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联讯仪器S2017C: 硬件突破0.1 fA分辨率精密源表

联讯仪器 来源:联讯仪器 2026-03-16 17:15 次阅读
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半导体、先进材料及生物电子等前沿领域,微弱电流的精确测量一直是评估器件性能与可靠性的关键。面对日益精细的科研与测试需求,联讯仪器正式发布S2017C高精度源测量单元(SMU),以0.1fA分辨率与50fA精度的卓越性能,重新定义低电流测量标准,助力科研与工业检测迈向更高精度时代。

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S2017C:低漏电流测试的首选

宽域输出,精准覆盖

S2017C 支持 ±200 V / ±1 A 宽动态范围输出,兼具直流与脉冲两种模式,满足多样化测试场景。其在电压与电流测量上分别实现±(0.03 %+50 μV)和±(0.9 %+50 fA)的最佳精度,为高灵敏度测试提供可靠保障。

核心参数

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全链路抑制漏电及干扰,专注微弱信号

· 内置自动 Guard 技术:动态匹配高阻节点电压,有效减少测试线路中的泄漏电流。

· 三同轴屏蔽保护与智能滤波:采用三同轴结构结合先进滤波算法,显著降低热噪声与电磁干扰。

· 前置放大器保障:确保 0.1 fA 级别信号的稳定捕捉与还原。

APFC动态调优

支持自适应精密快速控制(APFC)技术,可根据负载智能调节输出特性,实现亚毫秒级波形稳定,瞬态响应几乎无延迟。

模块化集成,扩展灵活

基于PXIe架构,支持多卡级联与硬件同步触发,单机箱最高可扩展17张SMU卡,适用于自动化、多通道测试系统搭建,提供SCPI指令控制及C#Python、C/C++LabVIEW等多种编程接口,显著降低系统集成复杂度。

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典型应用场景

S2017C 适用于一切需要对 pA 级以下电流进行精确测量的领域,包括但不限于:

半导体器件研发

先进逻辑与存储芯片的栅极漏电与关态电流测量。

SiC、GaN 等宽禁带功率器件在高压条件下的微小漏电评估。

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新材料与器件表征

二维材料(如石墨烯)、有机半导体、钙钛矿薄膜晶体管的载流子输运行为分析。

光电探测器MEMS传感器等的暗电流与噪声基底测量。

超低功耗与量子技术

· 物联网芯片、生物植入设备的待机功耗验证。

· 量子点、单电子器件等前沿方向的电学特性研究。

使用 S2017C 配合相应附件,可快速、准确地获取各类器件的 IV 特性曲线,为科研与工程提供可靠数据支撑。

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联讯仪器,不止仪器

我们深知,高精度仪器的使用离不开专业的支持。因此,联讯仪器为您配套提供:

· 即装即用的测量软件:内置常见半导体测试算法,大幅缩短准备时间。

· 详细应用指南:针对典型测量难点(如晶体管关态电流测量),提供步骤清晰的实操方法与数据分析建议。

· 专业技术支持团队:经验丰富的应用工程师全程协助,解答测量搭建与结果分析中的各类问题。

结语

联讯仪器S2017C不仅是一款高精度SMU,更是面向未来的微弱电流测量解决方案。无论是前沿科研,还是严苛的工业测试,它都将以出色的性能与可靠的稳定性,成为您实验中值得信赖的伙伴。

捕捉微弱信号,洞察细微变化——S2017C,为精密测量而生。

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