AI存储引爆业绩！兆易创新2025年业绩预喜，净利润大增46%

1月23日，国内存储芯片和MCU芯片公司兆易创新发布2025年业绩预增报告。兆易创新表示，经财务部门初步测算，预计 2025 年实现归属于上市公司股东的净利润为16.1亿元左右，与上年同期相比增加 5.07亿元左右，同比增长46%左右。

报告披露，2025年，AI算力建设提速带动需求显著提升，兆易创新公司面向PC、服务器、汽车电子等领域产品深度受益；行业层面，存储行业周期稳步上行，供需结构优化推动产品价量齐升。公司始终坚持以市场占有率为核心的发展目标，持续深化多元化产品布局，多领域需求增长与公司丰富的产品矩阵形成高效协同，为全年业绩稳步攀升提供坚实支撑。

据悉，兆易创新在车规级芯片领域，已经构建起覆盖存储和MCU的多元化产品布局和规模化应用，车规级FLASH累计出货量超过3亿颗，广泛应用于智能座舱、辅助驾驶等关键场景。在车规级 SPI NOR Flash 和车规级 SLC NAND Flash，兆易创新均已形成覆盖 128 Mb-2 Gb（NOR）和 1 Gb-4 Gb（NAND）的完整料号矩阵，并通过 AEC-Q100 等车规可靠性认证。

以去年3月发布的GD25NX系列SPI NOR Flash为例，该产品支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。

为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。“GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局，其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求，为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示。

此外，兆易创新2025年还推出了GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（功能），可有效解决SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的痛点，可以广泛应用在安防、工业、IoT等快速启动场景。

兆易创新2025年推出的GD32H7系列MCU，是面向高性能领域推出的控制器产品，涵盖GD32H75E、GD32H759等多款型号，其中GD32H75E在GD32H7系列基础上集成正版授权EtherCAT IP,内置2颗百兆以太网PHY，支持μs级多轴同步，具备出色的实时通信与高精度控制能力，能够满足人形机器人对MCU的严苛需求。

展望 2026 年，兆易创新高管认为市场机遇主要集中在三大方向：一是 AI 驱动的数据中心建设加速，对高带宽、大容量存储的需求将持续爆发；二是数字能源领域（如新能源汽车、充电桩、储能设备）快速发展，将带动存储与 MCU 需求增长；三是端侧 AI 普及为细分场景的半导体创新提供广阔空间。