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2026年度课程《电路设计器件选型认证与替换》公开课,助您提升专业能力!

赛盛技术 2026-01-18 10:04 次阅读
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课程名称:电路设计器件选型认证与替换》

(可到企业内部培训)

讲 师:武老师

时间地点:成都6月5-6日

主办单位:赛盛技术

课程特色

本课程旨在系统构建研发、质量、测试工程师在电子器件可靠性工程领域的核心能力体系。课程超越简单的参数对比,深入器件内部机理与应用场景,提供一套从精准选型、应力防护、科学认证到失效根因分析的完整方法论。具体目标如下:

建立系统性选型与替换思维:扭转“凭经验、看大致参数”的粗放选型习惯,建立基于失效机理、应力分析和应用匹配的科学选型流程,掌握器件替换的风险评估与验证方法。

掌握全应力环境下的器件防护设计:系统学习导致器件故障的16大类应力(如EOS、闩锁、MSD、热插拔等)的作用机理、故障特征与防护措施,使设计具备“先天可靠性”

构建器件质量管控与寿命评估能力:学会针对9大类关键器件制定差异化的入厂筛选指标、质控判据,并科学判定其“寿命终止”极限,为产品寿命预测与维护提供依据。

赋能专业的失效分析实践:掌握从外观镜检、电性测试(IV曲线)到破坏性物理分析(DPA)的标准化失效分析流程与工具,能够准确判别常见失效模式,定位根本原因,实现问题闭环。



面向人群

硬件设计工程师,硬件测试工程师,PCB设计工程师,可靠性工程师、EMC工程师,PI工程师,SI工程师,项目经理,技术支持工程师,研发主管,研发总监,研发经理,测试经理,系统测试工程师,具有1年以上工作经验的硬件设计师、项目管理人员。


课程内容

第一章:器件选型与替换的基本问题

1.1、器件替换常见问题现象

1.1.1、原来正常工作的产品在器件替换后不能工作或性能降低

1.1.2、器件替换后,批次不良率数据变差

1.1.3、初次选型或替换时需要关注的故障诱发指标参数有哪些

1.1.4、如上问题的成因机理、分析方法

1.2、器件选型与替换技术分析要素

1.2.1、封装带来的问题

1.2.2、内部结构和材质带来的问题

1.2.3、制造工艺带来的使用性问题

1.2.4、内部电路不同带来的参数差异

----相同功能器件的内部拓扑图对比、接口特性差异分析

1.2.5、批次质量水平一致性评价方法

----以TVS、MOS管为例说明一致性指标的选择、统计分布图特征与隐含问题

1.2.6、有益参数和有害参数识别

----以电容、运放为例说明在不同电路中的有益有害指标识别方法

1.2.7、器件应用前后级匹配选型设计注意事项

----阻抗匹配原理,以数字芯片数据接口和模拟放大电路信号采集端口为例

第二章:导致器件故障的应力类型与场合

2.1、瞬态EOS与累积性EOS

----EOS成因、损伤特征、瞬态/累积性EOS特征对比、解决措施

2.2、温度与温度冲击

----器件受温度和温度冲击应力的影响部位和机理,故障特征

2.3、闩锁

----CMOS类IC的闩锁失效机理、测试方法、故障特征、解决措施

2.4、热损伤

----成因(瞬态过流、持续过流、负荷特性曲线超标)、损伤特征、解决措施

2.5、力学损伤

----温度/温度冲击/振动导致的力学损伤机理、损伤特征解决措施

2.6、MSD

----潮敏器件的内部结构,失效的特征、机理、解决措施

2.7、潮湿与腐蚀

----腐蚀的机理,故障特征、解决措施

2.8、VP 与 ESD

----尖峰电压的产生场合,损伤特征、解决措施

2.9、过渡过程

----过渡过程对能量接口和数据接口的不同影响分析、过渡过程超调和振荡的产

生场合、解决措施

2.10、热插拔

----热插拔的发生场合、损伤特征、解决措施

2.11、接地不良

----接地不良引起器件故障的发生机理、解决措施

2.12、设备互联匹配问题

2.13、电感瞬态过程

----反向电动势的影响、解决措施

2.14、电容瞬态过程

2.15、时间应力自然老化

2.16、气压问题

----安规、高压、发热、密封器件的压差作用机理

第三章:选型认证与替换方法、入厂筛选和寿命终止极限判定

3.1、分立元件

----电阻、电容、电感、磁珠、导线的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.2、保护类器件

----保险丝/TVS/MOV/压敏电阻/GDT/NTC电阻/PTC电阻的筛选指标、

质控条件判据、寿命终止判据

3.3、模拟类IC类器件

----运放、ADDA、LDO的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.4、接口器件

----光耦隔离电路、CAN总线、485总线、模拟信号传输接口电路的筛选指标、

质控条件判据、寿命终止判据

3.5、二极管三极管

----筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.6、功率开关器件

----MOSFET/IGBT/功率三极管/继电器的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.7、按键

3.8、线缆接插件

----筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

3.9、数字类IC器件

----MCU、存储芯片、逻辑门电路的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据

第四章:器件失效分析方法

4.1、目测与镜检

4.2、参数统计分析方法

4.3、IV曲线

4.4、DPA

4.5、X光

4.6、失效特征示例和失效特征判别方法

----以IC芯片、电阻、电容、二极管三极管、保护器件为例分别展开


优质售后服务,提升培训效果


参训学员或者企业在课程结束后,可以享受相关赛盛技术的电磁兼容技术方面优质售后服务,作为授课之补充,保证效果,达到学习目的。主要内容如下:

1.【技术问题解答】培训后一年内,如有课程相关技术问题或管理问题,可通过电话、邮件联系赛盛技术,我们将根据实际情况安排人员沟通回复;

2.【定期案例分享】分享不断,学习不断;

3.【技术交流群】加入正式技术交流群,与行业大咖零距离沟通;

4.【EMC元件选型技术支持】如学员在EMC元件选择或应用上有不清楚的地方可随时与赛盛技术沟通;

5.【往期经典案例分析】行业典型EMC案例分享、器件选型等资料。

6.【研讨会】不限人数参加赛盛技术线上或者线下研讨会,企业内部工程师可相互分享,共同成长。

7.【EMC测试服务】在赛盛技术进行EMC测试服务,可享受会员折扣服务!



讲师资历——武老师

知名硬件设计/可靠性专家


武老师是电子工程硕士,研究领域:电子元器件选型及工程应用、电子电路设计及测试、电子产品系统可靠性设计与测试技术。

武老师有20年电路设计及可靠性设计的工程经验,曾任某航天设计部总监,带领团队设计及解决相关电子产品电路设计、故障排查、测试整改等工程工作,现主要从事电子系统设计及可靠性设计的咨询服务,帮助企业解决产品设计问题,曾为航天、中电、中科院、航空、汽车、医疗电子通信、安防、电力电子、分析仪器、工业控制、消费类电子等多个行业上百家客户提供相关培训及产品设计咨询技术服务。

武老师对电子产品系统设计、可靠性设计有较深入研究,曾在学术会议及多家技术刊物发表专业文章,曾出版专业书籍《电路设计工程计算基础》、《嵌入式系统可靠性设计技术与案例解析》等。

专注于电子工程设计、工程数学、技术方法论 三者相结合的研究,并将相关研究应用在实际工程中,解决产品实际问题。


主办单位介绍

深圳市赛盛技术有限公司位于深圳宝安区,2005年成立,是国内首家为电子企业提供全流程全方位的电磁兼容(EMC)方案提供商;


服务范围:EMC设计、EMC整改、EMC流程建设、EMC仿真、EMC测试及EMC培训、硬件培训等技术服务。

赛盛技术自2006年开始自主举办EMC培训,2010年后开始加入信号完整性培训、可靠性培训、硬件电路培训等服务,截至目前为9000+企业提供过培训服务,超过30000+研发工程师参加过培训,同时受到企业与工程师一致认可!


培训初心:帮助企业提升研发团队能力帮助企业解决产品技术问题帮助企业缩短产品上市周期

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