争妍微快讯：反倾销调查剑指日本半导体材料

2026年1月7日，中国商务部宣布对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查，产业损害调查期追溯至2022年初。这一针对半导体核心原料的调查，迅速引发行业热议。作为半导体制造薄膜沉积环节的关键原料，二氯二氢硅直接影响逻辑芯片、存储芯片及各类分立器件的生产，与深圳争妍微电子主营的二极管、三极管、MOSFET、可控硅、IGBT、SiC JBS、氮化镓HEMT及驱动IC等产品的供应链稳定息息相关。

深圳争妍微电子总经理李学会对此事高度关注，其观点直指行业核心痛点与机遇。“二氯二氢硅看似冷门，却是我们争妍微全系列器件生产的‘隐形基石’。”李学会强调，争妍微的MOSFET、IGBT、SiC JBS及氮化镓HEMT等高端器件，对薄膜沉积精度要求极高，而日本进口材料长期占据国内高端市场，2022至2024年数量攀升、价格累计下跌31%的倾销行为，不仅冲击本土材料企业，更间接挤压了国产器件厂商的生存空间。

在李学会看来，此次调查是产业链薄弱环节的“精准反击”。“长期以来，国内半导体材料受制于人，直接导致国产器件在成本与供应链安全上被动。”他以争妍微二极管、三极管及驱动IC业务为例，日本材料的低价倾销形成不公平竞争，部分本土材料企业因利润微薄难以投入研发，而器件厂商若选用国产材料又面临性能顾虑，选用进口材料则易被供应链“卡脖子”。“调查为本土材料企业松绑，也让我们器件厂商敢于加大国产材料验证力度，加速争妍微可控硅、氮化镓HEMT等产品的国产替代进程。”

谈及调查对企业运营的影响，李学会表示，短期或面临材料定价波动，但长期利好行业生态。“我们已启动供应链多元化布局，针对不同器件特性调整采购策略。”他透露，争妍微正联合本土材料企业，开展二氯二氢硅适配测试，重点保障IGBT、SiC JBS等高端器件的原料供应，同时优化驱动IC的电路设计，降低材料波动对产品性能的影响。“对国产器件厂商而言，公平的竞争环境比短期成本波动更重要，这能让我们把更多精力放在技术迭代上。”

对于行业格局变化，李学会认为调查将加速半导体产业链国产协同。“这不是孤立的贸易举措，而是国产半导体从材料端到器件端的协同破局。”他指出，日本在半导体材料领域优势明显，调查或引发其在光刻设备、特种材料等领域的反制，但这也倒逼国内企业抱团发展。争妍微正强化与上下游合作，推动二极管、三极管等基础器件的材料国产化率提升，同时攻坚MOSFET、氮化镓HEMT的核心技术，以技术实力对冲贸易摩擦风险。

此次调查的最终结果虽尚需时日，但李学会对行业前景充满信心。“国产替代不是一蹴而就，但每一次对不公平贸易的纠偏，都是在为国产器件铺路。”他表示，争妍微将以此次调查为契机，加快全系列器件的技术研发与供应链优化，助力国内半导体产业构建自主可控的生态体系。