华邦电子：聚焦边缘AI，以技术创新，突破高带宽与低功耗并存难题

电子发烧友网报道（文/李弯弯）近日，在华邦电子与恩智浦联合技术论坛（深圳站）同期举行的媒体沟通会上，华邦电子产品总监朱迪就华邦电子目前的产品布局、技术突破，以及当前存储行业备受关注的供需情况与市场趋势等话题，与包括电子发烧友在内的多家媒体进行了深入交流，展现了华邦电子在存储领域的独特发展路径与强大实力。

产品布局：聚焦存储，深耕利基市场

朱迪介绍道，芯片行业主要分为逻辑芯片和存储芯片两大类，华邦电子专注于存储芯片领域，即Memory。而Memory又细分为DRAM和Flash两大方向。华邦电子是行业内少数同时布局Flash和DRAM两类产品的厂商之一。与三星、美光、海力士等聚焦高容量产品的厂商不同，华邦电子长期侧重于中小容量的利基型产品。

在DRAM产品方面，华邦电子将名称更新为客制化内存解决方案CMS（Customized Memory Solution）。朱迪表示，随着整个行业向AI转型，以往标准化的DRAM产品，如DDR2、DDR3、DDR4乃至DDR5，都是遵循国际规范的迭代标准产品，强调统一规格。但在AI场景下，无论是云端、服务器，还是端侧、边缘侧，都对存储提出了更多个性化需求，像低功耗、高带宽、更多IO接口等，这些都与传统标准DRAM不同。因此，华邦电子顺应趋势，转向客制化与半客制化产品，以满足端侧AI的新需求。

不过，这并不意味着华邦电子放弃标准化产品。朱迪强调，特别是在今年市场紧缺的情况下，DDR3/DDR4供不应求。随着大厂将产能转向DDR5、LPDDR5及HBM，反而为华邦电子在DDR3/DDR4、LPDDR4等传统产品上带来了新的市场机会。所以，华邦电子既持续供应标准化产品，也布局面向未来的客制化与半客制化存储。

目前，华邦电子的DRAM产品主要包括迭代的标准DRAM，如DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4；面向中小容量、端侧AI的HYPERRAM；以及半客制化产品CUBE与CUBE Lite，它们具有高带宽、低功耗、适度容量等特点，与HBM的大容量定位有所区隔。

在Flash产品方面，华邦电子聚焦NOR Flash（主要用于代码存储）及SLC NAND，这两条都是华邦电子的核心产品线。朱迪指出，目前华邦电子NOR Flash市场占有率全球第一，SLC NAND同样表现稳健。与行业中一些大厂集中生产TLC、QLC等大容量或3D堆叠产品不同，对于代码存储而言，SLC的容量已经足够，华邦电子可以覆盖从512Kb到8Gb的容量区间，同时产品成熟、稳定、性价比高。此外，华邦电子还布局了安全闪存（Secure Flash），在万物互联背景下，设备安全、供应链安全愈发重要，安全闪存在车规、服务器、供应链安全中已有不错的应用基础。

技术创新，突破高带宽与低功耗并存难题

除了丰富的产品线，华邦电子在技术突破方面也成果显著。朱迪强调，华邦电子作为IDM厂商，核心竞争力还包括强大的制造能力——华邦电子拥有两座自有晶圆厂。制程演进对于DRAM、Flash都至关重要：制程越先进，单位wafer的产出（即bit density）越高、功耗越低、成本越优。

目前，华邦电子的DRAM已推进至16nm。在中小容量DRAM领域，这是非常领先的技术节点。NOR Flash制程也从90nm、58nm演进至已量产的45nm，SLC NAND从46nm推进至32nm，并于今年量产24nm，均处于行业先进水平。随着DRAM、NOR Flash、SLC NAND多条产品线持续推进先进制程，即使在整体需求旺盛、短期投片量无法增加的情况下，华邦电子仍可通过提高单位wafer的产出量来扩大出货，以满足客户需求。

以端侧AI设备为例，朱迪详细介绍了CUBE产品的技术优势。在端侧AI场景中，模型训练后不断小型化、推理效率提升，使得模型有机会部署到边缘与终端设备。但端侧加入AI后，模型参数传输与运算需要更高带宽，同时对功耗极为敏感，因为端侧一般是电池供电，需要“高带宽 + 超低功耗”。然而，端侧AI的容量需求并没有成比例增加，常见为1GB、2GB，与传统DDR3/DDR4相近，带宽需求却提升数倍。这正是华邦电子推出CUBE类产品的原因。

CUBE通过增加大量的IO来提升带宽，不需要提高单条线的频率，从而同时实现高带宽与低功耗。朱迪形象地比喻道，这就像一条高速公路，通过增加车道数量来提高运输能力，使单车道的车子不需要跑得很快，从而降低功耗，同时整体运输能力大幅提升。实际上，CUBE的IO数量远不止16个、32个，而是512个、1024个，甚至是1k、2k个IO。与HBM类似，CUBE接口数量众多，不是常规封装能够覆盖的，而是需要通过SoC芯片内部的芯片级堆叠，2.5D、3D先进封装的方式才能够实现。

在散热方面，华邦电子也有独特的设计。CUBE采用CUBE在下，SoC在上的结构。因为热量主要来源于SoC，它是功耗最大的部分，这种结构可以较容易地在SoC位置加装散热片。信号通过硅通孔（TSV）传导至基板（substrate），成本较低。因为能用到CUBE类产品的SoC，通常也是先进制程的，如果在SoC上直接打TSV会非常昂贵。

市场洞察，存储行业紧张情况仍将继续

在谈到存储行业的市场供需和价格趋势时，朱迪表示，今年市场变化明显。AI的发展推动三大巨头集中去做HBM、DDR5、LPDDR5，剩下的DDR4、DDR3市场出现了明显缺口。缺货涨价是最主要的原因，因为一切由AI驱动。无论是互联网巨头、云服务商，还是像英伟达这样做显卡芯片算力的巨头，都在全力投入AI。整个行业内不光是存储，还有很多上下游的产业资源都被AI吸走，在存储上表现得更为明显。

过去几年AI一直在亏钱，存储行业本身也是一个重周期的行业，再加上AI的井喷，三大家顺势把产能挪过去做HBM。与此同时，在服务器和手机市场上，过去两三年也一直在转型，从DDR4转到DDR5，从LPDDR4转到LPDDR5。尤其在今年四五月份，他们开始不约而同地发出DDR4和LPDDR4的停产通知，带着很多客户转到DDR5和LPDDR5，有限的DDR4和LPDDR4产能还要留给核心客户实现过渡。所以市面上，尤其是一些不那么主流的中小客户，在PC和手机以外的其他应用领域明显感觉到DDR4和LPDDR4非常紧缺，价格甚至出现“倒挂”。

朱迪认为，这一波市场变化与过去几年不同，是一个结构性的变化。目前来看，存储行业将分为两个世界，一个是以DDR5、LPDDR5、HBM为代表的高容量市场，由三大厂和国内长鑫（3 + 1）主导，为高算力应用服务；另一个是以DDR4、LPDDR4以及DDR3 specialty为代表的市场，供应越来越少。过去，三大厂还有每月几十万片DDR4、LPDDR4的产能，今年砍掉一半，明年可能几乎全部消失。这部分市场空缺很大，即便有一些应用或客户能够过渡到DDR5/LPDDR5，但还有更多客户或应用仍会采用DDR4/LPDDR4，且没有对应的替代产品可用。所以在这一市场上，虽然现在价格已倒挂，但供应紧张的趋势预计会持续相当长时间，并可能维持高位。

对于未来的市场走向，朱迪判断两个市场的鸿沟已经越拉越大。三大家把产能转去做高容量产品后，产线已经拆除，很难再回头。这种结构性的变化表现为，过去大家习惯使用便宜的存储，很多整机价格都被压得很低，其中一部分成本就是靠低价存储支撑。到今年，手机内存条和一些嵌入式设备用的存储价格都出现大幅上涨。对于一些竞争激烈的市场，厂商被迫提高售价，因为成本和价格已经很接近，难以继续吸收。随着存储成本上升，可能继续带来行业格局和市场变化。不过，短期内市场紧张情况还会持续，至少还有两三个季度，也许不会像今年的Q3、Q4大幅度、翻倍式的上涨，可能变成小幅的涨幅。

聚焦边缘AI，持续推进制程演进和产品迭代

当被问到华邦电子为何定位在中小容量、低功耗的边缘市场，而不考虑进入AI服务器等市场时，朱迪解释道，从行业生态来看，各厂商会根据自身能力选择市场定位。三星、美光、海力士三大厂商的产能巨大，足以覆盖PC、服务器、手机等高容量市场。

反之，中低容量、少量多样、规格多样化的利基型市场正好与华邦电子两座晶圆厂的产能规模完全匹配。而且这个市场特点是少量多样，应用五花八门，所需要的存储规格也相对分散。三大家巨头如此之大的产能一定要放在PC、服务器、手机这样的巨量市场，才足以消化，分散市场对其意义不大。华邦电子更聚焦做一些差异化产品，这个差异化也是与时俱进的。随着传统大容量市场在变化，以前传统的大容量产品可能变成中容量，中容量变成小容量，华邦电子正好可以顺势承接这些市场。

对于未来的产能规划，朱迪透露，在2024、2025、2026这三年，华邦电子产能没有大的变化，甚至稍微有一点降低。由于过去DRAM盈利效果并不理想，从2024年到2025年，华邦电子把一部分产能转去做Flash产品。此次DRAM虽然价格涨高，但只是市场行为，并不足以支撑长期生存下去。但是DDR4、LPDDR4的供应缺口将一直存在，为此华邦电子在今年10月正式宣布一个投资近400亿新台币的新扩产计划，主要用于增加DDR4和LPDDR4的产能，希望能够给市场提供更多供应。

在DDR5的布局方面，朱迪表示目前还不好判断。以DRAM产品线来讲，华邦电子会有两个方向：一个是制程继续演进，从25nm、20nm到16nm，同时在16nm这一代最新的制程上推出一些新的高容量产品，比如像8Gb的LPDDR4今年已经量产，每个月出货量已达到百万级；8Gb的DDR4样片已完成，客户正积极导入。明年可能会推出16Gb，也就是2GB的DDR4产品，华邦电子仍在积极努力，填补市场空缺。