探索DS1080L:低抖动扩频晶体倍增器的卓越性能
在电子设计领域,时钟发生器是众多设备正常运行的关键组件。今天,我们将深入探讨Maxim Integrated推出的DS1080L低抖动扩频晶体倍增器,了解它的特性、应用以及设计要点。
文件下载:DS1080L.pdf
一、DS1080L概述
DS1080L是一款基于晶体的时钟发生器,集成了锁相环(PLL),能够产生16MHz至134MHz的扩频时钟输出。它具有引脚可编程功能,可选择时钟倍增率和抖动幅度,还具备扩频禁用模式和掉电模式以节省功耗。
二、主要特性
1. 宽频率范围
能够生成16MHz至134MHz的扩频时钟,满足多种应用需求。
2. 可选时钟倍增率
提供1x、2x和4x的时钟倍增率选择,灵活性高。
3. 中心扩频抖动
支持中心扩频抖动,可有效降低电磁干扰(EMI)。
4. 可选扩频调制幅度
提供±0.5%、±1.0%和±1.5%的扩频调制幅度选择,满足不同的EMI抑制需求。
5. 低周期抖动
具有低周期抖动特性,确保时钟信号的稳定性。
6. 掉电模式
具备掉电模式,输出为高阻抗,功耗低。
7. 单电源供电
支持3.0V至3.6V的单电源供电,适用于多种电源环境。
8. 宽温度范围
可在-40°C至+125°C的温度范围内正常工作,适应恶劣环境。
9. 小封装
采用8引脚µSOP封装,节省电路板空间。
三、应用领域
DS1080L广泛应用于多个领域,包括:
- 汽车:为汽车电子系统提供稳定的时钟信号。
- 电缆调制解调器:确保数据传输的准确性。
- 手机:满足手机高速数据处理的时钟需求。
- 计算机外设:如鼠标、键盘等,提供可靠的时钟支持。
- 复印机:保证复印过程的稳定性。
- 信息娱乐系统:为音频、视频处理提供精确的时钟。
- 个人电脑:用于主板、显卡等组件的时钟生成。
- 打印机:确保打印质量和速度。
四、电气特性
1. 绝对最大额定值
- VCC相对GND的电压范围为-0.3V至+4.3V。
- 任何引脚相对GND的电压范围为-0.3V至(VCC + 0.3V),但不超过+4.3V。
- 连续功耗(TA = +70°C):µSOP封装为362mW(70°C以上每升高1°C降额4.5mW)。
2. 推荐工作条件
- 电源电压(Vcc):3.0V至3.6V。
- 输入逻辑1(VIH):0.8x Vcc至Voc + 0.3V。
- 输入逻辑0(VIL):VGND - 0.3V至0.2x Vcc。
- 输入逻辑开路(IIF):±1uA。
- 输入泄漏电流(IIL):±80uA。
- SSO负载电容(CssO):根据不同频率范围有所不同。
- 晶体或时钟输入频率(fIN):16.0MHz至33.4MHz。
- 晶体ESR(XESR):不超过90Ω。
- 时钟输入占空比(FINDC):40%至60%。
- 晶体并联负载电容(CL):不超过18pF。
3. 直流电气特性
- 电源电流(ICC1):CSSO = 15pF,SSO = 16MHz时为15mA。
- 掉电电流(ICCQ):PDN = GND,所有输入引脚开路时为200µA。
- 输出泄漏电流(IOZ):PDN = GND时为-1至+1µA。
- 低电平输出电压(VOL):IOL = 4mA时为0.4V。
- 高电平输出电压(VOH):IOH = -4mA时为2.4V。
- 输入电容(CIN):5pF。
4. 交流电气特性
- SSO占空比(SSODC):根据CMSEL输入状态不同有所不同。
- 上升时间(tR):1.6ns。
- 下降时间(tF):1.6ns。
- 峰值周期抖动(tJ):fSSO = 16MHz,TA = -40至+85°C,10,000个周期时为75ps。
- 上电时间(tPOR):PDN引脚,16MHz时为20ms,33.4MHz时为11ms。
- 掉电时间(tPDN):PDN引脚为100ns。
- 抖动率(fDITHER):fIN/992。
五、引脚描述
| 引脚名称 | 功能 |
|---|---|
| X1 | 晶体驱动/时钟输入。可连接晶体或时钟信号。 |
| GND | 信号地 |
| CMSEL | 时钟倍增选择。三电平数字输入,0 = 1x,开路 = 2x,1 = 4x |
| SMSEL | 扩频幅度选择。三电平数字输入,0 = ±0.5%,开路 = ±1.0%,1 = ±1.5% |
| PDN | 掉电/扩频禁用。三电平数字输入,0 = 掉电/SSO三态,开路 = 上电/扩频禁用,1 = 上电/扩频启用 |
| SSO | 扩频时钟倍增输出。输出晶体或时钟信号的1x、2x或4x扩频版本。 |
| VCC | 电源电压 |
| X2 | 如果时钟连接到X1,X2应开路。晶体驱动输出。 |
六、设计要点
1. 晶体选择
DS1080L需要一个工作在基模的并联谐振晶体,ESR小于90Ω。晶体应尽可能靠近器件放置,以减少寄生电容的影响。
2. 振荡器输入
当使用外部振荡器时钟驱动DS1080L时,应将输入(X1)视为高阻抗。
3. 晶体电容选择
负载电容CL1和CL2应根据晶体规格进行选择。晶体并联负载电容可通过以下公式计算: [C{L}=frac{C{L 1} × C{L 2}}{C{L 1}+C{L 2}}+C{I N}] 对于DS1080L,可令CL1 = CL2 = CLX,则公式简化为: [C{L}=frac{C{L X}}{2}+C_{I N}]
4. 电源去耦
为了获得最佳性能,建议在IC电源引脚上使用去耦电容。典型的去耦电容值为0.001µF和0.1µF,应使用高质量的陶瓷表面贴装电容,并尽可能靠近IC的VCC和GND引脚安装,以减少引线电感。
5. 布局考虑
晶体应靠近器件放置,以减少寄生电容的影响。同时,应注意减少可能作为编程选项开路的引脚(SMSEL和CMSEL)的负载,以及时钟输入的耦合。
七、总结
DS1080L作为一款低抖动扩频晶体倍增器,具有宽频率范围、可选时钟倍增率、低周期抖动等优点,适用于多种应用领域。在设计过程中,需要注意晶体选择、电容选择、电源去耦和布局等方面,以确保其性能的发挥。希望本文能为电子工程师在使用DS1080L进行设计时提供有价值的参考。你在使用DS1080L过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享。
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