2018年全球DRAM内存芯片总价值将首次突破1000亿美元大关

近两年以来，全球内存芯片市场价格持续飙升，多次刷新了行业认知。其中，DRAM内存涨价现象尤为明显。除了上游产能不足之外，下游市场的旺盛需求也是最大的推动因素。在此带动下，全球内存芯片市场规模自然水涨船高。市调机构IC Insight也预测，2018年全球DRAM内存芯片总价值将首次突破1000亿美元大关。

▲来源：IC Insight

韩国企业获利最多

我们都知道，全球存储芯片市场主要被几家企业把控。

其中，DRAM领域全球主要生产厂商只有三星、海力士和镁光三家争霸，而三星一家独占了全球市场的45%。而在NAND闪存方面，三星、东芝、镁光和海力士四家占据了全球超过90%的市场，而仅三星一家就占据了37%市场份额。另外，海力士在DRAM内存和NAND闪存方面也分别占据了28%及10%市场份额。

由此可见，自2016年开始的存储芯片涨价潮，韩国企业获利最多，对于企业营收贡献也非常明显，三星电子就是一个很好的案例。

▲图 | 三星电子DS部门销售额（芯师爷制图）

据了解，2018年上半年三星电子DS部门销售额为56.05万亿韩元，在三星集团整体销售额中占比47.1%。而生产智能手机的IT&移动通信销售额为52.42万亿韩元，在三星集团整体销售额中占比44.1%。这也是三星集团DS部门销售额首次超过IT&移动通信事业部，其中存储芯片起到了巨大推动作用。

对于三星电子DS部门而言，数据中心使用的DRAM芯片和大容量存储的NAND闪存需求持续旺盛，推动半导体业务继续实现强劲盈利。除此之外，三星电子其他业务表现低迷，特别是智能手机方面。由此可见，存储业务已经成为三星电子业绩最主要推动力，对于其后续表现非常重要。

市场迎来新的玩家

对于全球存储市场而言，在经过多年调整之后，已经只剩下几个巨头，但是国内存储芯片领域的快速崛起，将打破这一格局。其中，主要以长江存储、福建晋华集成电路公司、安徽合肥Innotro存储公司为主。

在DRAM芯片方面，晋华已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产。预计在2018年年底之前，晋华和联华电子共同开发的第一代DRAM内存生产工艺将投入使用。而Innotron公司已经对外展示了使用19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片工程样片，该产品预计于 2018 年底上市，计划于 2019 年上半年正式量产。

另外，在NAND闪存方面，长江存储已经获得了一万套32层3D NAND闪存芯片的订单。而其正在研发的64层3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。

而就在本月7号，长江存储也首次公布了其新开发的3D NAND架构Xtacking的技术细节。并成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发，该产品预计于2019年进入量产阶段，将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域。

长江存储预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。

由此可见，经过几年的前期投入，国内储存领域即将进入产能释放期。对于全球市场而言，也是一股无法忽视的力量。

2019年价格拐点将至？

面对存储市场的旺盛需求，不仅仅是国内厂商在加紧投资布局，全球巨头三星和海力士也没有闲下来，进一步投资争抢市场。

2017年8月30日，三星电子与陕西省政府签署了投资合作协议，追加投资70亿美元，在西安高新综合保税区内建设三星（中国）半导体有限公司存储芯片二期项目，以应对全球IT市场对高端V-NAND产品需求的增加。2018年初，该项目已经正式启动。

另外，海力士也宣布将投资134亿美元（约合人民币916亿元）在韩国建设新的内存工厂，并计划于2020年建成投产，目前还不确定产品类型和产能。

通过以往存储市场走势来看，产能的释放势必将带来存储价格的下调，NAND闪存就是一个很好的案例。目前，NAND闪存芯片价格已经大幅回落，然而DRAM内存芯片依旧居高不下。

从上面进程我们也不难发现，国内三大存储厂商将集中在2019年实现量产。但据芯师爷观察，这三家企业2019年月产能还还比较低，真正的产能释放还要到2020年。其中，长江存储预计2020年月产能为30万片，福建晋华则预计为24万片。

目前，海力士在无锡的DRAM芯片晶圆厂，是全球重要的DRAM芯片基地之一。目前，一期工程产能在10-12万片晶圆/月，预计二期建成后产能将达到20万片晶圆/月。

由此可见，国内厂商产能最快将在2020年才会对全球市场带来重要影响，2019年仅仅是一个开端。但对于国内存储市场而言，2019年被称为拐点也合情合理，至少是打破了国外巨头长期垄断局面。