‌Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式电阻器技术解析与应用指南

Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式电阻器的工作频率高达20GHz，英制尺寸为0201，阻抗为50 Ω 。这些电阻器在不同环境条件下具有出色的整体稳定性，并具有先进的耐硫性，符合ASTM B 809标准。TNPR e3电阻器的容差为 ±0.5%和 ±1%，工作温度范围为-55°C至+155°C。Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式电阻器适合用于降低寄生阻抗和最高可靠性和稳定性至关重要的射频电路，包括医疗设备、工业以及测试和测量设备。

数据手册；*附件：Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式电阻器数据手册.pdf

特性

• 在不同环境条件下具有出色的整体稳定性
• 先进的耐硫性
• 优越的防潮性能

Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式电阻器技术解析与应用指南‌

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‌一、产品核心特性概览‌

TNPR e3系列是Vishay推出的射频专用薄膜片式电阻器，其技术亮点集中体现在以下方面：

1. ‌高频性能‌
   • 工作频率范围覆盖至‌20 GHz‌，适用于5G通信、测试仪器等高频场景
   • 阻抗曲线显示在10GHz频点仍保持稳定的阻抗比（|Z|/R≈1.1），寄生参数控制优异
2. ‌环境适应性‌
   • 通过‌85℃/85%RH‌湿热测试，耐湿性达到工业级标准
   • 硫化物防护通过ASTM B809认证，适用于严苛工业环境
3. ‌长期稳定性‌
   • 在70℃额定功率下运行1000小时，阻值变化‌ ≤0.05% ‌（标准模式）
   • 采用纯雾锡端子（e3标识），兼容无铅/含铅焊接工艺

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‌二、关键技术参数深度解析‌

‌2.1 电气规格‌

• ‌尺寸编码‌：0201（英制）/ 0603M（公制）
• ‌阻值范围‌：50Ω（标准值），支持定制其他阻值
• ‌公差精度‌：±0.5% / ±1% 可选
• ‌温度系数‌：±25 ppm/K（T-9等级）
• ‌额定功率‌：| 工作模式 | 功耗 | 薄膜温度 | 适用范围 |
  | ---------- | -------- | ---------- | -------------- |
  | 标准操作 | 0.05W | 125℃ | -55℃～125℃ |
  | 功率操作 | 0.075W | 155℃ | -55℃～155℃ |

‌2.2 高频特性实测数据‌

基于10mil RO4350B微带线测试平台：

• ‌S参数表现‌：
  • S11在10GHz时≤-10dB，显示良好阻抗匹配
  • S21插入损耗在20GHz时保持优于-0.5dB
• ‌相位角特性‌：在1GHz～20GHz范围内相位偏移≤5°

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‌三、应用设计要点‌

‌3.1 热管理设计‌

• ‌降额曲线应用‌：
  • 标准模式：环境温度＞70℃时线性降额
  • 功率模式：环境温度＞70℃时线性降额至155℃
• ‌关键建议‌：必须控制PCB热阻确保薄膜温度不超过ϑF max

‌3.2 焊接与组装‌

• ‌焊盘设计‌：参考Vishay文档#28950
• ‌焊接曲线‌：遵循IEC 61760-1标准，详情参考#31090
• ‌清洁兼容性‌：封装耐受酒精、酯类及水基清洗剂

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‌四、可靠性验证体系‌

产品通过严苛测试认证：

测试项目	标准依据	条件说明	允许变化量
高温耐久（标准模式）	IEC 60068-2-78	70℃/1000h	ΔR≤0.05%
湿热稳态	IEC 60068-2-56	40℃/93%RH/56天	ΔR≤0.25%+0.05Ω
静电防护（HBM）	IEC 61340-3-1	±200V/6次脉冲	无参数退化

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‌五、选型与订购指南‌

‌5.1 型号解析示例‌

• ‌完整型号‌：TNPR020150R0FEED
• ‌解码说明‌：
  TNP R 02 01 50 R0 F EED
  ├── 系列标识：TNPR（射频薄膜电阻）
  ├── 尺寸代码：0201（0.6mm×0.3mm）
  ├── 阻值代码：50R0（50Ω）
  ├── 公差等级：F（±1%）
  └── 包装代码：EED（无铅编带）

‌5.2 包装规格‌

• ‌载带标准‌：IEC 60286-3 Type 1a
• 宽度：8mm / 间距：2mm
• ‌卷盘尺寸‌：Ø180mm（7英寸）
• ‌单卷数量‌：10,000pcs

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‌六、典型应用场景‌

1. ‌5G基站‌：毫米波频段阻抗匹配网络
2. ‌测试设备‌：矢量网络分析仪校准模块
3. ‌医疗电子‌：高精度射频信号调理电路