电子发烧友网报道(文/黄山明)2026年初,国内外功率半导体厂商密集发布涨价函,涨幅普遍10%起,高端料号更是达到20%以上,包括士兰微、宏微科技、新洁能、捷捷微电、华润微等,英飞凌、Vishay、安森美、ADI等国际大厂也相继调价。
此外,包括PMIC、MCU、隔离驱动等产品也在涨价,部分工业与汽车料号涨幅更是达到了30%-85%。而这股涨价的浪潮也开始影响到储能领域,不过好消息是,相比2021-2022年的全球芯片危机,当前储能行业由于提前备货和供应链管理改善,展现出较强的抗冲击能力。
储能领域迎来半导体涨价冲击
从今年半导体市场的涨价情况来看,一方面在于上游的铜、银等贵金属价格在上涨,例如铜的价格已经相较2025年上涨了35%左右,并且硅片、气体等其他工业原材料价格都在上涨。
另一方面也在于业界目前将主要目光放在了用于AI芯片的先进制程中,并且开始将产能向12英寸晶圆转移,而8英寸晶圆产线基本停止了扩张。但在功率器件和模拟芯片领域,它依然是性价比最高、技术最成熟的主流选择。
即便想要新建8英寸产业,但问题在于全球主要的8英寸晶圆制造设备早已停产,只能去购买二手设备,这就导致二手设备的价格已经被炒高到接近甚至超过新设备价格,且货源极度稀缺。
对于储能行业而言,随着全球能源转型加速,光伏逆变器和储能PCS对高压MOSFET和IGBT的需求呈指数级增长。储能用的功率器件与车规级器件共用同一条8英寸产线,当车企为了保交付而锁定产能时,储能订单往往被排后。
但是英飞凌、安森美、士兰微等厂商的交货期从正常的20周延长至50周以上,部分非车规级的工业级IGBT模块甚至出现了“有价无市”的情况。
而储能中需要大量的芯片产品,以PCS为例,作为储能系统中的核心,主要实现AC/DC、DC/AC双向变换,最重要的就是IGBT或SiC MOSFET模块。而BMS则主要依赖大量的AFE、ADC、隔离器件、运放、PMIC、MCU,EMC则依赖通信芯片、主控芯片等。
此外,储能系统中的温控、消防、显示屏、辅助电源等也会用到各类芯片,不过这些产品的价值相对较为分散。
因此我们可以用公开的成本结构做一个粗略计算,就以中国典型的电化学储能系统为例,其成本构成主要为电池(55%)、PCS(20%)、BMS+EMS(11%)、其他(14%)。
这意味着在当前半导体涨价及缺货的背景下,储能系统总成本将被普遍推高5%-15%。同时与电芯价格大幅波动的影响叠加,会让2024-2026年的储能成本下降趋势明显放缓甚至阶段性抬头。
当然,从好的方面来看,也会导致SiC MOSFET替代加速,尽管SiC器件价格仍高于硅基产品,但在高压大功率储能场景中,SiC的能效优势,使其成为缓解成本压力的长远选择。
并且也会推动国产替代加速,例如士兰微、宏微科技等国内厂商的涨价幅度相对可控,且供应稳定性优于海外大厂,推动储能厂商加速导入国产IGBT。
涨价潮会影响到全球储能市场吗?
据全球设备短缺检测平台MegaGrid Supply的数据显示,例如一台5MW PCS,由于受到IGBT模块短缺的影响,交货周期已经达到了36周,上涨了125%,价格从过去的38万美元左右,上涨至45万美元,涨幅约18%。
而1MW BMS同样受到半导体短缺影响,交期拉长到了20周,上涨了150%,价格涨至5.8万美元,涨幅约29%。而4MW组串式大型电站逆变器同样因为IGBT的短缺,交期达到了28周,上涨133%,价格也来到了34万美元,涨幅约19%。
从目前的公开数据来看,当前的半导体短缺更多是成本与节奏的问题,而不是需求天花板的问题,据Energy-Storage报道,2024-2025年储能系统价格连续两年大幅下降,但2026年起,在锂价反弹、出口退税调整等因素下,储能系统价格开始出现抬头迹象,项目端普遍反馈成本压力加大。
有行业研报指出,PCS成本约占系统成本15%-20%,而IGBT/MOSFET涨价10%-20%,会令PCS成本上升3%-6%,对系统成本造成1%-2%的直接抬升。
这对于国内的储能系统集成商而言,PCS和BMS成本的抬升,在如今竞争激烈的市场背景下,要么涨价可能损失订单,要么只能压缩利润空间。
并且这轮涨价潮对于储能市场的参与者影响也各不相同,头部的储能系统集成商由于具有更强的议价能力、长期订单锁价,甚至可以反向参与到IGBT厂商扩产合作中,收到冲击相对可控。
但对于中小EPC或者项目开发商来说,在这轮涨价潮中,要么接受更高的设备价格,要么延后项目投运或者更换二线供应商,但可能带来可靠性风险。
而对于那些电网公司、工商业用户、独立储能电站投资方终端业主来说,项目IRR可能会在原有基础上下降1-3个百分点,部分边界项目可能会被推迟或者取消,但政策支持会部分对冲成本上升。
值得注意的是,8英寸产能受限是结构性的,短期内(2026年内)难以根本缓解,因此对储能行业而言,这不会是暂时的波动,而是未来1-2年的常态。储能系统的非电芯成本中,电力电子的占比将因为芯片涨价而显著提升,有可能会抵消电芯价格下跌带来的红利。
在8英寸晶圆难以扩产的情况下,行业应该加速基于12英寸晶圆制造的新一代功率器件,虽然初期成本高,但长远来看产能更加充裕,或者加速采用SiC方案,部分SiC产线是独立的6英寸或正在向8英寸过渡,受传统8英寸拥堵影响稍小。也可以更多导入国产二、三线芯片厂商的产品,以换取产能保障和价格谈判空间。
小结
总体来看,半导体涨价和缺货,对全球储能市场是显著的供给侧冲击,抬升了成本、拖慢了项目节奏,但不足以改变储能中长期高速增长的大方向。对具体企业来说,谁能更好管理半导体供应链,谁的盈利和扩张节奏就更稳健。
此外,包括PMIC、MCU、隔离驱动等产品也在涨价,部分工业与汽车料号涨幅更是达到了30%-85%。而这股涨价的浪潮也开始影响到储能领域,不过好消息是,相比2021-2022年的全球芯片危机,当前储能行业由于提前备货和供应链管理改善,展现出较强的抗冲击能力。
储能领域迎来半导体涨价冲击
从今年半导体市场的涨价情况来看,一方面在于上游的铜、银等贵金属价格在上涨,例如铜的价格已经相较2025年上涨了35%左右,并且硅片、气体等其他工业原材料价格都在上涨。
另一方面也在于业界目前将主要目光放在了用于AI芯片的先进制程中,并且开始将产能向12英寸晶圆转移,而8英寸晶圆产线基本停止了扩张。但在功率器件和模拟芯片领域,它依然是性价比最高、技术最成熟的主流选择。
即便想要新建8英寸产业,但问题在于全球主要的8英寸晶圆制造设备早已停产,只能去购买二手设备,这就导致二手设备的价格已经被炒高到接近甚至超过新设备价格,且货源极度稀缺。
对于储能行业而言,随着全球能源转型加速,光伏逆变器和储能PCS对高压MOSFET和IGBT的需求呈指数级增长。储能用的功率器件与车规级器件共用同一条8英寸产线,当车企为了保交付而锁定产能时,储能订单往往被排后。
但是英飞凌、安森美、士兰微等厂商的交货期从正常的20周延长至50周以上,部分非车规级的工业级IGBT模块甚至出现了“有价无市”的情况。
而储能中需要大量的芯片产品,以PCS为例,作为储能系统中的核心,主要实现AC/DC、DC/AC双向变换,最重要的就是IGBT或SiC MOSFET模块。而BMS则主要依赖大量的AFE、ADC、隔离器件、运放、PMIC、MCU,EMC则依赖通信芯片、主控芯片等。
此外,储能系统中的温控、消防、显示屏、辅助电源等也会用到各类芯片,不过这些产品的价值相对较为分散。
因此我们可以用公开的成本结构做一个粗略计算,就以中国典型的电化学储能系统为例,其成本构成主要为电池(55%)、PCS(20%)、BMS+EMS(11%)、其他(14%)。
这意味着在当前半导体涨价及缺货的背景下,储能系统总成本将被普遍推高5%-15%。同时与电芯价格大幅波动的影响叠加,会让2024-2026年的储能成本下降趋势明显放缓甚至阶段性抬头。
当然,从好的方面来看,也会导致SiC MOSFET替代加速,尽管SiC器件价格仍高于硅基产品,但在高压大功率储能场景中,SiC的能效优势,使其成为缓解成本压力的长远选择。
并且也会推动国产替代加速,例如士兰微、宏微科技等国内厂商的涨价幅度相对可控,且供应稳定性优于海外大厂,推动储能厂商加速导入国产IGBT。
涨价潮会影响到全球储能市场吗?
据全球设备短缺检测平台MegaGrid Supply的数据显示,例如一台5MW PCS,由于受到IGBT模块短缺的影响,交货周期已经达到了36周,上涨了125%,价格从过去的38万美元左右,上涨至45万美元,涨幅约18%。
而1MW BMS同样受到半导体短缺影响,交期拉长到了20周,上涨了150%,价格涨至5.8万美元,涨幅约29%。而4MW组串式大型电站逆变器同样因为IGBT的短缺,交期达到了28周,上涨133%,价格也来到了34万美元,涨幅约19%。
从目前的公开数据来看,当前的半导体短缺更多是成本与节奏的问题,而不是需求天花板的问题,据Energy-Storage报道,2024-2025年储能系统价格连续两年大幅下降,但2026年起,在锂价反弹、出口退税调整等因素下,储能系统价格开始出现抬头迹象,项目端普遍反馈成本压力加大。
有行业研报指出,PCS成本约占系统成本15%-20%,而IGBT/MOSFET涨价10%-20%,会令PCS成本上升3%-6%,对系统成本造成1%-2%的直接抬升。
这对于国内的储能系统集成商而言,PCS和BMS成本的抬升,在如今竞争激烈的市场背景下,要么涨价可能损失订单,要么只能压缩利润空间。
并且这轮涨价潮对于储能市场的参与者影响也各不相同,头部的储能系统集成商由于具有更强的议价能力、长期订单锁价,甚至可以反向参与到IGBT厂商扩产合作中,收到冲击相对可控。
但对于中小EPC或者项目开发商来说,在这轮涨价潮中,要么接受更高的设备价格,要么延后项目投运或者更换二线供应商,但可能带来可靠性风险。
而对于那些电网公司、工商业用户、独立储能电站投资方终端业主来说,项目IRR可能会在原有基础上下降1-3个百分点,部分边界项目可能会被推迟或者取消,但政策支持会部分对冲成本上升。
值得注意的是,8英寸产能受限是结构性的,短期内(2026年内)难以根本缓解,因此对储能行业而言,这不会是暂时的波动,而是未来1-2年的常态。储能系统的非电芯成本中,电力电子的占比将因为芯片涨价而显著提升,有可能会抵消电芯价格下跌带来的红利。
在8英寸晶圆难以扩产的情况下,行业应该加速基于12英寸晶圆制造的新一代功率器件,虽然初期成本高,但长远来看产能更加充裕,或者加速采用SiC方案,部分SiC产线是独立的6英寸或正在向8英寸过渡,受传统8英寸拥堵影响稍小。也可以更多导入国产二、三线芯片厂商的产品,以换取产能保障和价格谈判空间。
小结
总体来看,半导体涨价和缺货,对全球储能市场是显著的供给侧冲击,抬升了成本、拖慢了项目节奏,但不足以改变储能中长期高速增长的大方向。对具体企业来说,谁能更好管理半导体供应链,谁的盈利和扩张节奏就更稳健。
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