从“保安”到“大脑”，储能BMS已完成颠覆性进化

电子发烧友网报道（文/黄山明）在人工智能与边缘计算驱动数据架构全面重塑的2026年，存储技术正加速向高可靠性、低功耗及车规级严苛标准演进。然而，面对算力需求指数级跃升带来的全新挑战，如何进一步夯实底层技术根基、优化全链路能效比并构建更具韧性的供应链生态，已成为行业持续高质量发展的核心议题。

为此，在近期上海举办的半导体论坛上，东芯半导体主动破局，深度探讨如何通过底层技术优化与全链路能效提升，为产业构建自主可控的存储生态共同体。

构建自主可控的存储生态共同体

全球存储市场规模持续快速增长，据东芯半导体潘惠忠分享，预计2026年突破2470亿美元，国内市场更有望达到4888亿元。包括消费电子、网通电子、汽车电子等应用的多元化，都在带动存储芯片需求增长。

并且随着数据量的爆炸式增长、应用场景的不断丰富以及用户对性能、成本、安全和效率要求的提升，传统的单一存储架构已经难以满足现代业务需求。

不过东芯半导体并未盲目追逐产能扩张，而是选择了一条“向内深耕”的精细化发展之路。通过不断深入了解市场需求，接受客户反馈，建立了从研发到转化再到创新的技术发展循环。

作为国内少数能够同时提供NAND、NOR、DRAM全品类设计工艺的企业，东芯半导体坚持Fabless模式下的自主创新。在核心技术上，公司1xnm NAND Flash产品已实现量产，NOR Flash推进至48nm工艺，DRAM产品线亦在DDR3、LPDDR4等领域不断完善布局。

针对物联网及汽车电子的严苛环境，东芯半导体构建了六大产品结构，涵盖SPINAND Flash、PPI NAND Flash、DDR3（L）、SPI NOR Flash、LPDDR1/2/4X及MCP等，产品在宽温范围、高传输速率及低功耗方面表现优异。

尤为值得一提的是，东芯半导体通过积极拓展境内外双代工模式，实现了从设计到产业化的一站式解决方案，有力地保障了产业链的安全与稳定。

在夯实存储主业的基础上，东芯半导体积极“向外探索”，向高附加值的车规级应用领域迈进。目前，公司的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP等产品已有多个料号通过AEC-Q100车规级验证，并成功导入多家国内整车厂白名单及海外Tier1供应链，广泛应用于车载娱乐系统、激光雷达、T-BOX及ADAS等核心场景。

更具前瞻性的是，东芯半导体围绕“存、算、联”一体化进行生态布局。通过对砺算科技及上海亿芯通感的投资，公司成功切入GPU芯片与Wi-Fi芯片领域。

据介绍，其首款自研GPU芯片“7G100”已于2025年流片成功，Wi-Fi7无线通信芯片研发也在持续推进，并已经完成原型机样片测试。这种以存储为核心，向算力与连接领域辐射的生态战略，为东芯半导体在AI与万物互联时代的竞争提供了差异化优势。

从深耕中小容量存储技术，到布局“存、算、联”一体化生态，东芯半导体正通过技术创新与产业链协同，积极响应国产替代与产业升级的号召。未来，东芯半导体将继续以市场需求为导向，通过构建自主可控的存储生态共同体，为数字经济的稳健发展提供坚实的底层支撑。

年度存储器产品

值得一提的是，本次东芯半导体荣获中国IC设计成就奖之年度存储器，获奖产品为DS25M4CB-16A1B8。这是一款SPI NOR Flash，基于55nm工艺制程，容量为512Mbit（64MB）。

性能上，采用1.8V供电，相比传统3.3V NOR Flash，功耗更低，适合电池供电及对功耗敏感的可穿戴、移动终端等应用。工作温度为-40°C~125°C，覆盖工业级乃至车规级温度范围。

具备最高166MHz时钟，在SPI NOR Flash中属于较高速度档次，有利于提升代码执行和数据吞吐速率。

还支持Single SPI，兼容传统SPI主控，支持Dual/Quad SPI，可通过多线传输提升带宽，也支持QPI，全部四线用于指令与地址，进一步提升命令、数据传输效率。

具备DTR（Double Transfer Rate）模式，能够在时钟上升沿和下降沿均进行数据传输，在不提高时钟频率的情况下，可将有效数据吞吐量翻倍。

这些功能的加入，对于需要从NOR Flash 直接运行代码的MCU或SoC而言，能够有效减少启动时间、提升实时响应能力。目前该款产品已通过AEC-Q100测试，对于国产替代与供应链安全诉求较强的整车厂与Tier1，这类本土车规级存储芯片是重要的备选方案。

此外，在本次公开活动中，东芯半导体还展示了全系列存储产品，例如SPINAND Flash，单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。

产品可提供1.8V/3.3V两种电压，具备WSON、BGA、LGA多种封装形式，不仅能满足常规应用场景，使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长设备的待机时间，也更灵活地适用于不同应用场景。

同时，现场还展示了东芯的DDR3（L）产品，具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品。

在MCP系列产品上，具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2/LPDDR4X多种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。

总结

从对市场趋势的敏锐洞察，到全品类技术布局的扎实落地，东芯半导体展示的不仅是技术成果，更是一种“长期主义”的研发哲学。在万物互联的智能时代，东芯半导体正以自主可控的核心设计能力，回应着产业对高品质存储的迫切需求，与全球合作伙伴共同探索存储技术的无限可能。