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兆易创新成立于2005,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月,公司在上海证券交易所成功上市。
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兆易创新:明年自研LPDDR4X量产,规划小容量LPDDR5X
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11月14日,兆易创新(GigaDevice)新一代GD5F1GM9 SPI NAND Flash产品在2025年“中国
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兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash,高性能双电压设计,面向1.2V SoC快速响应需求
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在新能源汽车、工业设备需求爆发的当下,磁瓦作为一种广泛应用的电机核心磁性元件,其质量直接决定终端产品的可靠性。由于其制造
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近日,兆易创新(GigaDevice)与南京南瑞继保电气有限公司(以下简称“南瑞继保”)达成战略合作伙伴关系。此举旨在充
兆易创新成立于2005,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月,公司在上海证券交易所成功上市。公司在中国北京、上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州、香港和台湾,美国、韩国、日本、英国、新加坡等多个国家和地区均设有分支机构和办事处,营销网络遍布全球,为客户提供优质便捷的本地化支持服务。
公司核心管理团队由来自世界各地的高级管理人员组成,具有丰富的研发及管理经验,技术研发核心成员来自清华、北大、复旦、中科院等国内微电子领域顶尖院所,硕士及以上学历占比超过60%。同时,我们也积极引进具有国际视野的专业人才,跟踪最新技术发展方向,提升公司技术产品的领先性。
公司的核心产品线为FLASH、32位通用型 MCU及智能人机交互传感器芯片及整体解决方案,公司产品以“高性能、低功耗”著称,为工业、汽车、计算、消费类电子、物联网、移动应用以及网络和电信行业的客户提供全方位服务。在中国市场,我们的SPI NOR FLASH®市场占有率为第一,同时也是全球排名前三的供应商之一,累计出货量超130亿颗,年出货量超28亿颗;我们的MCU作为中国32位通用MCU领域的主流产品,以24个系列350余款产品选择,覆盖率稳居市场前列,并且累计出货量已超过4亿颗。我们的触控和指纹识别芯片广泛应用在国内外知名移动终端厂商,是国内仅有的两家的可量产供货的光学指纹芯片供应商。
公司在质量管理方面有严格的标准与要求,已获得ISO 9001、ISO 14001等国际质量体系认证,同时积极推进产业整合,拓展战略布局,在已有的微控制器、存储器基础上,布局物联网领域人机交互技术,并与全球多家领先晶圆厂、封装测试厂达成战略合作伙伴关系,通过加强产业上下游合作、优化供应链管理,共同推进半导体领域的技术创新。
兆易创新600MHz高性能MCU在聚沃科技双网口通信开发板的应用方案
在当前智能化快速发展的背景下,嵌入式应用对系统性能以及通信可靠性的要求越来越高。聚沃科技推出的双网口通信开发板采用兆易创新600MHz高性能MCU,具备...
基于兆易创新GD32E513RET6 MCU的阳台光伏微型逆变器解决方案
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业界领先的半导体器件供应商 兆易创新GigaDevice 宣布推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列采用1.8V...
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近日,兆易创新(GigaDevice)与南京南瑞继保电气有限公司(以下简称“南瑞继保”)达成战略合作伙伴关系。此举旨在充分聚合双方优势,将兆易创新在国产...
兆易创新与纳微半导体数字能源联合实验室揭牌,加速高效电源管理方案落地
兆易创新GigaDevice与纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)共同设立的“数字能源联合实验室”在合肥正式揭牌。该实验室将GD32 MCU领域的深...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| GD32F427VET6 |
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| GD32F310G8U6TR | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:64KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:8KB;GPIO端口数量:23; |
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|
| GD32F307RCT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:120MHz;工作电压范围:-;内部振荡器:-;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:256KB;RAM总容量:96KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:51;ADC(单元数/通道数/位数):2@x16ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:7;32位Timer数量:-;内部比较器数量:-;U(S)ART |
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|
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| GD32F407ZET6 | LQFP-144 20x20mm |
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|
|
| GD25D10CTEGR | FLASH存储器 SOP8_208MIL 1Mb Vi=2.7V~3.6V |
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