深入解析FQP8N80C/FQPF8N80C/FQPF8N80CYDTU N - 通道QFET® MOSFET

一、引言

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是一种常见且关键的电子元件。今天我们要详细探讨的是Fairchild Semiconductor的FQP8N80C、FQPF8N80C和FQPF8N80CYDTU这三款N - 通道QFET® MOSFET。随着Fairchild Semiconductor被ON Semiconductor整合，我们在使用这些元件时也需要注意一些变化。

文件下载：FQPF8N80C-D.pdf

二、整合相关注意事项

由于Fairchild Semiconductor与ON Semiconductor的整合，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改以符合ON Semiconductor的系统要求。因为ON Semiconductor的产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名，所以Fairchild零件编号中的下划线（）将更改为破折号（ - ）。在查阅文档时，若文档中包含带有下划线（_）的设备编号，需到ON Semiconductor网站核实更新后的设备编号。

三、产品概述

（一）基本信息

这三款N - 通道增强型功率MOSFET采用了Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，旨在降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。它们适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。

（二）主要特性

1. 电气参数：在(V{GS}=10V)、(I{D}=4.0A)的条件下，最大漏源导通电阻(R_{DS(on)} = 1.55Ω)，漏极电流可达8.0A，耐压为800V。
2. 低电荷与电容：典型栅极电荷为35nC，典型反向传输电容(C_{rss})为13pF，有助于降低开关损耗。
3. 雪崩测试：经过100%雪崩测试，保证了在雪崩情况下的可靠性。

四、产品参数

（一）绝对最大额定值

Symbol	Parameter	FQP8N80C	FQPF8N80C	Unit
(V_{DSS})	漏源电压	800		V
(I{D})（(T{C}=25°C)）	连续漏极电流	8	8*	A
(I{D})（(T{C}=100°C)）	连续漏极电流	5.1	5.1*	A
(I_{DM})	脉冲漏极电流	32	32*	A
(V_{GSS})	栅源电压	±30		V
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	850		mJ
(I_{AR})	雪崩电流	8		A
(E_{AR})	重复雪崩能量	17.8		mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复(dv/dt)	4.5		V/ns
(P{D})（(T{C}=25°C)）	功率耗散	178		W
	降额系数	1.43	0.48	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55 to +150		°C
(T_{L})	焊接时最大引脚温度	300		°C

注：*漏极电流受最大结温限制。

（二）热特性

Symbol	Parameter	FQP8N80C	FQPF8N80C	Unit
(R_{θJC})	结到壳的热阻（最大）	0.89	2.66	°C / W
(R_{θCS})	壳到散热器的热阻（典型，最大）	0.5	--	°C / W
(R_{θJA})	结到环境的热阻（最大）	62.5	62.5	°C / W

（三）电气特性

1. 关断特性：包括漏源击穿电压(BV{DSS})、击穿电压温度系数(Delta BV{DSS})、零栅压漏极电流(I{DSS})、栅体正向和反向泄漏电流(I{GSSF})和(I_{GSSR})等参数。
2. 导通特性：栅极阈值电压(V{GS(th)})、静态漏源导通电阻(R{DS(on)})、正向跨导(g_{fs})等。
3. 动态特性：输入电容(C{iss})、输出电容(C{oss})、反向传输电容(C_{rss})等。
4. 开关特性：包括导通延迟时间(t{d(on)})、导通上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(off)})、关断下降时间(t{f})以及栅极总电荷(Q{g})、栅漏电荷(Q{gd})、栅源电荷(Q_{gs})等。
5. 漏源二极管特性：最大连续漏源二极管正向电流(I{S})、最大脉冲漏源二极管正向电流(I{SM})、漏源二极管正向电压(V{SD})、反向恢复时间(t{rr})和反向恢复电荷(Q_{rr})等。

五、典型特性

文档中给出了多个典型特性图，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随壳温的变化、瞬态热响应曲线等。这些特性图对于工程师在实际设计中评估器件性能和进行参数优化非常有帮助。

六、封装与订购信息

Part Number	Top Mark	Package	Packing Method	Reel Size	Tape Width	Quantity
FQP8N80C	FQP8N80C	TO - 220	Tube	N/A	N/A	50 units
FQPF8N80C	FQPF8N80C	TO - 220F	Tube	N/A	N/A	50 units
FQPF8N80CYDTU	FQPF8N80C (Y - formed)	TO - 220F	Tube	N/A	N/A	50 units

七、注意事项

（一）使用限制

ON Semiconductor产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备，以及任何打算植入人体的设备。若买方将产品用于此类未预期或未授权的应用，需承担相关责任。

（二）产品状态定义

不同的数据表标识对应不同的产品状态，如“Advance Information”表示产品处于设计阶段，规格可能随时更改；“Preliminary”表示首次生产，数据为初步数据；“No Identification Needed”表示全面生产，规格为最终规格，但仍可能更改；“Obsolete”表示产品已停产，数据表仅作参考。

（三）反假冒政策

Fairchild Semiconductor采取了强有力的措施来保护自身和客户免受假冒零件的侵害。建议客户直接从Fairchild或其授权经销商处购买产品，以确保产品的真实性、可追溯性和质量。

八、总结

FQP8N80C、FQPF8N80C和FQPF8N80CYDTU这三款N - 通道QFET® MOSFET具有出色的性能和广泛的应用前景。在使用过程中，电子工程师需要关注整合带来的零件编号变化，同时严格遵守产品的使用限制和注意事项。通过对产品参数和典型特性的深入了解，工程师可以更好地将这些器件应用到实际设计中，实现更高效、可靠的电路设计。你在使用这些MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。