基于L6565和ESBT® STC04IE170HV的80W三相SMPS设计解析
一、引言
在电机驱动和焊接应用中,一款高效且成本合理的辅助电源至关重要。本应用笔记聚焦于设计一款80W的三相辅助电源,选用了STMicroelectronics的L6565 PWM控制器和STC04IE170HV作为主开关,为高直流输入电压的三相应用提供了高效解决方案。同时,文中的频率响应研究借助MATLAB完成,所有设计选择都经过深入探讨,方便用户根据具体需求进行调整。输入电压甚至可扩展至1000VDC,最后还对实验结果进行分析,以揭示ESBT在此应用中的优势。
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二、设计规格与L6565简介
2.1 转换器规格数据
| 符号 | 描述 | 值 |
|---|---|---|
| (V_{inmin}) | 整流后的最小输入电压 | 250V |
| (V_{inmax}) | 整流后的最大输入电压 | 850V |
| (V_{out}) | 输出电压1 | 24V/3.33A |
| (V_{aux}) | 辅助输出电压 | 15V/0.1A |
| (P_{out}) | 最大输出功率 | 80W |
| (h) | 转换器效率 | > 80% |
| (F) | 最小开关频率 | 50kHz |
| (V_{spike}) | 钳位电路限制的最大过电压 | 200V |
2.2 L6565特性
L6565采用电流模式控制,专为工作在准谐振模式和零电压开关(ZVS)或至少准ZVS(即导通时谷底开关)的反激式转换器设计。这种设计能最大程度降低导通时的功率损耗。不过,由于输入范围为250V - 850V,只有当(V{in }=V{inmin }=250V)时才能实现ZVS。L6565有8个引脚,详细引脚功能可参考其数据手册。
三、反激级设计
3.1 变压器设计
3.1.1 核心尺寸
核心尺寸需根据要处理的功率、初级电感和饱和电流来选择。可使用近似公式[A{P}=10^{3}left[frac{L{P} I{rms( primary )}}{Delta T^{frac{1}{2}} cdot K{u} cdot B_{max }}right]^{1.316} quadleft[ cm^{4}right]]作为起点,最终选择了ETD34。
3.1.2 变压器损耗与气隙
根据法拉第定律,为避免磁芯饱和,可计算最小初级绕组匝数[N{p min }=frac{V{in min } cdot T{O(N, max )}}{Delta B cdot A{e}}=frac{250 cdot 10 mu}{0.200 cdot 97 mu}=117]。气隙长度可根据公式[I{g}= gaplenght =left(frac{A{L}}{K{1}}right)^{frac{1}{ K{2}}}]计算,已知(L{p}=1.56 mH)和(N{p}=120),可得气隙长度为1.63mm。在50kHz、220mT磁通偏移下,ETD34的功率损耗密度约为(300 mW / cm^{3}),总损耗约为2.29W。假设变压器效率为95%,铜损约为1.7W。
3.1.3 线径选择
要选择合适的线径,需知道初级和次级的均方根电流。已知(I{peak, primary }=1.6 A)和(I{peak, secondary }=16 A),可得(I{rms, primary }=0.65 A)和(I{rms, secondary }=6.53 A)。通过焦耳定律计算绕组电阻,再结合铜电阻率和平均绕组长度,可计算出线径。同时,为避免集肤效应,最大允许直径为0.5mm。最终确定变压器的各项规格,如匝数比、线径等。
3.2 其他参数计算
根据公式计算电压应力、反激电压、匝数比、导通时间、峰值电流和初级电感等参数。例如,电压应力公式为[V{off }=V{inmax }-V{fl }-V{spike }],匝数比(frac{N{p}}{N{s}}=frac{V{f l}}{V{out }+V{F, diode }}=frac{250}{24+1}=10),初级电感(L{P}=frac{V{d c min }^{2} T{onmax }^{2}}{2.5 T{S} P{OUT }}=1.56 mH),初级峰值电流(I{P}=frac{V{d c min } T{onmax }}{L{P}}=1.6 A)。
四、基极驱动电路设计
4.1 比例驱动方法
在开关电源等负载可变的应用中,集电极电流也会变化。采用比例驱动方法,通过电流互感器提供与集电极相关的基极电流,可避免低负载时器件过饱和,优化功耗性能。同时,利用电容和齐纳二极管提供短脉冲,加快导通速度,减少动态饱和现象。
4.2 电流互感器参数选择
选择电流互感器的匝数比为(frac{N{P}}{N{S}}=frac{1}{5}),磁芯磁导率应适中,选择相对磁导率在4500 - 7000的铁氧体材料。根据法拉第定律和最大磁通限制,计算初级匝数。同时,考虑磁化电感对变压器初级匝数和匝数比的影响,计算磁化电压降和磁化电流。
4.3 其他元件选择
选择合适的齐纳二极管、电容(C{b})和电阻(R{b})。(R{b})选择0.56Ω,可消除基极电流峰值后的振铃,且功耗可忽略。根据最小导通时间确定(t{peak}),进而计算(C{b})的值。齐纳二极管的选择需满足一定的经验公式,限制基极峰值电流的幅度和持续时间,避免器件过饱和。最终确定(N{TP}=2),匝数比为6,(C_{b}=220 nF),齐纳二极管为3V。
五、输出电路设计
5.1 输出电容选择
输出纹波主要由电解电容的串联电阻(ESR)引起,已知次级侧峰值电流为16A,要求电阻纹波为2%(0.48V),可得(ESR
5.2 输出二极管选择
根据基尔霍夫电压定律计算输出二极管的最大电压应力,增加10%的余量后,选择STPS20120D。
六、启动网络设计
6.1 电容预充电
为使电路在施加线电压时尽快启动,需对(C{5})和(C{8})电容进行预充电。通过直接连接到直流母线的电阻对(C{5})进行预充电,根据L6565驱动器的启动电流确定启动电阻的值,(left(R{1}+R{2}+R{3}+R{4}right)
6.2 电容值确定
(C{5})需能在转换器达到稳态之前为L6565驱动器供电,根据L6565的最小滞回电压和最大静态电流,可得(C{5}>frac{3.5 mA cdot 20 ms}{3.7 V} equiv 19 mu F),选择(C{5}=33 mu F)。最终确定启动电阻为四个200kΩ电阻串联,待机功耗小于1W。(C{8})通过与L6565的OUT引脚连接的二极管和2.2kΩ电阻进行预充电。
七、频率响应和环路补偿
7.1 传递函数
不连续电流模式(DCM)反激式转换器与L6565驱动器的传递函数为[G{1}(s)=frac{v{out (s)}}{v{comp(s)}}=frac{n cdot R{out } cdotleft(1-D{max }right)}{2 cdot R{S} cdotleft(1+D{max }right)} cdot frac{left(1+s cdot C{out } cdot E S Rright)left(1-s cdot frac{L{p} D{max }}{n^{2} R{out }left(1-D{max }right)^{2}}right)}{1+s cdot frac{C{out } R{out }}{1+D_{max }}}],传递函数有一个左半平面的极点和一个零点,以及一个右半平面的零点,右半平面零点难以补偿,需使其远离闭环带宽。
7.2 反馈网络设计
为实现良好的线路和负载调节,需要一个具有原点极点的反馈网络。选择合适的电阻和电容值,如(R{L}=R{22}=2.7 k Omega),(R{24}=1.5 k Omega),(C{11}=2.2 nF),(C{13}=10 nF),(R{21}=15 k),以满足频率响应要求,实现约90°的相位裕度和足够的闭环带宽。
八、效率、波形和实验结果
8.1 效率分析
不同输入电压下的整体效率随输出功率的变化如图所示。低输入电压时,总效率超过80%,在中高负载条件下接近85%。效率随输入电压升高而降低,但在最大输入电压下,负载高于30%时效率仍高于75%。
8.2 波形分析
通过演示板验证了理论假设,展示了不同输入电压和负载条件下的波形,包括栅极电压、基极电流和集电极电压等,直观地反映了转换器的工作状态。
九、电路板修改
9.1 修改原因
为利用SMD组件尺寸减小的优势,并插入具有更好初级电感和辅助绕组耦合的新变压器,发布了STEVAL - ISA019V2和STEVAL - ISA019V3的新版本。
9.2 修改内容
移除了J2连接器(倍压器),并在输入线路中串联了一个NTC电阻10R(EPCOS B57237S100M),以抑制大容量电容器充电时的过电流峰值。同时给出了新变压器的规格和电路板的丝印、铜轨等信息,还列出了详细的物料清单。
十、总结
通过对这款80W三相SMPS的设计分析,我们可以看到各个部分的设计相互关联,共同影响着电源的性能。从变压器的设计到驱动电路、输出电路、启动网络以及频率响应和环路补偿等方面,都需要精心考虑和计算。在实际应用中,工程师可以根据具体需求对设计进行调整和优化,以满足不同的工作条件和性能要求。你在实际设计中是否遇到过类似的问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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