行业资讯 I 火爆的“内存接口芯片”

大模型训练与推理需求的爆发，点燃了AI数据中心的建设热潮。AI服务器的需求增长不仅掀起了GPU/ASIC算力芯片、光模块等组件的迭代狂潮，同时也推动了对更大容量、更高带宽系统主内存的需求。在此背景下，高速内存接口芯片正迅速成为芯片产业的关注热点。

何为内存接口芯片？

内存接口芯片是内存模组（俗称内存条）的核心器件，作为CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，以匹配CPU日益提高的运行速度及性能。内存接口芯片需与各种内存颗粒及内存模组进行配套，并通过CPU厂商和内存厂商对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的严格认证，才能进入大规模商用阶段。

内存接口芯片包括寄存时钟驱动器（RCD）、数据缓冲器（DB）、多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）、多路复用数据缓冲器（MDB），以及时钟驱动芯片（CKD）等。通常，RCD/MRCD芯片用于缓冲来自内存控制器的地址、命令及控制信号，而DB/MDB芯片则缓冲来自内存控制器或内存颗粒（DRAM）的数据信号。（M）RCD与（M）DB组成套片，可实现对地址、命令、控制信号以及数据信号的全面缓冲。

内存接口芯片主要应用于服务器端不同类型的内存模组，部分内存接口芯片也应用于PC端。所以，内存接口芯片市场规模与服务器及PC的出货量、单台配置的内存模组种类及数量密切相关。

其中，服务器端内存模组主要包括：

RDIMM（寄存式双列直插内存模组），仅采用了寄存时钟驱动器RCD芯片；

LRDIMM（减载双列直插内存模组），采用了RCD和DB套片；

MRDIMM/MCRDIMM（多路复用双列直插式内存模组），采用了MRCD和MDB套片，满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需求。

图：内存互连芯片在服务器不同类型的内存模组中的应用及配比数量，来源：弗若斯特沙利文

在DDR4世代，RDIMM内存条配置一颗寄存时钟驱动器RCD，LRDIMM内存条采用“1+9”架构，即配置1颗寄存时钟驱动器RCD和9颗数据缓冲器DB；在DDR5世代，LRDIMM内存条采用“1+10”架构，即配置1颗寄存时钟驱动器RCD以及10颗数据缓冲器DB，相较DDR4世代新增1颗DB芯片。MRDIMM内存条采用类似LRDIMM的“1+10”架构，配置1颗寄存时钟驱动器MRCD以及10颗数据缓冲器MDB。

在PC端，随着DDR5传输速率持续提升，到DDR5中期，原本无需信号缓冲的内存模组UDIMM、SODIMM（主要用于台式机和笔记本电脑），将需要配备一颗时钟驱动芯片CKD，对内存模组的时钟信号进行缓冲和重新驱动，从而提高时钟信号的完整性和可靠性。全球微电子行业标准组织JEDEC已制定了CUDIMM和CSODIMM 内存模组相关标准，包括CKD芯片标准，将应用于支持6400MT/s 及以上内存速率的台式机和笔记本电脑。

图：内存互连芯片在PC端不同类型的内存模组中的应用及配比数量，来源：弗若斯特沙利

内存模组出货量CAGR10.8%，

MRDIMM提升价值量

上文提到，内存接口芯片市场规模与服务器及PC的出货量、单台配置的内存模组种类及数量密切相关。据弗若斯特沙利文预测，到2030年，全球内存模组需求量预计将攀升至3.07亿根，2025年至2030年期间的复合年增长率（CAGR）约为10.8%。从市场结构来看，服务器内存模组正加速向DDR5迭代，DDR5自2021年开始进入下游应用，至2024年渗透率已突破50%，预计2025年将进一步提升至85%以上。同时，DDR6内存模组也有望在2029年左右实现商业化应用。

图：全球服务器内存模组出货量，

资料来源：弗若斯特沙利文

具体到DDR5内存模组的结构来看，目前服务器使用的主流存储器类型为DDR5 RDIMM、LRDIMM。但随着高性能计算、AI产业的蓬勃发展，内存带宽需求急剧增长，新架构MRDIMM应运而生，可为AI及高性能计算提供更高带宽、更低延迟和更大容量的解决方案。

MRDIMM是多路复用列DIMM，内存支持两个内存序列，结合多路复用缓冲器以及内存控制器，可在单个通道上组合和传输多个数据信号，两个内存序列合计可传输128bytes数据，无需物理连接，实现更高传输速率。根据规划，第一代MRDIMM最高支持8800MT/s速率，第二代MRDIMM最高支持12800MT/s速率，第三代预计最高支持14000MT/s速率。

根据弗若斯特沙利文预测数据，MRDIMM内存模组采用的MRCD/MDB套件的全球市场规模将从2025年的0.371亿美元增至2030年的25.47亿美元，5年增长68.6倍。MRCD/MDB套件将是未来内存互连芯片最大的市场增量。

图：全球内存互连芯片市场规模，

来源：弗若斯特沙利文

与此同时，当DDR5数据速率达到6400MT/s 及以上时，台式机及笔记本电脑所使用的内存模组，需配备一颗专用的时钟驱动器CKD，其核心功能是对来自 CPU 的高速内存时钟信号进行缓冲处理后，输出到内存模组（如CUDIMM、CSODIMM）上的多个内存颗粒，以确保高频率下的时序一致性。根据弗若斯特沙利文预测数据，尽管PC端内存模组的CKD芯片的全球市场规模较小，但同样增速惊人，将从2025年的0.238亿美元，增至2030年的2.38亿美元，5年增长10倍。

另外，由于DDR5内存条需要配置1颗SPD串行检测芯片、2颗TS温度传感器、 以及1颗PMIC电源管理芯片，所以随着DDR5渗透率的提升，内存接口的配套芯片也迎来稳步增长。

整体来看，预计内存互连芯片市场规模未来将从2025年的15.79亿美元增长至2030年的50.05亿美元，年均复合增长率高达25.9%。

核心供应厂商仅3家，助推火爆行情

内存接口芯片属于高速、非线性模拟及数模混合电路，研发复杂度高，要求工程师具备深厚的技术积淀和长期的知识产权积累。随着DDR代际不断升级，数据速率从DDR2的数百MT/s发展到DDR5第五子代的8000MT/s，内存接口芯片在信号完整性、时序控制等方面的技术要求呈指数级增长，技术储备不足的厂商逐渐被市场淘汰。

早在DDR2世代，全球内存接口芯片市场呈现多元化格局，市场参与者包括德州仪器（TI）、英特尔、西门子、Inphi、澜起科技、IDT等十余家公司。进入DDR3时代，内存速率进一步提升至1866MT/s，最低可支持电压降低至1.25V，推动接口芯片在信号调理、命令分发等方面的技术演进，也为后续DDR4的标准化奠定了基础。

2016年起，DDR4技术逐渐成熟并成为市场主流。为满足更高的传输速率和更大的容量需求，JEDEC不断完善DDR4内存接口芯片规范，引入更高的信号完整性设计、更低的工作电压（最低1.2V）以及更高的运行速率（最高3200MT/s）。随着技术门槛的提升，市场集中度显著提高，主要供应商缩减为澜起科技、IDT和Rambus三家。

进入DDR5时代，内存接口芯片迎来新一轮技术飞跃。DDR5在传输速率、容量密度等方面均实现大幅提升，最低工作电压降至1.1V，最新一代产品支持高达8000MT/s的速率，JEDEC预计最后一个子代RDIMM将突破9200MT/s。DDR5的性能优势显著提升了云服务商、AI数据中心等下游客户的采购意愿，推动DDR5在服务器市场的快速渗透，并逐步取代DDR4成为主流内存技术。

与此同时，由于内存接口芯片的技术壁垒持续提升，全球主要供应商进一步收缩。根据2024年市场统计数据，澜起科技、瑞萨电子（收购IDT）和Rambus三家主力厂商合计占据全球内存接口芯片市场的93.4%份额，其中本土厂商澜起科技以36.8%的市场占有率位居第一。

值得注意的是，内存接口芯片不仅需要满足JEDEC的国际标准，还必须通过主流CPU厂商（如Intel、AMD）、内存颗粒厂商（如三星、SK海力士、美光）以及服务器OEM厂商的严格认证流程，才能进入其合格供应商清单。这一过程涉及大量兼容性测试、信号验证和系统适配，周期长、门槛高，构成了极强的生态壁垒。这也进一步强化了头部厂商的市场地位，使得新进入者面临极大的挑战。

良好的供给生态助推了内存接口芯片的火爆行情。在DDR5技术迭代加速、AI服务器需求激增的背景下，由少数顶尖厂商主导的、高度协同且稳定的供应链体系，不仅高效满足了市场对高性能内存接口芯片的迫切需求，其本身固有的高技术壁垒和严苛认证门槛，也确保了行业头部企业能够充分享受量价齐升的市场红利，推动行业景气度不断上行。