DC12V供电端口差共模4KV浪涌防护-优恩半导体

带极性反接保护-差共模4KV浪涌防护方案

带极性反接保护-差共模4KV浪涌防护方案

1、通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护；

2、在TVS管保护后级串接PMOS管或者低压降的肖特基二极管做极性反接保护，低内阻的MOS管可以有效降低功率损耗，减少发热量；

3、靠近芯片端并联一颗低VF的肖特基二极管，有利于负压浪涌防护与模拟雷击浪涌测试；

4、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管，提供浪涌泄放路径；

5、产品若涉及到绝缘耐压测试，可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现；

6、通过选择不同功率大小的TVS管，可以满足不同等级的测试需求。

两级带过流保护-差共模4KV浪涌保护方案

两级带过流保护-差共模4KV浪涌保护方案

1、方案采用多级保护的方式，拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果，同时具有更强的设计兼容性；

2、初级通过在电源正负之间并接3PIN的陶瓷气体放电管，中间PIN脚接大地PE，做差共模保护；

3、过陶瓷管后串接自恢复保险丝做后端负载过流、短路及TVS管失效异常保护；

4、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦，使前端大通流，高电压的GDT能够快速响应；

5、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护；

6、通过选择不同的保护器件，可以满足不同等级的测试保护需求。

防雷模块型-差共模4KV浪涌保护方案

防雷模块型-差共模4KV浪涌保护方案

1、通过在电源输入端口并接浪涌保护模块对后端电路进行保护；

2、能够解决多级防护电路中额定工作电流较大的情况下，中间退耦的选择麻烦的问题；

3、小尺寸、大通流、差共模保护一体化设计，使其拥有卓越防护效果的同时，能最大程度缩减PCB板的占用空间；

4、简易的设计，降低了用户的使用门槛。

两级带EMI抑制-差共模4KV浪涌保护方案

两级带EMI抑制-差共模4KV浪涌保护方案

1、方案采用多级保护的方式，拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果，同时具有更强的设计兼容性；

2、初级防护通过在电源正负之间并接压敏串放电管做差模保护，陶瓷放电管的高阻抗，能有效降低并联支路的漏电流，提升方案的可靠性

3、通过共模电感、X电容、Y电容组成的EMI滤波器能有效抑制EMI干扰；

4、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦，使前端大通流，高电压的MOV和GDT能够快速响应；

5、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护；

6、靠近芯片端并联一颗低VF的肖特基二极管，有利于负压浪涌防护与模拟雷击浪涌测试，此肖特基选型时需要注意IPP；

7、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管，提供浪涌泄放路径；

8、产品若涉及到绝缘耐压测试，可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现；

9、通过选择不同的保护器件，可以满足不同等级的测试保护需求。

以上方案符合标准要求：

IEC 61000-4-2、EN 61000-4-2、GB/T 17626.2、IEC 61000-4-5、EN 61000-4-5、GB/T 17626.5

审核编辑 黄宇