V;模块外壳工作温度(TC)范围为 -40 ~ 125°C;存储温度(TSTG)范围为 -40 ~ 125°C;隔离电压(VISO)为 2000Vrms(60Hz,正弦交流,1 分钟,引脚连接到散热板)。
热阻
逆变器 IGBT 部分的结到外壳热阻(Rth(j - c)Q)(每 1/6 模块)最小为 2.1°C/W;逆变器续流二极管部分的结到外壳热阻(Rth(j - c)F)(每 1/6 模块)为 2.8°C/W。
电气特性
逆变器部分
- 饱和电压(VCE(SAT)):典型值为 1.65V,最大值为 2.25V。
- 正向电压(VF):在 $I{F}=30A$、$T{J}=25^{circ}C$ 时为 2.00V。
- 开关时间:包括开通时间(tON)和关断时间(tOFF),具体数值与测试条件有关,例如在 VPN = 300V、VDD = VBS = 15V、Ic = 30A、$V_{IN}=0Vleftrightarrow5V$、感性负载条件下,tON 典型值为 0.45us,最大值为 1.35us;tOFF 典型值为 0.20us,最大值为 0.50us。
控制部分
- 电流:不同引脚的电流参数不同,如 VDD(H) - COM 之间的电流(IQDDH)在 $V{DD(H)}=15V$、$IN{(UH,VH, WH)}=0V$ 时最大值为 0.10mA;VDD(L) - COM 之间的电流(IQDDL)在 $V{DD(L)}=15V$、$IN{(UL,VL, WL)}=0V$ 时最大值为 2.65mA。
- 故障输出电压(VFH):在 $V{SC}=0V$、$V{FO}$ 电路通过 4.7kΩ 上拉到 5V 时为 4.5V。
- 欠压保护:检测电平(UVDDR)为 10.5V,复位电平为 11.0V;高侧欠压检测(UVBSD)检测电平为 12.5V,复位电平为 10.5 ~ 13.0V。
推荐工作条件
电压与电流
- VPN:P - NU、NV、NW 之间的电压推荐值为 300V。
- VDD:控制电源电压在 VDD(H)、VDD(L) - COM 之间推荐值为 13.5 ~ 15.0V。
- VBS:高侧偏置电压在 VB(U) - VS(U)、VB(V) - VS(V)、VB(W) - VS(W) 之间推荐值为 15.0V。
- V_SEN:电流传感电压在 NU、NV、NW - COM 之间(包括浪涌电压)范围为 -4 ~ 4V。
其他参数
- 控制电源变化率(dVDD/dt):范围为 -1 ~ 1V/us。
- 消隐时间(tdead):用于防止桥臂短路,推荐值为 1.0us。
- PWM 输入信号:在 -40°C ≤ TC ≤ 125°C、-40°C ≤ TJ ≤ 150°C 条件下,频率为 20kHz。
- 最小输入脉冲宽度(PWIN(OFF)):在 $V{DD}=V{BS}=15V$、$I_{C} leq 60A$、NU、V、W 与直流母线 N 之间的布线电感小于 10nH 时为 1.2us。
保护功能与应用电路
保护功能
- 欠压保护:分为低侧和高侧欠压保护。低侧欠压保护在控制电源电压上升到 UVDDR 后,电路开始工作;当检测到欠压(UVDDD)时,IGBT 关断,故障输出开始工作,直到欠压复位(UVDDR)后,IGBT 才能再次导通。高侧欠压保护类似,但没有故障输出信号。
- 短路保护:仅在低侧工作。当检测到短路电流(SC 触发)时,所有低侧 IGBT 的栅极被硬中断,IGBT 关断,故障输出开始工作,直到故障输出结束且触发下一个从低到高的信号,IGBT 才能再次导通。
应用电路
在设计应用电路时,需要注意以下几点:
- 布线:各输入的布线应尽可能短(小于 2 - 3cm),以避免故障;RF 和 CSC 周围的布线也应尽可能短,以防止保护功能出错;控制 GND 线和电源 GND 线(包括 NU、NV、NW)应仅在一点连接,且布线距离应尽可能短。
- 元件选择:VFO 输出为开漏类型,应使用电阻上拉到 MCU 或控制电源的正极,使 IFO 达到 1mA;CSP15 建议为自举电容 CBS 的约七倍;输入信号为高电平有效类型,IC 内部有 5kΩ(典型值)下拉电阻,建议使用 RC 耦合电路防止输入信号振荡,$R{S}C{PS}$ 时间常数应在 50 - 150ns 范围内(推荐 $R{S}=100Omega$,$C{PS}=1nF$);在短路保护电路中,$R{F}C{SC}$ 时间常数应在 1.5 - 2s 范围内;每个电容应尽可能靠近 Motion SPM 45 模块的引脚安装;在 P 和 GND 引脚之间建议使用约 0.1 - 0.22μF 的高频无感电容,以防止浪涌破坏;应选择温度特性良好的电解电容作为 CBS,选择 0.1 - 0.2μF 的 R 类陶瓷电容作为 CSC,其具有良好的温度和频率特性。
总结
FNB43060T2 Motion SPM 45 模块凭借其丰富的功能、卓越的性能和完善的保护机制,为电机驱动系统提供了可靠的解决方案。在实际应用中,工程师需要根据具体需求合理选择工作条件和元件参数,确保模块的稳定运行。同时,在设计电路时,要严格遵循布线和元件安装的要求,以充分发挥模块的优势。你在使用这款模块的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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