深入解析 onsemi NFVA33065L32:汽车智能功率模块的卓越之选
在汽车电动化和智能化的浪潮中,功率模块的性能和可靠性对于混合动力和电动汽车的发展至关重要。onsemi 的 NFVA33065L32 作为一款先进的汽车智能功率模块(SPM),为汽车高压辅助电机等应用提供了强大的支持。今天,我们就来深入了解一下这款产品。
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产品概述
NFVA33065L32 是一款专为混合动力和电动汽车设计的高性能逆变器输出级模块。它集成了优化的 IGBT 栅极驱动电路,能够有效降低 EMI 和损耗,同时具备多种保护功能,如欠压锁定、过流关断、驱动 IC 热监测和故障报告等。内置的高速 HVIC 仅需单电源供电,可将输入的逻辑电平栅极信号转换为驱动内部 IGBT 所需的高压、大电流信号。此外,每个相都设有独立的负 IGBT 端子,支持多种控制算法。
产品特性
封装与认证
- 封装形式:采用 27 引脚 DIP 封装,符合 AEC 和 AQG324 标准,具备 PPAP 能力。
- 环保合规:无铅且符合 RoHS 标准,同时通过了 UI1557 认证(文件编号 E209204),符合 UL94V - 0 标准。
电气性能
- 电压与电流:具备 650 V/30 A 的三相 IGBT 逆变器,集成栅极驱动器和保护功能。
- IGBT 特性:采用 175°C 保证短路额定的 FS 沟槽 IGBT,具有低 Vce(sat) 和快速开关特性。
- 热性能:使用 Al₂O₃ DBC 基板,具有出色的热阻性能。
其他特性
应用领域
NFVA33065L32 适用于多种汽车高压辅助电机应用,包括:
- 气候电动压缩机:为汽车空调系统提供高效的动力支持。
- 油/水泵:确保发动机冷却和润滑系统的正常运行。
- 超级/涡轮增压器:提升发动机的动力性能。
- 各种风扇:为汽车散热系统提供通风。
内部结构与功能
集成功能
- 逆变器高侧 IGBT:包含栅极驱动电路、高压隔离高速电平转换控制电路和欠压锁定(UVLO)保护。
- 逆变器低侧 IGBT:具备栅极驱动电路、短路保护(SCP)控制电路和欠压锁定保护(UVLO)。
- 故障信号:对应 UVLO(低侧电源)和 SC 故障。
- 输入接口:采用有源高电平接口,可与 3.3/5 V 逻辑配合,具备施密特触发器输入。
引脚配置与描述
| 该模块共有 27 个引脚,每个引脚都有特定的功能,如电源输入、信号输入、故障输出、温度传感等。具体引脚描述如下: | Pin Number | Pin Name | Pin Description |
|---|---|---|---|
| 1 | VDD(L) | 低侧 IC 和 IGBT 驱动的公共偏置电压 | |
| 2 | COM | 公共电源地 | |
| 3 | IN(UL) | 低侧 U 相信号输入 | |
| 4 | IN(VL) | 低侧 V 相信号输入 | |
| 5 | IN(WL) | 低侧 W 相信号输入 | |
| 6 | VFO | 故障输出 | |
| 7 | VTS | LVIC 温度传感电压输出 | |
| 8 | CSC | 短路电流检测输入 | |
| 9 | IN(UH) | 高侧 U 相信号输入 | |
| 10 | VDD(H) | 高侧 IC 和 IGBT 驱动的公共偏置电压 | |
| 11 | VB(U) | U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 | |
| 12 | VS(U) | U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地 | |
| 13 | IN(VH) | 高侧 V 相信号输入 | |
| 14 | VDD(H) | 高侧 IC 和 IGBT 驱动的公共偏置电压 | |
| 15 | VB(V) | V 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 | |
| 16 | VS(V) | V 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地 | |
| 17 | IN(WH) | 高侧 W 相信号输入 | |
| 18 | VDD(H) | 高侧 IC 和 IGBT 驱动的公共偏置电压 | |
| 19 | VB(W) | W 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 | |
| 20 | VS(W) | W 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地 | |
| 21 | NU | U 相负直流母线输入 | |
| 22 | NV | V 相负直流母线输入 | |
| 23 | NW | W 相负直流母线输入 | |
| 24 | U | U 相输出 | |
| 25 | V | V 相输出 | |
| 26 | W | W 相输出 | |
| 27 | P | 正直流母线输入 |
内部等效电路
内部等效电路由逆变器低侧、功率侧和高侧组成。逆变器低侧由三个 IGBT、每个 IGBT 的续流二极管和一个控制 IC 组成,具备栅极驱动和保护功能;逆变器功率侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端子组成;逆变器高侧由三个 IGBT、续流二极管和三个驱动 IC 组成。
电气特性
绝对最大额定值
| 在 (T_J = 25^{circ}C) 条件下,该模块的绝对最大额定值如下: | Symbol | Parameter | Conditions | Rating | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| VPN | 电源电压 | 施加在 P - NU、NV、NW 之间 | 500 | V | |
| VPN(Surge) | 电源电压(浪涌) | 施加在 P - NU、NV、NW 之间 | 550 | V | |
| VCES | 集电极 - 发射极电压 | 650 | V | ||
| ±IC | 每个 IGBT 集电极电流 | (T_C = 100^{circ}C),(VDD geq 15V),(T_J leq 175^{circ}C) | 30 | A | |
| ±ICP | 每个 IGBT 集电极电流(峰值) | (T_C = 25^{circ}C),(T_J leq 175^{circ}C),1 ms 脉冲宽度下 | 60 | A | |
| PC | 集电极耗散功率 | (T_C = 25^{circ}C) 每芯片 | 96 | W | |
| TJ | 工作结温 | IGBT 和二极管 | -40 ∼ 175 | °C | |
| 驱动 IC | -40 ∼ 150 | °C |
电气特性 - 逆变器部分
| 在不同条件下,逆变器部分的电气特性如下: | Symbol | Parameter | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCE(SAT) | 集电极 - 发射极饱和电压 | (VDD = VBS = 15V),(VIN = 5V),(IC = 30A),(TJ = 25^{circ}C) | 1.60 | 2.10 | V | ||
| (VDD = VBS = 15V),(VIN = 5V),(IC = 30A),(TJ = 175^{circ}C) | 2.00 | 2.60 | V | ||||
| VF | FWDi 正向电压 | (VIN = 0V),(IF = 30A),(TJ = 25^{circ}C) | 2.00 | 2.60 | V | ||
| (VIN = 0V),(IF = 30A),(TJ = 175^{circ}C) | 1.95 | 2.55 | V | ||||
| HS tON | 高侧开关时间 | (VPN = 300V),(VDD = 15V),(IC = 30A),(TJ = 25^{circ}C),(VIN = 0V Leftrightarrow 5V),感性负载 | 0.50 | 0.90 | 1.40 | s | |
| tC(ON) | 0.20 | 0.60 | s | ||||
| tOFF | 0.85 | 1.35 | s | ||||
| tC(OFF) | 0.15 | 0.45 | s | ||||
| trr | 0.08 | s | |||||
| LS tON | 低侧开关时间 | (VPN = 300V),(VDD = 15V),(IC = 30A),(TJ = 25^{circ}C),(VIN = 0V Leftrightarrow 5V),感性负载 | 0.40 | 0.80 | 1.30 | s | |
| tC(ON) | 0.25 | 0.60 | s | ||||
| tOFF | 0.90 | 1.40 | s | ||||
| tC(OFF) | 0.15 | 0.45 | s | ||||
| trr | 0.10 | s | |||||
| ICES | 集电极 - 发射极泄漏电流 | (TJ = 25^{circ}C),(VCE = VCES) | 3 | mA |
控制部分
| 在 (T_J = 25^{circ}C) 条件下,控制部分的电气特性如下: | Symbol | Parameter | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQDDH | 静态 VDD 电源电流 | (VDD(H) = 15V),(IN(UH,VH,WH) = 0V),(VDD(H) - COM) | 0.40 | mA | |||
| IQDDL | (VDD(L) = 15V),(IN(UL,VL,WL) = 0V),(VDD(L) - COM) | 4.80 | mA | ||||
| IPDDH | 工作 VDD 电源电流 | (VDD(H) = 15V),(fPWM = 20kHz),占空比 = 50%,应用于高侧一个 PWM 信号输入,(VDD(H) - COM) | 0.48 | mA | |||
| IPDDL | (VDD(L) = 15V),(fPWM = 20kHz),占空比 = 50%,应用于低侧一个 PWM 信号输入,(VDD(L) - COM) | 8.80 | mA | ||||
| IQBS | 静态 VBS 电源电流 | (VBS = 15V),(IN(UH,VH,WH) = 0V),(VB(U) - VS(U)),(VB(V) - VS(V)),(VB(W) - VS(W)) | 0.24 | mA | |||
| IPBS | 工作 VBS 电源电流 | (VDD = VBS = 15V),(fPWM = 20kHz),占空比 = 50%,应用于高侧一个 PWM 信号输入,(VB(U) - VS(U)),(VB(V) - VS(V)),(VB(W) - VS(W)) | 4.40 | mA | |||
| VFOH | 故障输出电压 | (VDD = 15V),(VSC = 0V),(VFO) 电路:4.7k 上拉至 5V | 4.5 | V | |||
| VFOL | (VDD = 15V),(VSC = 1V),(VFO) 电路:4.7k 上拉至 5V | 0.50 | V | ||||
| VSC(ref) | 短路跳闸电平 | (VDD = 15V) | 0.45 | 0.50 | 0.55 | V | |
| UVDDD | 电源电路欠压保护检测电平 | 9.80 | 13.3 | V | |||
| UVDDR | 复位电平 | 10.3 | 13.8 | V | |||
| UVBSD | 9.00 | 12.5 | V | ||||
| UVBSR | 9.50 | 13.0 | V | ||||
| tFOD | 故障输出脉冲宽度 | 50 | s | ||||
| VTS | LVIC 温度传感电压输出 | (VDD(L) = 15V),(TLVIC = 25^{circ}C) | 540 | 640 | 740 | mV | |
| VIN(ON) | 导通阈值电压 | 施加在 (IN(UH,VH,WH) - COM),(IN(UL,VL,WL) - COM) 之间 | 2.60 | V | |||
| VIN(OFF) | 关断阈值电压 | 0.80 | V |
推荐工作条件
| Symbol | Parameter | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VPN | 电源电压 | 施加在 P - NU、NV、NW 之间 | 300 | 400 | V | |
| VDD | 控制电源电压 | 施加在 (VDD(H) - COM),(VDD(L) - COM) 之间 | 14.0 | 15 | 16.5 | V |
| VBS | 高侧偏置电压 | 施加在 (VB(U) - VS(U)),(VB(V) - VS(V)),(VB(W) - VS(W)) 之间 | 13.0 | 15 | 18.5 | V |
| 控制电源变化率 | (dVDD/dt),(dVBS/dt) | -1 | 1 | V/s | ||
| tdead | 防止桥臂短路的消隐时间 | 每个输入信号 | 2.0 | s | ||
| fPWM | PWM 输入信号 | (-40^{circ}C leq TC leq 125^{circ}C),(-40^{circ}C leq TJ leq 150^{circ}C) | 20 | kHz | ||
| VSEN | 电流传感电压 | 施加在 NU、NV、NW - COM 之间(包括浪涌电压) | -5 | 5 | V |
机械特性与安装注意事项
机械特性
该模块的机械特性包括端子拉力强度和重量等,具体参数文档中未详细给出。
安装注意事项
- 扭矩控制:安装螺丝时不要过度拧紧,过大的扭矩可能导致 DBC 裂纹、螺栓和铝散热器损坏。推荐的预拧紧扭矩为最大扭矩额定值的 20 ∼ 30%。
- 避免单边应力:避免单边拧紧应力,采用推荐的扭矩顺序进行安装,不均匀的安装可能会损坏封装的 DBC 基板。
保护功能
欠压保护
- 低侧欠压保护:当控制电源电压上升超过 UVDDR 时,电路在下次输入信号
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