VIPERGAN50高效准谐振离线高压转换器技术解析与应用指南-电子发烧友网

STMicroelectronics VIPERGAN50高压转换器是一款先进的准谐振离线高压转换器，设有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50设计用于中等功率准谐振ZVS（开关导通时零电压开关）反激式转换器，能够在宽范围内提供高达50W输出功率。该高压转换器集成一整套特性，可提供极其灵活、简单易用的芯片，帮助设计高效离线电源。

数据手册：*附件：STMicroelectronics VIPERGAN50高压转换器数据手册.pdf

ZVS准谐振操作具有动态消隐时间特性和谷值同步功能，可始终在漏极谐振的谷值开启电源开关。最终，运行和特性可降低开关损耗，并最大限度地提高任何输入线路和负载条件下的整体效率。先进的电源管理和低静态电流可实现低待机功耗。前馈补偿可降低整个输入电压范围内的最大输出峰值功率变化。

除上述功能外，STMicroelectronics VIPERGAN50还支持保护功能，可大大提高最终产品的安全性与可靠性。其中包括输出过压保护、过热保护（OTP）、过载保护（OLP），以及设定转换器启停输入电压电平的欠压/过压保护。输入过压保护（iOVP）功能可在输入线路电压异常升高时保护系统。所有保护功能都在自启动模式下。

特性

准谐振 (QR) 反激式控制器
650V E-mode功率GaN晶体管
嵌入式感应FET
动态消隐时间和可调节谷值同步延迟功能，可最大限度地提高任何输入线路和负载条件下的效率
谷值锁定，确保恒定谷值跳跃
先进的电源管理，具有自适应突发模式，待机功耗低于30mW
输出OVP保护
输入电压前馈补偿，用于独立于主电源的OPP稳压
上电和掉电保护
输入OVP保护
嵌入式热关断
频率抖动器，可抑制EMI辐射

引脚图

VIPERGAN50高效准谐振离线高压转换器技术解析与应用指南‌

‌摘要‌
VIPERGAN50是意法半导体推出的集成了650V E-mode GaN HEMT的准谐振反激转换器，凭借创新的谷底开关技术和动态消隐时间控制，在50-75W功率范围内可实现超过93%的转换效率。本文基于最新版数据手册（DS13888 Rev 1）深入解析其核心技术特性，并提供实际应用设计指导。

‌一、核心技术创新‌

‌GaN与准谐振的完美结合‌
- 集成650V增强型GaN晶体管，具备超低栅极电荷（典型值7nC）和零反向恢复损耗
- 谷底锁定技术（Valley-lock）确保在宽负载范围内保持稳定的谷底开关，避免可闻噪声
‌动态能效管理系统‌
- 四模式自动切换：QR模式（重载）→ 谷底跳过模式（中载）→ 频率折返模式（轻载）→ 突发模式（空载）
- 待机功耗<30mW，符合最新能效标准