金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9411浏览量
229544 -
ti
+关注
关注
114文章
8054浏览量
218144 -
晶体管
+关注
关注
78文章
10250浏览量
146245
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
功率MOSFET管的应用问题分析
MOSFET管,双管和单管相比,优势在哪里?是不是简单的将RDS(on)减半、ID加倍等参数合成?
回复:功率MOSFET管数据表中,ID
发表于 11-19 06:35
SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题
在电力电子领域,当多个SiC MOSFET模块并联时,受器件参数、寄生参数等因素影响,会出现动态电流不均的问题,制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用
SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计
尖峰电压和系统 EMC 的抑制为目标。实际应用中,选择缓冲吸收电路参数时,为防止 SiC-MOSFET开关在开通瞬间由于吸收电容器上能量过多、需通过自身放电进而影响模块使用寿命,需要对 RC 缓冲吸收
发表于 04-23 11:25
麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC)MOSFET动态测试中的应用
,测试过程中对测量系统的寄生参数提出了更高要求,寄生电感、电容等因素可能影响测试精度,需加以优化和控制。
测试实例
被测器件:CREE C3M0075120K SiC MOSFET
测试点位:SiC
发表于 04-08 16:00
MOSFET开关损耗计算
Power MOSFET 设计电源时,大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上,在不同的应用电路中,Power MOSFET
发表于 03-24 15:03
MOSFET开关损耗和主导参数
本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
发表于 02-26 14:41
SiC MOSFET的参数特性
碳化硅(SiC)MOSFET作为宽禁带半导体材料(WBG)的一种,具有许多优异的参数特性,这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
发表于 01-04 12:37
ADS54J60的JESD204B接口L参数怎么去理解?
最近在看ADS54J60芯片的数据手册,手册第41页 table10第3行的L参数是8,但是该芯片两个converter各包含四个line,请问我该怎么
发表于 12-19 07:00
数据手册中的一些参数的数值有时画一条横线或者空着不填是什么意思?
数据手册中的一些参数的数值有时画一条横线或者空着不填是什么意思?
如上表,
tCS的最大值是15ns,最小值和典型值都是空着的,是不是最小值和典型值我可以随便取(大于0小于15就行
发表于 12-16 07:45
DAC81408的建立时间为12uS,如何理解数据手册中的12uS建立时间这个参数呢?
中建立时间曲线,±20V输出,如果按照数据手册中4V/uS爬升速率计算,0到20V跳变时间为5uS,从以上两图页可以看出,信号在5uS内达到设定值20V,该时间也小于建立时间典型值12
发表于 12-09 08:33

MOSFET数据手册中的参数理解
评论