0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

深入解析FDMS0306AS N - 通道PowerTrench® SyncFET™

lhl545545 2026-04-16 14:10 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

深入解析FDMS0306AS N - 通道PowerTrench® SyncFET™

一、前言

在电子工程领域,功率转换应用不断发展,对高性能功率器件的需求也日益增长。FDMS0306AS作为一款N - 通道PowerTrench® SyncFET™,以其出色的性能在市场中占据一席之地。本文将深入探讨该器件的特性、参数及典型应用,为电子工程师在设计中提供有价值的参考。

文件下载:FDMS0306AS-D.pdf

二、产品背景与命名变更

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求,Fairchild部分可订购的零件编号需要更改,原编号中的下划线(_)将改为短横线(-)。大家可通过ON Semiconductor官网(www.onsemi.com)核实更新后的器件编号。

三、FDMS0306AS特性

3.1 低导通电阻

  • 在(V{GS}=10V),(I{D}=26A)时,最大(r{DS(on)} = 2.4mΩ);在(V{GS}=4.5V),(I{D}=23A)时,最大(r{DS(on)} = 3.0mΩ)。这种低导通电阻特性可有效降低功率损耗,提高功率转换效率。

    3.2 先进的封装与硅技术结合

    先进的封装和硅技术结合,在保持出色开关性能的同时,实现了极低的(r_{DS(on)})。这一特性使得该器件在功率转换应用中表现卓越。

    3.3 SyncFET肖特基二极管

    集成了高效的单片肖特基体二极管,带来额外的性能优势,能提升整体电路的效率和稳定性。

    3.4 稳健的封装设计

    MSL1稳健封装设计,增强了器件的可靠性和稳定性,适应不同的工作环境。

    3.5 100% UIL测试

    经过100% UIL测试,确保了器件的质量和可靠性,让工程师在使用时更加放心。

    3.6 RoHS合规

    符合RoHS标准,符合环保要求,满足现代电子产品的绿色设计需求。

四、应用领域

4.1 同步整流

适用于DC/DC转换器的同步整流,可提高转换效率,减少能量损耗。

4.2 笔记本电脑

可作为笔记本Vcore/GPU低侧开关,为笔记本电脑的电源管理提供支持。

4.3 网络负载点

用于网络负载点低侧开关,保障网络设备的稳定供电。

4.4 电信二次侧整流

在电信二次侧整流中发挥作用,提高电信设备的电源性能。

五、电气参数

5.1 最大额定值

符号 参数 额定值 单位
(V_{DS}) 漏源电压 30 V
(V_{GS}) 栅源电压 ±20 V
(I_{D}) 漏极电流(连续,封装限制,(T_{C}=25^{circ}C)) 49 A
(I_{D}) 漏极电流(连续,硅限制,(T_{C}=25^{circ}C)) 128 A
(I_{D}) 漏极电流(连续,(T_{A}=25^{circ}C)) 26 A
(I_{D}) 漏极电流(脉冲) 100 A
(E_{AS}) 单脉冲雪崩能量 86 mJ
(P_{D}) 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) 59 W
(P_{D}) 功率耗散((T_{A}=25^{circ}C)) 2.5 W
(T{J}, T{STG}) 工作和存储结温范围 -55 至 +150 °C

5.2 热特性

符号 参数 单位
(R_{θJC}) 结到外壳热阻 2.1 °C/W
(R_{θJA}) 结到环境热阻(特定条件) 50 °C/W

5.3 电气特性

涵盖了关断特性、导通特性、动态特性、开关特性和漏源二极管特性等多个方面,为工程师提供了全面的器件性能信息。例如,关断特性中的漏源击穿电压(BV{DSS})在(I{D}=1mA),(V{GS}=0V)时为30V;导通特性中的栅源阈值电压(V{GS(th)})在(V{GS}=V{DS}),(I_{D}=1mA)时,最小值为1.2V,典型值为1.7V,最大值为3.0V。

六、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线,如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现,有助于工程师更好地理解和应用该器件。例如,从归一化导通电阻与结温的关系曲线中,我们可以看到随着结温的升高,导通电阻会发生变化,这对于设计散热方案和评估器件在不同温度环境下的性能非常重要。

七、封装与订购信息

FDMS0306AS采用Power 56封装,卷盘尺寸为13英寸,胶带宽度为12mm,每卷数量为3000个。器件标记为FDMS0306AS,方便工程师识别和订购。

八、注意事项

8.1 命名变更

注意Fairchild部分零件编号的变更,及时通过官网核实更新后的编号。

8.2 应用限制

ON Semiconductor产品不设计、不用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果用于非预期或未授权的应用,买家需承担相关责任。

8.3 参数验证

“典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也可能随时间变化。所有工作参数,包括“典型值”,都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

九、总结

FDMS0306AS N - 通道PowerTrench® SyncFET™凭借其低导通电阻、先进的封装和硅技术、肖特基体二极管等特性,在功率转换应用中具有显著优势。电子工程师在设计相关电路时,可以根据其电气参数和典型特性曲线,合理选择和使用该器件,同时要注意命名变更、应用限制和参数验证等问题。大家在实际应用中是否遇到过类似器件的使用难题呢?欢迎在评论区分享交流。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率转换
    +关注

    关注

    0

    文章

    137

    浏览量

    13846
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2207

    浏览量

    95445
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深入解析FDMS86550ET60 N沟道PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS86550ET60 N沟道PowerTrench® MOSFET 在电子工程师的日常工作中,MOSFET作为一种常用的电子元
    的头像 发表于 04-15 15:20 56次阅读

    深入解析FDMS86310 N-Channel PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS86310 N-Channel PowerTrench® MOSFET 一、前言 在电子设计领域,MOSFET 作为关键的功
    的头像 发表于 04-15 15:40 54次阅读

    深入解析FDMS86300 N - Channel PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS86300 N - Channel PowerTrench® MOSFET 一、引言 在电子工程领域,MOSFET作为关键的
    的头像 发表于 04-15 15:50 74次阅读

    深入解析FDMS8622 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS8622 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 在电子工程师的日常设计工作
    的头像 发表于 04-15 16:25 95次阅读

    深入解析FDMS86201 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS86201 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 一、前言 在电子工程领域
    的头像 发表于 04-15 16:35 101次阅读

    深入解析FDMS86105 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS86105 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 一、引言 在电子工程领域
    的头像 发表于 04-15 17:25 386次阅读

    深入剖析FDMS8050ET30 N - 通道PowerTrench® MOSFET

    深入剖析FDMS8050ET30 N - 通道PowerTrench® MOSFET 一、引言 在电子工程领域,MOSFET作为重要的功率器
    的头像 发表于 04-16 09:20 337次阅读

    深入解析FDMS7698 N - Channel PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS7698 N-Channel PowerTrench® MOSFET 在电子设计领域,MOSFET作为关键器件,其性能直接影
    的头像 发表于 04-16 09:50 331次阅读

    深入解析FDMS7694 N - Channel PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS7694 N - Channel PowerTrench® MOSFET 一、引言 在电子工程师的日常设计工作中,MOSFE
    的头像 发表于 04-16 09:50 330次阅读

    深入解析FDMS7650 N - Channel PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS7650 N - Channel PowerTrench® MOSFET 一、引言 在电子工程领域,MOSFET作为重要的功
    的头像 发表于 04-16 10:10 64次阅读

    深入解析FDMS7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET 在电子设计领域,MOSFET作为关键的功率器件,对电路
    的头像 发表于 04-16 10:15 73次阅读

    深入剖析FDMS0309AS N-Channel PowerTrench® SyncFET

    深入剖析FDMS0309AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 一、引言 在电子工程师的日常工作中,选择合适的
    的头像 发表于 04-16 13:55 64次阅读

    深入解析FDMS0300S N - 通道PowerTrench® SyncFET

    深入解析FDMS0300S N - 通道PowerTrench®
    的头像 发表于 04-16 14:10 51次阅读

    深入解析FDMS0308AS N - 通道PowerTrench® SyncFET

    深入解析FDMS0308AS N - 通道PowerTrench®
    的头像 发表于 04-16 14:10 47次阅读

    深入解析FDMS003N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    深入解析FDMS003N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 在电子工程领域,MO
    的头像 发表于 04-16 14:35 66次阅读