探索 onsemi FQAF11N90C N 沟道 MOSFET：特性、参数与应用

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着电源、照明等众多应用的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 FQAF11N90C N 沟道增强型功率 MOSFET。

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产品概述

FQAF11N90C 采用 onsemi 专有的平面条纹和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别优化，旨在降低导通电阻，同时提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）以及电子灯镇流器等应用。

关键特性

电气性能

• 额定参数：具备 7.0 A 的连续漏极电流和 900 V 的漏源电压，在 VGS = 10 V、ID = 3.5 A 时，最大导通电阻 RDS(on) 为 1.1Ω。
• 低栅极电荷：典型栅极电荷仅为 60 nC，有助于降低开关损耗，提高开关速度。
• 低 Crss：典型反向传输电容 Crss 为 23 pF，可减少米勒效应，提升开关性能。
• 雪崩测试：经过 100% 雪崩测试，保证了器件在雪崩状态下的可靠性。

热特性

• 热阻：结到外壳的最大热阻 RθJC 为 1.04°C/W，结到环境的最大热阻 RθJA 为 40°C/W，良好的热性能有助于器件在高温环境下稳定工作。

绝对最大额定值

在使用 FQAF11N90C 时，必须严格遵守其绝对最大额定值，以避免器件损坏。以下是一些关键的额定参数：	参数	数值	单位
漏源电压 VDSS	900	V
连续漏极电流 ID（TC = 25°C）	7.0	A
连续漏极电流 ID（TC = 100°C）	4.4	A
脉冲漏极电流 IDM	28.0	A
栅源电压 VGSS	±30	V
单脉冲雪崩能量 EAS	960	mJ
雪崩电流 IAR	7.0	A
重复雪崩能量 EAR	12	mJ
峰值二极管恢复 dv/dt	4.0	V/ns
功率耗散 PD（TC = 25°C）	120	W
功率耗散降额系数	0.96	W/°C
工作和存储温度范围 TJ, TSTG	-55 至 +150	°C
焊接时引脚最大温度 TL	300	°C

需要注意的是，超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 BVDSS：在 VGS = 0 V、ID = 250 μA 时，为 900 V。
• 击穿电压温度系数 ΔBVDSS/ΔTJ：在 ID = 250 μA 时，参考 25°C 为 1.00 V/°C。
• 零栅压漏极电流 IDSS：在 VDS = 900 V、VGS = 0 V 时为 10 μA，在 VDS = 720 V、TC = 125°C 时为 100 μA。
• 栅体正向和反向泄漏电流 IGSSF 和 IGSSR：分别为 100 nA 和 -100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 VGS(th)：在 VDS = VGS、ID = 250 μA 时，范围为 3.0 至 5.0 V。
• 静态漏源导通电阻 RDS(on)：在 VGS = 10 V、ID = 3.5 A 时，范围为 0.91 至 1.1Ω。
• 正向跨导 gFs：在 VDS = 50 V、ID = 3.5 A 时给出相关参数。

动态特性

• 输入电容 Ciss：在 VDS = 25 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz 时，范围为 2530 至 3290 pF。
• 输出电容 Coss：范围为 215 至 280 pF。
• 反向传输电容 Crss：范围为 23 至 30 pF。

开关特性

• 导通延迟时间 td(on)：在 VDD = 450 V、ID = 11.0 A 时，范围为 60 至 130 ns。
• 导通上升时间 tr：在 RG = 25Ω 时，范围为 130 至 270 ns。
• 关断延迟时间 td(off)：范围为 130 至 270 ns。
• 关断下降时间 tf：范围为 85 至 180 ns。
• 总栅极电荷 Qg：在 VDS = 720 V、ID = 11.0 A 时，范围为 60 至 80 nC。
• 栅源电荷 Qgs：在 VGS = 10 V 时为 13 nC。
• 栅漏电荷 Qgd：为 25 nC。

漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流 IS：为 7.0 A。
• 最大脉冲漏源二极管正向电流 ISM：为 28.0 A。
• 漏源二极管正向电压 VSD：在 VGS = 0 V、IS = 7.0 A 时为 1.4 V。
• 反向恢复时间 trr：在 VGS = 0 V、IS = 11.0 A、dIF/dt = 100 A/μs 时为 1000 ns。
• 反向恢复电荷 Qrr：为 17.0 μC。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现。

封装与订购信息

FQAF11N90C 采用 TO - 3PF（无铅）封装，每管装 30 个器件。

总结

onsemi 的 FQAF11N90C N 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量强度，在开关模式电源、PFC 和电子灯镇流器等应用中具有很大的优势。工程师在设计时，应充分考虑其各项参数和特性，确保器件在合适的工作条件下发挥最佳性能。同时，要严格遵守绝对最大额定值，以保障器件的可靠性和使用寿命。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。