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ML307‑Y硬件设计规范(3)——射频与天线

张晓丽 来源:ML307‑Y 硬件设计手册( 作者:ML307‑Y 硬件设计手 2025-10-17 14:03 次阅读
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本篇聚焦工程师在 ML307‑Y 量产中最容易忽略、但最影响稳定性的细节,提供一份可执行的 Checklist 与常见坑速查。

频段与发射功率

• 频段:LTE FDD B1/3/5/8;TDD B34/38/39/40/41;最大发射功率 23 dBm±2 dB。

天线与馈线要求(建议指标)

• 天线:50Ω,VSWR ≤2,效率 >30%,P_in_max 50 W。 • 馈线插损:<1 GHz:<1 dB;1–2.3 GHz:<1.5 dB;>2.3 GHz:<2 dB。

整机设计与联调

• 预留 π 型匹配位(L/C/C);射频走线短直控阻抗;保证 RF 地的连续性与屏蔽策略。 • 结构件/电池/金属件影响显著,务必以整机进行 OTA/TRP/TIS 验证,避免仅凭裸天线数据决策。 • 天线开窗与边界净空要充足;FPC/陶瓷/金属框天线需在实机装配状态下复测与微调。

Checklist

方案阶段:外壳材质/体积先行,反推天线类型与布置。

联调阶段:矢网校准、S11/效率/近场,装机后复测;馈线弯折半径与转角数量受控。

验证阶段:完成 OTA/TRP/TIS 与驻网性能路测,建立损耗预算闭环。

常见坑

• 仅凭天线裸测,装机后被电池/金属遮挡导致 VSWR/效率恶化。 • 馈线过长/多转角/过度弯折 → 损耗超预算、上行功率限制、掉线率升高。

来源:ML307‑Y 硬件设计手册(AT 版)

审核编辑 黄宇

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