电子发烧友网综合报道 “早知道就多囤几根内存条了!”——这是2025年10月电商促销季里,无数DIY玩家与渠道商发出的共同感叹。如今,DDR4 16GB内存价格突破500元,一年内涨幅超两倍,赚钱效应堪比热门基金,“最佳理财产品”的称号彻底出圈。这一轮价格飙涨背后,是全球存储行业正以肉眼可见的速度,狂奔进入久违的“超级周期”。
供给端的“人为降温”早已埋下伏笔。自2024年四季度起,三星、SK海力士、美光等全球存储巨头相继启动减产计划,其中三星对普通存储芯片客户的交货量仅为以往的20%-25%,美光更是直接将NAND闪存产量削减15%。更关键的是,头部厂商纷纷将产能向AI专用的高带宽内存(HBM)倾斜,导致普通DDR4、DDR5内存的有效产能减少15%以上。
需求端的爆发,始于AI算力竞赛的全面打响。自2022年底ChatGPT引爆生成式AI后,全球科技巨头在服务器端疯狂加码GPU集群,高带宽内存(HBM)需求呈指数级攀升。三星、SK海力士、美光等原厂随之将产能向利润更高的HBM与DDR5倾斜,直接导致传统DDR4、LPDDR4X等“中低端”颗粒供应持续压缩。摩根士丹利统计数据显示,Alphabet、亚马逊、Meta、微软与CoreWeave五家公司2025年投向AI基础设施的资本支出高达4000亿美元,资金洪峰叠加技术迭代,形成对存储产能的“虹吸效应”。
在AI服务器的拉动下,企业级存储配置不断升级,SSD容量已从64TB向96TB跃升,互联网巨头相关资本开支大幅增长。与此同时,消费电子市场同步回暖,智能手机内存容量从8GB向12GB普及的趋势已成定局,PC换机潮带来的增量需求同样不可小觑。供需两端的剧烈变化,让存储市场从此前的“去库存”状态迅速切换至“抢货”模式。
集邦咨询9月底数据显示,DDR4 8Gb芯片现货价从年初的1美元飙升至5.87美元,半年涨幅近5倍;DDR5 16Gb芯片涨幅达40%,价格几乎触及历史高点。同时,TechInsights数据显示,DRAM现货价4月同比仅上涨4%,9月已飙升近两倍;行业平均库存周期从2023年初的31周骤降至2025年三季度的8周,创历史新低。当价格曲线与库存曲线出现“死亡交叉”,市场便进入典型的卖方市场——即便加价,热门型号也“一货难求”。
尽管热度不及DRAM,NAND闪存市场价格同样稳步走高。企业级SSD受英伟达新平台带动,价格直接上涨10%;1Tb QLC晶圆均价周涨幅达17.6%,月涨幅达22.4%。即便是涨幅相对温和的手机嵌入式存储,价格也实现稳步上扬;NOR Flash等利基存储市场受AI数据中心和车用市场双重驱动,四季度价格预计将实现双位数增长。价格持续上涨催生市场囤货潮,从大型模组厂商到中小经销商,均在尽力增加库存以锁定利润,部分电商平台甚至出现热门型号内存“售罄”的现象。
超级周期已让上游原厂赚得盆满钵满。三星三季度标准DRAM运营利润率约40%,HBM产品利润率更高达60%;美光则预计2026财年两类产品仍将保持“健康高盈利”状态。
对国产存储企业而言,此次超级周期更带来了历史性突破机遇。国际大厂减产并转向高端产品,为国产厂商腾出了可观的市场空间。数据显示,已有多家国产企业成功承接国际大厂让出的订单,在存储芯片设计、制造等核心环节实现关键突破。
供需失衡:超级周期的核心密码
存储行业的周期性波动并不新鲜,但此次“超级周期”的强度和持续性,源于供需两端的历史性错位。供给侧的主动收缩与需求侧的爆发式增长形成的“剪刀差”,成为价格飙升的核心驱动力。供给端的“人为降温”早已埋下伏笔。自2024年四季度起,三星、SK海力士、美光等全球存储巨头相继启动减产计划,其中三星对普通存储芯片客户的交货量仅为以往的20%-25%,美光更是直接将NAND闪存产量削减15%。更关键的是,头部厂商纷纷将产能向AI专用的高带宽内存(HBM)倾斜,导致普通DDR4、DDR5内存的有效产能减少15%以上。
需求端的爆发,始于AI算力竞赛的全面打响。自2022年底ChatGPT引爆生成式AI后,全球科技巨头在服务器端疯狂加码GPU集群,高带宽内存(HBM)需求呈指数级攀升。三星、SK海力士、美光等原厂随之将产能向利润更高的HBM与DDR5倾斜,直接导致传统DDR4、LPDDR4X等“中低端”颗粒供应持续压缩。摩根士丹利统计数据显示,Alphabet、亚马逊、Meta、微软与CoreWeave五家公司2025年投向AI基础设施的资本支出高达4000亿美元,资金洪峰叠加技术迭代,形成对存储产能的“虹吸效应”。
在AI服务器的拉动下,企业级存储配置不断升级,SSD容量已从64TB向96TB跃升,互联网巨头相关资本开支大幅增长。与此同时,消费电子市场同步回暖,智能手机内存容量从8GB向12GB普及的趋势已成定局,PC换机潮带来的增量需求同样不可小觑。供需两端的剧烈变化,让存储市场从此前的“去库存”状态迅速切换至“抢货”模式。
涨价狂欢:从芯片到终端的全面沸腾
供需失衡的影响已渗透到存储产业链的每一个环节,不同品类产品价格上演“竞速式”上涨,其中内存条表现尤为亮眼,堪称“理财产品”的代名词。集邦咨询9月底数据显示,DDR4 8Gb芯片现货价从年初的1美元飙升至5.87美元,半年涨幅近5倍;DDR5 16Gb芯片涨幅达40%,价格几乎触及历史高点。同时,TechInsights数据显示,DRAM现货价4月同比仅上涨4%,9月已飙升近两倍;行业平均库存周期从2023年初的31周骤降至2025年三季度的8周,创历史新低。当价格曲线与库存曲线出现“死亡交叉”,市场便进入典型的卖方市场——即便加价,热门型号也“一货难求”。
尽管热度不及DRAM,NAND闪存市场价格同样稳步走高。企业级SSD受英伟达新平台带动,价格直接上涨10%;1Tb QLC晶圆均价周涨幅达17.6%,月涨幅达22.4%。即便是涨幅相对温和的手机嵌入式存储,价格也实现稳步上扬;NOR Flash等利基存储市场受AI数据中心和车用市场双重驱动,四季度价格预计将实现双位数增长。价格持续上涨催生市场囤货潮,从大型模组厂商到中小经销商,均在尽力增加库存以锁定利润,部分电商平台甚至出现热门型号内存“售罄”的现象。
超级周期已让上游原厂赚得盆满钵满。三星三季度标准DRAM运营利润率约40%,HBM产品利润率更高达60%;美光则预计2026财年两类产品仍将保持“健康高盈利”状态。
对国产存储企业而言,此次超级周期更带来了历史性突破机遇。国际大厂减产并转向高端产品,为国产厂商腾出了可观的市场空间。数据显示,已有多家国产企业成功承接国际大厂让出的订单,在存储芯片设计、制造等核心环节实现关键突破。
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