派恩杰SiC DCM半桥模块产品优势介绍

从单管到系统级解决方案，碳化硅半桥DCM模块正重构新能源汽车电驱成本公式：通过集成银烧结+DTS工艺与超低寄生电感，使800V平台逆变器成本降低、体积缩减、提升电驱系统效率，进而转化为有效增加新能源汽车续航里程。碳化硅半桥DCM的核心在于利用SiC器件的高频开关特性与DCM模式的电感能量完全释放机制。当行业将降本焦点锁定于芯片代工成本时，派恩杰已通过“芯片-封装-拓扑”垂直整合能力，在碳化硅半桥DCM模块领域建立起三重护城河。

派恩杰DCM模块独家工艺

派恩杰DCM模块的底层优势在于芯片设计与封装工艺的深度协同，作为国内少数拥有全套“银烧结+DTS双面散热”技术的公司，其自主设计的超低寄生电感架构，将杂散电感降低至行业领先的标准，确保了模块100kHz高频下的极致效率。

派恩杰碳化硅(SiC)半桥模块的DCM封装模块采用半桥拓扑设计，支持1500V，母线1000V电压平台，正成为新能源汽车、光伏逆变器等高压大功率场景的核心解决方案，这种通过材料特性(SiC的高频低损耗)与工作模式(DCM的轻载高效)的技术协同组合，正在突破传统硅基模块的效率瓶颈，成为高性能电动汽车平台应用的标杆之作。

技术与研发的领导力：创始人、资深电力电子领域专家黄兴博士将北美半导体产业化经验与中国市场需求深度融合，构建起从底层物理模型到车规级量产的完整技术护城河。这种领导力不仅体现在产品参数的领先，更在于对行业痛点的预见性解决方案——通过碳化硅芯片量产布局与嵌入式PCB封装技术，同步解决DCM模块的成本与性能瓶颈，重新定义高压功率器件的技术标准。

供应链与制造的可靠性：派恩杰的供应链与制造优势，本质是“技术自主+工艺创新+质量体系”的三位一体能力。当行业多数企业仍依赖外购芯片与传统封装时，派恩杰已通过“芯片-封装-验证”全链路自主可控体垂直整合实现DCM模块从设计到量产的全链路可控，这不仅保障了800V平台客户的稳定交付，更使其在寄生电感控制、功率密度等核心指标上达到国际领先水平。车规级产品均已通过严苛的车规级认证(AEC-Q101、IATF 16949等)，既保障了车规级产品的稳定交付，又通过垂直整合实现技术迭代与成本控制的双重优势。

这种“降本不降质”的能力，使派恩杰DCM模块在800V平台逆变器中，实现物料成本降低的同时，实现功率密度的有效提升，为新能源电驱系统体积缩减提供了核心支撑。

派恩杰DCM产品型号

PAAA12800MM

PAAA12600MM

DCM产品优势

1、革命性的散热能力

极低的热阻： 由于消除了基板这一主要热障，模块的热阻(Rth(j-c))相比传统模块显著降低约30%-60%。

更高电流输出： 在相同芯片面积和温升条件下，DCM模块能承载的额定电流可提升20%至50%，或在同等电流下，芯片结温更低。

提升系统功率密度： 优异的散热性能允许使用更小的芯片或模块，使得整个电力电子系统的结构更紧凑、功率密度更高。

2、卓越的可靠性

更强的温度循环能力： 模块内部连接点(如焊接层)的温度变化(ΔTj)更小，且结构更坚固，因此其功率循环能力和温度循环寿命远超传统模块。

更高的结温能力： 许多DCM模块采用烧结银等先进连接技术，允许芯片在最高结温175℃甚至更高的条件下稳定工作，拓宽了应用边界。

3、优化的杂散系数

低寄生电感： 紧凑的对称封装结构使得主回路内部的寄生电感极低(通常<8nH)，这有助于：

降低开关过电压

减少开关损耗

允许更高的开关频率运行

DCM产品目标应用领域

DCM模块是高要求、高可靠性应用的理想选择：

新能源汽车:主驱动逆变器、车载充电机、直流变换器

可再生能源:光伏逆变器、风电变流器

工业驱动:大功率变频器、伺服驱动器

轨道交通:牵引变流器

不间断电:高频、高密度UPS

派恩杰：“

芯片”→“标准”

当中国车企还在为芯片供应焦虑时，派恩杰已通过DCM模块证明：真正的技术壁垒从来不是单点突破，而是从“芯片”到“标准”的生态掌控力。

碳化硅半桥 DCM正推动电力电子设备向高效化、小型化转型，随着DCM车规级模块量产以及驱动保护技术成熟，其在新能源汽车、光伏储能等领域的渗透率正加速提升。与此同时，作为国际标准委员会JC-70成员，派恩杰正将DCM模块技术转化为行业话语权。以“全栈自主可控”为基石，承诺每年将营收25%投入研发，2025-2027年实现突破——车规级芯片性能再度提升、寄生电感超低的第四代封装、车规级DCM模块成本降低代替硅基方案。

我们不止提供功率模块，更以“定义未来电驱标准”为愿景，让中国芯驱动全球新能源产业从“跟随创新”迈向“规则制定”。让国产碳化硅产业真正实现从“替代进口”到“定义标准”的跨越，为全球电力电子革命提供核心动力。

派恩杰半导体

成立于2018年9月，是国内领先的第三代半导体功率器件设计与解决方案提供商。作为国际标准委员会 JC-70 成员单位之一，我们深度参与宽禁带半导体功率器件国际标准制定。

公司已量产超过百款 650V / 1200V / 1700V SiC SBD 与 SiC MOSFET 产品，GaN HEMT 系列同步布局。其中，SiC MOSFET 芯片已大规模导入新能源乘用车及Tier-1动力平台。

我们的器件广泛应用于数据中心、AI计算、5G基站、储能与充电桩、轨道交通、高端家电与航空航天等高要求场景，以高效率、高可靠性和高能量密度，助力全球能源转型。