深度解析AFE77xxD系列RF 收发器：5G基站设计的理想之选

各位电子工程师们，在设计无线基站时，我们总是在为高性能、高集成度且低功耗的收发器而苦苦寻觅。今天我就给大家详细介绍一下TI的AFE77xxD系列RF收发器，包括AFE7769D、AFE7728D和AFE7768D这几款产品，看看它们是如何满足我们的设计需求的。

文件下载：afe7768d.pdf

强大特性，适应多样需求

卓越的通道性能

AFE77xxD系列有Quad（AFE776xD）和Dual（AFE7728D）两种类型的发射器和接收器。发射器基于0 - IF上变频架构，AFE77x8D每链的RF发射DPD扩展带宽高达650 MHz，而AFE7769D更是达到了730 MHz。接收器基于0 - IF下变频架构，AFE77x8D每链的RF接收带宽最高为200 MHz，AFE7769D则能达到300 MHz。反馈链采用直接RF采样架构，AFE77x8D和AFE7769D的RF观察DPD扩展带宽分别可达650 MHz和730 MHz。如此高的带宽性能，能够轻松应对各种复杂的无线通信场景。

集成CFR/DPD，实现PA线性化

该系列集成了CFR/DPD用于功率放大器（PA）线性化。瞬时带宽方面，AFE77x8D可达200 MHz，AFE7769D可达300 MHz；DPD扩展带宽上，AFE77x8D能达到650 MHz，AFE7769D为730 MHz。它采用多级CFR，可配置消除脉冲，还有硬件加速的DPD估计引擎，以及基于信号动态的校正器，能有效解决GaN PA的线性化问题，同时具备智能数据捕获功能，这对于提升PA的性能和效率至关重要。

广泛的RF频率范围和灵活的时钟配置

AFE77xxD的RF频率范围为600 MHz至6 GHz，能覆盖多个常用的无线通信频段。它配备了四个宽带分数N PLL、VCO用于TX和RX LO，以及专用的整数N PLL、VCO用于数据转换器时钟生成，为不同的应用场景提供了灵活的时钟解决方案。

高速接口支持和多设备同步

支持JESD204B和JESD204C SerDes接口，有4个SerDes收发器，速度最高可达29.5 Gbps，还支持8b/10b和64b/66b编码，以及16位、12位、24位和32位格式化。同时具备Subclass 1多设备同步功能，方便在多设备系统中实现同步工作。

小巧封装，高集成度

采用17 - mm × 17 - mm FCBGA，0.8 - mm间距的封装，在有限的空间内实现了高集成度，满足了现代无线基站对小型化的要求。

丰富应用，满足不同场景

AFE77xxD系列适用于多种无线通信设备，包括宏远程无线电单元（RRU）、小小区基站、有源天线系统mMIMO（AAS）、分布式天线系统（DAS）和直放站等。其高性能和高集成度的特点，使得它能够在不同的应用场景中发挥出色的作用。

内部结构，精细设计

接收器链

每个接收器链包含一个28 - dB范围的数字步进衰减器（DSA），其后是宽带无源IQ解调器，以及带有可编程带宽的集成抗混叠低通滤波器的基带放大器，驱动连续时间西格玛 - 德尔塔ADC。RX链可接收高达200 MHz（AFE77x8D）/ 300 MHz（AFE7769D）的瞬时带宽。每个接收器通道有两个模拟峰值功率检测器和各种数字功率检测器，用于辅助外部或内部的自动增益控制（AGC），还有一个RF过载检测器，用于保护设备可靠性。集成的QMC（正交失配补偿）算法能够连续监测和校正RX链的I和Q不平衡，无需注入特定信号或进行离线校准。

发射器链

每个发射器链包含两个14位、3.3 - Gsps的IQ DAC，之后是可编程重构和DAC图像抑制滤波器，以及IQ调制器驱动的宽带RF放大器，具有39 - dB范围的增益控制。TX链集成了QMC和LO泄漏消除算法，借助反馈路径可以不断跟踪和校正TX链的IQ失配和LO泄漏。

反馈路径

基于RF采样架构，包括一个输入RF DSA驱动的14位、3.3 - Gsps RF ADC。直接采样架构提供了固有的宽带接收器链，并简化了TX链损伤的校准。反馈路径集成了两个独立的NCO，允许在两个观察到的RF输入频段之间快速切换。

合成器部分

集成了四个分数N RF PLL，可生成四个不同的RF LO，使设备能够支持多达两个不同的频段。对于AFE7768D/AFE7769D，每个频段可配置为两个发射器、两个接收器和一个反馈路径；对于AFE7728D，可配置为一个发射器、一个接收器和一个反馈路径。

封装与订购信息

AFE77xxD系列提供多种可订购的部件编号，如AFE7728DIABJ、AFE7768DIABJ和AFE7769DIABJ等，均采用FCBGA（ABJ）封装，400引脚，每包90个，采用JEDEC TRAY（5 + 1）载体。工作温度范围为 - 40°C至85°C。同时，文档还提供了详细的封装尺寸、托盘信息、外形图、示例电路板布局和示例模板设计等，为我们的设计和生产提供了全面的参考。