存储进入“涨价通道”

2025 年以来，全球存储市场出现明显的价格上行趋势。受AI 计算需求爆发、上游产能结构调整和传统 HDD 供给紧张等多重因素驱动，DRAM 与 NAND Flash 的价格全面上扬，并传导至 SSD、U 盘、TF 卡等下游成品市场。

核心趋势

1. 涨价将延续至 2025 Q4–2026 H1

行情面：DRAM 与 NAND 合约价近期上涨 5–20%，其中 DDR4、企业级 SSD 与低容量 NAND 颗粒涨幅最为显著。

供给面：原厂继续控产、优先供应高毛利 AI 相关产品线。

替代面：近线 HDD 交期超过一年，数据中心更多采用企业级 QLC SSD 替代冷存储，进一步加剧 NAND 需求。

2. DDR4 与 LPDDR4/x 成为最紧缺品类

DDR4 因为工艺停产与产能转移，预计紧张状态至少持续至 2026 年中。

高速大容量 DDR5 逐步渗透，但成本与兼容性问题限制了短期替代。

3. NAND 结构性分化明显

企业级 NAND（高层数、QLC）需求最旺，价格坚挺。

消费级 NAND（U 盘、TF、低容量 SSD）因颗粒紧缺，报价同样随行就市。

4. 消费级成品价格“快涨慢跌”

NVMe、SATA SSD 在渠道端普遍上调，尤其是大容量型号。

USB/TF 市场因备货与惜售心理，价格波动加剧。

驱动逻辑

AI 基础设施扩张：大模型训练与推理需要更大规模存储，推升 HBM、DRAM 与 NAND 需求。

原厂结构调整：产线优先支持 HBM、DDR5 与高层数 NAND，传统 DDR4 与低容量 NAND 被边缘化。

替代效应：HDD 长交期使得企业被动采购更多 SSD，特别是 QLC。

需求传导：先由企业级涨价，再传导至消费级市场。

时间轴判断

2025 Q4–2026 H1（基准情景）

DRAM：DDR4 持续紧缺，价格高位震荡。DDR5 结构性分化。

NAND：企业级 NAND 强势，消费级“快涨慢跌”。

HDD：交期继续拉长，支撑 SSD 替代需求。

2026 H2（乐观情景）

新堆栈 NAND（V9/V10）量产爬坡，供需改善，NAND 可能率先回落。

保守情景

若 AI 数据需求超预期，或 HDD 供给恢复缓慢，涨价周期将延续更久。

市场对策建议

1. 采购侧

关键型号提前锁量：DDR4/LPDDR4x、低容量 NAND 建议 3–6 个月滚动锁单。

替代方案预研：DDR4 → DDR5，低容量 NAND → pin-to-pin 高容量替代。

安全库存提升：关键料号库存建议维持 1.5–2.5 倍月用量。

2. 销售侧

大容量优先备货

价保+交期承诺：通过短周期价保与可追溯批次提高客户粘性。

未来一年，存储市场的主旋律仍将是结构性紧缺 + 价格高位震荡。

DDR4 与低容量 NAND 将是最紧俏的品类；企业级 SSD 与 QLC NAND 则在 AI 浪潮中受益最大。

企业需提前布局采购与库存策略，同时在销售端强化价格沟通与替代方案设计。

对国内厂商的利好主要表现为：国产替代机遇明显

随着外资厂商将产能更多转向高端DDR5、HBM等产品，传统DDR4及中低端NAND市场空间被进一步释放。国内企业具备技术和产能基础，能够填补供需缺口，快速提升市场份额。

市场份额加速增长。据市场研究机构预测，2025年全球DDR5市场中国厂商有望占30%以上，全球市占率大幅提升。这显示国产厂商正在快速抢占国际市场。

收入和盈利能力提升。技术迭代和产品升级也带来价格和毛利的双重提升。

政策和国产替代需求推动。国内云计算、信创等产业对国产存储的采购需求持续上升，加快国产存储替代速度。

综上，存储芯片涨价虽对整体供应链造成压力，但国内厂商凭借技术积累和国产替代政策受益明显，在行业结构调整中获得了快速成长和更大的市场话语权，有望在未来迎来发展黄金期.

参考来源

TrendForce，2025 年存储市场月报

集邦咨询、CINNO Research 市场快讯

TechInsights：AI 存储与 HDD 交期分析

Digitimes：原厂控产与 NAND 合约价趋势

Counterpoint Research：DDR4 市场供需预测

（本文系对公开资料之综合整理，信息可能随时间更新而变动。文中观点仅代表作者个人，不构成任何实质性建议或保证；读者据此行动，风险自担。)

审核编辑 黄宇