SGM64200:双输出或双相同步降压控制器的深度解析
在电子设计领域,电源管理是一个至关重要的环节。今天,我们将深入探讨SGM64200这款双输出或双相同步降压控制器,它在服务器、电信基站、网络交换机和路由器等众多领域都有广泛的应用。
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一、产品概述
SGM64200集成了两个同步降压控制器,可配置为两个独立的单相输出或一个双相输出。通过外部引脚,还能将两个设备以主从模式连接,提供四个单相输出或两个双相输出,并且可以调整连接设备的开关相位,实现四相交错。该设备的输入电压范围为3V至20V,具有0.6V的精确参考电压。
1.1 主要特性
- 灵活的输出配置:支持两个单相或一个双相输出,满足不同应用需求。
- 同步功能:SYNC引脚具有单周期时钟恢复功能,PHASE引脚可实现0°/180°或90°/270°操作。
- 主从模式:两个设备可工作在主从模式,拓展输出能力。
- 宽输入电压范围:3V至20V的输入电压范围,适应多种电源环境。
- 精确参考电压:600mV的精确参考电压,精度为±0.75%。
- 可调输出电压:输出电压可在0.6V至5.4V之间调节。
- 可调频率:开关频率可在100kHz至1MHz之间调节。
- 多种保护功能:具备过流、过压、欠压保护以及热关断保护等功能。
二、引脚配置与功能
2.1 引脚配置
| SGM64200采用TQFN - 5×5 - 32AL封装,其引脚配置如下: | 引脚 | 名称 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | SYNC | 主模式下输出内部2倍自由运行时钟,从模式下可同步到外部时钟 | |
| 2 | FREQ | 通过连接电阻到AGND设置内部自由运行时钟 | |
| 3 | EN1 | 控制CH1的启动和停止,可实现软启动 | |
| 4 | FB1 | CH1误差放大器的反相输入 | |
| 5 | COMP1 | CH1误差放大器的输出 | |
| 6 | AGND | 模拟地 | |
| 7 | COMP2 | CH2误差放大器的输出,双相操作时连接到COMP1 | |
| 8 | FB2 | CH2误差放大器的反相输入,双相操作时连接到VDD6V | |
| 9 | ROUT | 远程感应差分放大器的输出 | |
| 10 | EN2/RGND | 控制CH2的启动和停止,双相操作时作为远程感应差分放大器的负输入 | |
| 11 | OCTH2/RSNS | 调节CH2的过流限制,双相模式下作为远程感应差分放大器的正输入 | |
| 12 | ISNS2 - | CH2电流检测放大器的负输入 | |
| 13 | ISNS2 + | CH2电流检测放大器的正输入 | |
| 14 | PG2 | CH2的开漏电源良好输出 | |
| 15 | BST2 | CH2高端驱动器的自举电源 | |
| 16 | HS2 | CH2高端驱动器的输出 | |
| 17 | SW2 | CH2高端驱动器的返回路径 | |
| 18 | LS2 | CH2低端驱动器的输出 | |
| 19 | PGND2 | CH2的功率地和低端驱动器的返回路径 | |
| 20 | VDD6V | 内部6V稳压器的输出 | |
| 21 | PGND1 | CH1的功率地和低端驱动器的返回路径 | |
| 22 | LS1 | CH1低端驱动器的输出 | |
| 23 | SW1 | CH1高端驱动器的返回路径 | |
| 24 | HS1 | CH1高端驱动器的输出 | |
| 25 | BST1 | CH1高端驱动器的自举电源 | |
| 26 | VIN | 设备的电源输入 | |
| 27 | PG1 | CH1的开漏电源良好输出 | |
| 28 | ISNS1 + | CH1电流检测放大器的正输入 | |
| 29 | ISNS1 - | CH1电流检测放大器的负输入 | |
| 30 | OCTH1 | 调节CH1的过流限制,双相模式下也可调节过流限制 | |
| 31 | VINS | 通过电阻分压器连接到电源电压,控制设备的最小工作电压 | |
| 32 | PHASE | 设置主从模式和选择工作相位 | |
| - | 外露焊盘 | 热外露焊盘,连接到PCB的接地层,是芯片的主要散热路径 |
2.2 引脚功能详解
- 同步引脚(SYNC):在主模式下,SYNC引脚输出内部2倍自由运行时钟,占空比为50%。在从模式下,设备可以同步到外部时钟,外部时钟频率范围为内部2倍自由运行时钟的±20%。
- 频率设置引脚(FREQ):通过连接电阻到AGND来设置内部自由运行时钟,该引脚通常调节在0.8V。
- 使能引脚(EN1、EN2/RGND):用于控制相应通道的启动和停止,通过连接电容到AGND可以实现软启动功能。
- 反馈引脚(FB1、FB2):误差放大器的反相输入,当输出电压稳定时,该引脚电压应为0.6V。
- 过流阈值引脚(OCTH1、OCTH2/RSNS):通过连接电阻到AGND来调节相应通道的过流限制。
三、电气特性
3.1 输入电源特性
- 输入电压范围:3V至20V,满足大多数应用的电源需求。
- 关断电流:当EN1/EN2为0V时,关断电流为170至240µA。
- 静态电流:非开关状态下,当VFB = 0.65V且EN1/EN2浮空时,静态电流为5.2至7mA。
3.2 振荡器和斜坡发生器特性
- 振荡器频率:通过FREQ引脚连接的电阻设置,典型值为500kHz,范围为100kHz至1MHz。
- 斜坡幅度:峰 - 峰值为VVIN/8.5V。
- 谷底电压:0.85V。
3.3 误差放大器和电压参考特性
- FB输入电压:在-40℃至+125℃温度范围内,为593至607mV。
- FB输入偏置电流:10至130nA。
- 单位增益带宽:24MHz。
- 开环增益:80dB。
3.4 其他特性
还包括软启动、过流保护、过压和欠压保护、栅极驱动器等方面的特性,这些特性确保了SGM64200在各种应用中的稳定性和可靠性。
四、详细工作原理
4.1 电压参考
SGM64200采用600mV的带隙基准电压,连接到放大器的正输入端。该参考电压可以在单位增益配置下进行调整,消除应用中的电压偏差,其0.5%的公差允许用户设计非常精确的电源。
4.2 输出电压设置
输出电压通过外部电阻进行调节,公式为: [V{OUT }=0.6 V timesleft(1+frac{R{A}}{R{BIAS }}right)] 其中,(R{A})和(R_{BIAS})为外部电阻。
4.3 输入电压前馈
通过添加电压前馈,SGM64200在输入电压变化时保持功率级增益恒定,并对线路转换具有快速响应。同时,简单的功率级也简化了环路设计。
4.4 电流检测
采用差分电流检测方法检测输出电流,可以使用电感的DCR或精密电流检测电阻。当使用DCR检测电流时,需要并联RC滤波器来滤除电感的交流电压分量。
4.5 过流保护
每个通道都有OCTH引脚来监控电流。当电感电流超过设定阈值时,SGM64200将逐周期限制电流。当连续三次出现过流情况时,高端MOSFET和低端MOSFET将关闭,控制器开始打嗝。经过六次软启动过程后,芯片将进入重启模式。
4.6 双相模式、远程感应放大器和电流共享环路
SGM64200可以工作在高电流双相模式下,通过连接FB2到VDD6V和COMP1与COMP2,可以实现双相电流共享,平衡两相的发热。远程感应放大器用于补偿输出电压降,使远程电压调整到设定值。
4.7 启动和关机
- 启动顺序:当ENx引脚拉低到0.3V以下时,相应通道关闭。释放ENx引脚后,内部40µA电流源开始对软启动电容充电,当电容电压超过0.7V时,内部VDD6V线性稳压器启用。
- 预偏置输出启动:支持预偏置启动,在软启动过程中,直到(VSS_INT)超过FB电压才会产生PWM脉冲。
- 关机:关机时,VDD6V由EN控制,如果两个通道的EN引脚都拉低,无论输入电压是否超过编程的UVLO,VDD6V都将被禁用。
4.8 开关频率和主从同步
开关频率由FREQ引脚连接到GND的电阻决定,公式为: [R{FREQ }=frac{20 times 10^{9}}{f{sw }}] 其中,(f_{sw})为所需的开关频率。SGM64200还可以通过外部时钟进行同步,外部时钟频率范围为内部主时钟频率的±20%。
4.9 过压和欠压故障保护
通过检测FB引脚采样的电压实现过压/欠压检测。当出现欠压情况时,设备将进入打嗝模式,直到故障恢复。当出现过压情况时,设备将关闭高端MOSFET并锁定低端MOSFET,将输出电流释放到功率良好窗口内的调节水平。
4.10 输入欠压锁定(UVLO)
通过VINS引脚的电阻分压器可以编程所需的阈值电压。
4.11 电源良好指示
SGM64200每个通道都有引脚指示输出是否良好,这些引脚为开漏输出,当反馈电压(VFB)不在标称值的±12.5%范围内或软启动功能激活时,PG引脚将拉低。
4.12 热关断
当芯片结温达到+150℃的热关断阈值时,PWM振荡器将关闭,高端和低端驱动器也将关闭。当芯片冷却到+130℃时,PWM开始软启动。
五、应用信息
5.1 双输出模式
5.1.1 设计目标
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入电压 | VIN | 8 | 12 | 15 | V | |
| 输入纹波 | VIN_RIPPLE | IOUT1 = IOUT2 = 10A | 0.25 | V | ||
| 输出1电压 | VOUT1 | IOUT1_MIN ≤ IOUT1 ≤ IOUT1_MAX | 1.2 | V | ||
| 输出1线路调节率 | VIN_MIN ≤ VIN ≤ VIN_MAX | 0.5 | % | |||
| 输出1负载调节率 | IOUT1_MIN ≤ IOUT1 ≤ IOUT1_MAX | 0.5 | % | |||
| 输出1纹波 | VRIPPLE1 | IOUT1 = IOUT1_MAX | 24 | mV | ||
| 输出1过冲 | V_OVER1 | ΔIOUT1 = 5A | 40 | mV | ||
| 输出1下冲 | V_UNDER1 | ΔIOUT1 = 5A | 40 | mV | ||
| 输出1电流 | IOUT1 | VIN_MIN ≤ VIN ≤ VIN_MAX | 0 | 10 | A | |
| 输出1短路电流跳闸点 | ISCP1 | 15 | A | |||
| 输出2电压 | VOUT2 | IOUT2_MIN ≤ IOUT2 ≤ IOUT2_MAX | 1.8 | V | ||
| 输出2线路调节率 | VIN_MIN ≤ VIN ≤ VIN_MAX | 0.5 | % | |||
| 输出2负载调节率 | IOUT2_MIN ≤ IOUT2 ≤ IOUT2_MAX | 0.5 | % | |||
| 输出2纹波 | VRIPPLE2 | IOUT2 = IOUT2_MAX | 36 | mV | ||
| 输出2过冲 | V_OVER2 | ΔIOUT2 = 5A | 40 | mV | ||
| 输出2下冲 | V_UNDER2 | ΔIOUT2 = 5A | 40 | mV | ||
| 输出2电流 | IOUT2 | VIN_MIN ≤ VIN ≤ VIN_MAX | 0 | 10 | A | |
| 输出2短路电流跳闸点 | ISCP2 | 15 | A | |||
| 软启动时间 | tSS | VIN = 12V | 2 | ms | ||
| 效率 | η | VIN = 12V, IOUT1 = IOUT2 = 10A | 88 | % | ||
| 开关频率 | fSW | 500 | kHz |
5.1.2 器件选择
- 电感选择:根据电感电流纹波为20%至40%的设计标准,选择合适的电感。在本设计中,计算得到电感值约为0.736µH,实际选择0.88µH的电感。
- 输出电容选择:考虑瞬态响应,通过公式计算输出电容的最小值。在本设计中,选择两个220µF的铝电解电容和多个陶瓷电容来满足纹波和输出响应的要求。
- MOSFET选择:选择CSD86330,该器件集成两个MOS,尺寸为3mm×3mm,可通过20A电流。
- ILIM电阻选择:根据电感和DCR的时间常数关系计算电阻值,同时考虑检测电流运算放大器的最大输入电压,必要时进行分压。
- 反馈分压器选择:使用内部参考电压为0.6V的运算放大器,选择合适的电阻值来设置输出电压。
- 补偿网络选择:使用SGM64200环路计算工具,设置50kHz带宽和50°相位裕度,通过实验调整参数得到合适的补偿网络值。
- 自举电容选择:为了正常驱动高端FET,限制BST电容的纹波小于100mV,计算得到电容值约为70nF,实际选择100nF。
5.2 双相模式
5.2.1 设计目标
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入电压 | VIN | 4.5 | 15 | V | ||
| 输出电压 | VOUT1 | IOUT_MIN ≤ IOUT ≤ IOUT1_MAX | 1.2 | V | ||
| 线路调节率 | VIN_MIN ≤ VIN ≤ VIN_MAX | 0.5 | % | |||
| 负载调节率 | IOUT_MIN ≤ IOUT ≤ IOUT1_MAX | 0.5 | % | |||
| 输出纹波 | VRIPPLE1 | IOUT = IOUT_MAX | 12 | mV | ||
| 输出过冲 | V_OVER1 | ΔIOUT = 5A | 40 | mV | ||
| 输出下冲 | V_UNDER1 | ΔIOUT = 5A | 40 | mV | ||
| 输出电流 | IOUT1 | VIN_MIN ≤ VIN ≤ VIN_MAX | 0 | 10 | A | |
| 软启动时间 | tSS | VIN = 12V | 2 | ms | ||
| 效率 | η | VIN = 12V, IOUT1 = IOUT2 = 10A | 88 | % | ||
| 开关频率 | fSW | 500 | kHz |
5.2.2 引脚连接
在双相模式下,部分引脚的连接方式如下: | 引脚 | 连接
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