安世半导体中国推出双通道低侧门极驱动器NGD31251及其车规版本

安世半导体中国近日全新发布双通道低侧栅极驱动器NGD31251，并同步推出符合车规级标准的NGD31251-Q100版本。

新品聚焦低侧栅极驱动器在实际应用中的核心痛点，从芯片鲁棒性、传输延时、驱动能力三大维度完成性能优化，有效提升系统运行稳定性与转换效率。

凭借优异的综合表现，该系列驱动器可广泛适配充电桩、通信电源、服务器电源、车载充电机与直直转换器、电动汽车加热器等多元应用场景，为工业及车载电源类方案提供可靠的驱动支撑。

产品特点

VDD最大耐压28V

输入引脚最大耐压-10V至28V

驱动电流典型值±5A

最大工作频率至1MHz

VDD欠压保护4.2V

-40℃至140℃工作结温

产品优势

更强鲁棒性，运行更可靠

NGD31251对关键引脚的最大耐压能力进行了针对性提升。

为有效抵御变压器干扰与地线噪声，其输入引脚支持-10V至28V宽耐压范围，抗干扰能力显著增强。

同时，针对应用场景中雷击浪涌、电源尖峰等恶劣工况，NGD31251/Q100将VDD与OUT引脚耐压提升至28V，大幅降低芯片被瞬时过压击穿的风险，进一步保障电源系统稳定可靠运行。

超低开关延时，提升电源效率

NGD31251/Q100具备出色的时序性能，开通延时典型值低至11ns，关断延时仅13ns。

更短的传输延时有助于客户优化系统死区设置，有效提升电源转换效率，实现更高能效表现。

典型应用

充电桩

充电桩电源模块前级通常采用Vienna PFC拓扑，NGD31251双通道延时匹配小于2ns，可严格保证PFC双MOSFET管同时可靠开通与关断，保障前级稳定运行。

模块后级采用3-Level LLC拓扑，NGD31251搭配隔离信号变压器即可直接驱动LLC的MOSFET，无需隔离驱动芯片，有效降低整体驱动成本。

△ 图1：充电桩充电模块应用

砖块电源

砖块电源输出侧通常采用全波整流拓扑，从散热和经济性的角度考虑，业界通常使用多个MOS并联。NGD31251单通道驱动能力5A，可支持多MOS并联同时开通和关断，非常适合驱动多个并联的MOSFET。如搭配安世半导体PXN2R9-100RS或PSMNS1R4-40MYX8等MOSFET，即可一站式搭建出可靠的砖块电源方案。

△ 图2：通讯基站5G砖块电源应用

服务器电源

3KW服务器电源的常用电路拓扑为Interleaved PFC+LLC架构。

NGD31251凭借双通道低延时驱动性能，非常适合驱动前级相位相差180°的Interleaved PFC MOSFET；同时其高达5A的驱动能力，可精准驱动LLC整流MOSFET实现并联状态下的同步开通与关断。搭配安世半导体PSMNS1R4-40MYX8等MOSFET，即可一站式搭建出可靠的12V服务器电源方案。

△ 图3：服务器电源应用

车载充电机与直直转换器（OBC/DCDC）

车载DC-DC转换器的输出侧，通常采用多MOSFET并联的全波整流拓扑。NGD31251-Q100严格遵循AEC-Q100等车规认证标准，在高低温循环、湿热老化、电气应力冲击等测试中表现优异，能够确保车载电源系统长期稳定运行，良好适配新能源汽车等车规应用场景的高可靠性需求，搭配安世半导体BUK7J1R0-40H/Q100等MOSFET，可一站式搭建出后级全波整流电路。

△ 图4：电动汽车DCDC电源

电动汽车加热器（PTC Heater）

电动汽车加热器通常采用IGBT等功率开关器件实现开关控制，NGD31251-Q100支持最高10A的驱动电流，能够稳定驱动各类大功率开关器件，适配电动汽车加热器的功率控制需求。

△ 图5：电动汽车加热器

产品选型

安世半导体中国已实现NGD31251与NGD31251-Q100的稳定量产，客户可根据自身项目需求，灵活选用适配的芯片完成系统设计，亦可通过安世官方商城进行样品申请或购买，详情请点击「阅读原文」‌。

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