深入解析 onsemi FGH60T65SHD IGBT:性能、特性与应用
在电子工程领域,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是功率电子应用中的关键组件。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 FGH60T65SHD IGBT,它采用了新颖的场截止技术,为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 等应用提供了出色的性能。
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产品概述
FGH60T65SHD 是 onsemi 第三代场截止 IGBT 系列的一员,专为需要低导通和开关损耗的应用而设计。这款 IGBT 具有以下特点:
- 高结温能力:最大结温可达 175°C,能够在高温环境下稳定工作。
- 正温度系数:便于并联操作,提高系统的可靠性和稳定性。
- 高电流能力:能够承受高电流,满足高功率应用的需求。
- 低饱和电压:典型饱和电压为 1.6V(@IC = 60A),降低了导通损耗。
- 高输入阻抗:减少了驱动电路的功耗。
- 快速开关:缩短了开关时间,降低了开关损耗。
- 参数分布紧密:确保了产品的一致性和可靠性。
- 无铅环保:符合 RoHS 标准,环保友好。
绝对最大额定值
| 在使用 FGH60T65SHD 时,需要注意其绝对最大额定值,以避免设备损坏。以下是一些重要的额定值: | 描述 | 符号 | FGH60T65SHD - F155 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCES | 650 | V | |
| 栅极 - 发射极电压 | VGES | ±20 | V | |
| 瞬态栅极 - 发射极电压 | ±30 | V | ||
| 集电极电流(TC = 25°C) | IC | 120 | A | |
| 集电极电流(TC = 100°C) | 60 | A | ||
| 脉冲集电极电流(注 1) | ILM | 180 | A | |
| 脉冲集电极电流(注 2) | ICM | 180 | A | |
| 二极管正向电流(TC = 25°C) | IF | 60 | A | |
| 二极管正向电流(TC = 100°C) | 30 | A | ||
| 脉冲二极管最大正向电流(注 2) | IFM | 180 | A | |
| 最大功耗(TC = 25°C) | PD | 349 | W | |
| 最大功耗(TC = 100°C) | 174 | W | ||
| 工作结温 | TJ | -55 至 +175 | °C | |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 至 +175 | °C | |
| 焊接用最大引脚温度(距外壳 1/8”,5 秒) | TL | 300 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏设备,影响其功能和可靠性。
热特性
| 热特性对于 IGBT 的性能和可靠性至关重要。FGH60T65SHD 的热特性如下: | 参数 | 符号 | FGH60T65SHD - F155 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结 - 壳热阻(IGBT,最大) | Rθjc | 0.43 | °C/W | |
| 结 - 壳热阻(二极管,最大) | Rθjc | 1.25 | °C/W | |
| 结 - 环境热阻(最大) | Rθja | 40 | °C/W |
了解热特性有助于设计合适的散热系统,确保 IGBT 在工作过程中保持在安全的温度范围内。
电气特性
IGBT 电气特性
在室温(TC = 25°C)下,FGH60T65SHD 的 IGBT 电气特性如下:
- 关断特性:击穿电压 BVCES 为 650V,击穿电压温度系数为 0.6V/°C,集电极 - 发射极漏电流最大为 250μA,栅极 - 发射极漏电流最大为 ±400nA。
- 导通特性:栅极 - 发射极阈值电压 VGE(th) 在 4.0 - 7.5V 之间,集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat) 典型值为 1.6V(@IC = 60A,VGE = 15V)。
- 动态特性:输入电容 Cies 为 2980pF,输出电容 Coes 为 110pF。
- 开关特性:开启延迟时间 td(on) 为 25ns,上升时间 tr 为 60ns,关断延迟时间 td(off) 为 72ns,下降时间 tf 为 47ns,开启开关损耗为 2.54mJ,关断开关损耗为 Eoff,总开关损耗为 3.58mJ,总栅极电荷 Qg 为 18.4nC,栅极 - 集电极电荷 Qgc 为 37.5nC。
二极管电气特性
二极管的电气特性包括正向电压、反向恢复能量、反向恢复时间和反向恢复电荷等。在室温下,二极管正向电压典型值为 2.3V(IF = 30A),反向恢复能量在 TC = 175°C 时为 50μJ,反向恢复时间在 TC = 25°C 时为 34.6ns,在 TC = 175°C 时为 197ns,反向恢复电荷在 TC = 25°C 时为 58.6nC,在 TC = 175°C 时为 810nC。
典型性能特性
文档中还提供了一系列典型性能特性图表,包括输出特性、饱和电压特性、电容特性、栅极电荷特性、开关特性等。这些图表有助于工程师更好地了解 FGH60T65SHD 在不同条件下的性能表现,为电路设计提供参考。
封装标记和订购信息
FGH60T65SHD 采用 TO - 247 - 3LD 封装,标记为 FGH60T65SHD,包装方式为管装,每管数量为 30 个。具体的订购和发货信息可在数据手册第 2 页的封装尺寸部分查看。
机械尺寸
文档提供了 TO - 247 - 3LD 封装的机械尺寸图和详细的尺寸数据,包括长度、宽度、高度、引脚间距等。在设计电路板时,需要根据这些尺寸进行合理布局,确保 IGBT 能够正确安装和使用。
总结
FGH60T65SHD 是一款性能出色的 IGBT,具有高结温、低损耗、快速开关等优点,适用于多种功率电子应用。工程师在使用这款 IGBT 时,需要注意其绝对最大额定值、热特性和电气特性,合理设计电路和散热系统,以确保设备的可靠性和稳定性。同时,参考典型性能特性图表可以更好地优化电路设计,提高系统性能。你在实际应用中是否遇到过类似 IGBT 的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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