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探索 onsemi NXH008P120M3F1:碳化硅功率模块的卓越之选

h1654155282.3538 2025-11-26 16:33 次阅读
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探索 onsemi NXH008P120M3F1:碳化硅功率模块的卓越之选

在当今的电力电子领域,碳化硅(SiC)技术凭借其出色的性能优势,正逐渐成为众多应用的首选。onsemi 的 NXH008P120M3F1 功率模块,作为 SiC 技术的杰出代表,为工程师们带来了新的设计思路和解决方案。今天,我们就来深入了解一下这款模块。

文件下载:onsemi NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块.pdf

产品概述

NXH008P120M3F1 是一款采用 F1 封装的功率模块,内部集成了 8 mΩ/1200 V 的 SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻。它具有多种特性,如提供预涂覆热界面材料(TIM)和未预涂覆 TIM 的选项,以及压配引脚。同时,该器件符合无铅、无卤和 RoHS 标准,环保性能出色。

原理图

典型应用

这款模块的典型应用场景广泛,涵盖了太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站和工业电源等领域。这些应用对功率模块的性能、效率和可靠性都有较高的要求,而 NXH008P120M3F1 正好能够满足这些需求。

产品特性详解

电气特性

  • MOSFET 特性:在不同的测试条件下,模块的电气参数表现出色。例如,在 25°C 时,零栅极电压漏极电流(IDss)最大为 400 μA;栅源阈值电压(VGS(TH))在 2.04 - 4.4 V 之间。随着结温的升高,漏源导通电阻(RDS(ON))会相应增加,如在 175°C 时,RDS(ON) 可达 18.1 mΩ。
  • 开关特性:开关损耗是衡量功率模块性能的重要指标。在 25°C 和 150°C 不同结温下,模块的开关损耗有所不同。以 800 V、120 A 的测试条件为例,在 25°C 时,导通开关损耗(EON)为 1760 mJ,关断开关损耗(EOFF)为 588 mJ;而在 150°C 时,EON 增加到 2155 mJ,EOFF 增加到 745 mJ。这表明结温对开关损耗有显著影响,在设计时需要充分考虑散热问题。
  • 二极管特性:二极管正向电压(VSD)也会随着结温的变化而变化。在 25°C 时,VSD 典型值为 4.67 V;在 150°C 时,VSD 降至 4.4 V。

热特性

  • 热阻:模块的热阻参数对于散热设计至关重要。芯片到外壳的热阻(RthJC)为 0.249 °C/W,芯片到散热器的热阻(RthJH)在使用特定热油脂时为 0.466 °C/W。合理的散热设计可以确保模块在工作过程中保持较低的结温,从而提高其可靠性和性能。
  • 热敏电阻特性:热敏电阻可以用于监测模块的温度。在 25°C 时,其标称电阻(R25)为 5 kΩ;在 100°C 时,电阻(R100)为 493 Ω。通过测量热敏电阻的阻值,可以实时了解模块的温度变化,以便采取相应的散热措施。

绝缘特性

  • 隔离测试电压:模块的隔离测试电压(Vis)为 4800 VRMS(t = 1 s,60 Hz),这表明它具有良好的绝缘性能,能够有效防止电气干扰和漏电现象的发生。
  • 爬电距离和 CTI:爬电距离为 12.7 mm,CTI 为 600,这些参数保证了模块在不同环境条件下的电气安全性。

封装与引脚信息

封装

模块采用 PIM18 33.8x42.5(PRESS FIT)CASE 180BW 封装,这种封装形式具有良好的机械稳定性和散热性能。

引脚连接

模块共有 18 个引脚,每个引脚都有明确的功能。例如,引脚 1、2、5、6 为直流正母线连接(DC+);引脚 9 - 12 为直流负母线连接(DC-);引脚 13、14、17、18 为半桥中心点连接(PHASE)等。在设计 PCB 时,需要根据引脚功能合理布局,以确保电气连接的正确性和稳定性。

最大额定值

模块的最大额定值规定了其正常工作的范围。例如,漏源电压(VDS)最大为 1200 V,栅源电压(VGS)范围为 +22/-10 V,连续漏极电流(ID)在 80°C(TJ = 175°C)时为 145 A,脉冲漏极电流(IDpulse)在 TJ = 150°C 时为 436 A 等。在使用过程中,必须严格遵守这些额定值,以避免模块损坏。

典型特性曲线

文档中提供了大量的典型特性曲线,如 MOSFET 典型输出特性曲线、开关损耗与漏极电流和栅极电阻的关系曲线、反向恢复能量与漏极电流和栅极电阻的关系曲线等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解模块的性能特点,从而优化设计方案。例如,通过开关损耗与漏极电流和栅极电阻的关系曲线,可以选择合适的栅极电阻,以降低开关损耗,提高模块的效率。

总结与思考

onsemi 的 NXH008P120M3F1 功率模块凭借其出色的电气性能、热性能和绝缘性能,在众多应用领域具有广阔的前景。然而,在实际应用中,我们也需要注意一些问题。例如,如何根据具体的应用场景选择合适的散热方案,以确保模块在不同的工作条件下都能保持稳定的性能;如何优化 PCB 布局,以减少电气干扰和寄生参数的影响等。希望通过本文的介绍,能够帮助工程师们更好地了解和应用这款模块,为电力电子设计带来更多的创新和突破。

你在使用类似功率模块的过程中,遇到过哪些挑战和问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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