埋伏5G再造高点 三安光电迈向新征程

当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点。作为“世界第二大经济大国”，我国半导体产业却严重依赖于进口，芯片已超过石油，成为第一大的进口商品，提高半导体国产化率迫在眉睫。

作为横跨集光通讯、LED芯片和化合物半导体于一体的“巨无霸”----三安光电聚焦化合物半导体芯片产业，早在2014年成立全资子公司厦门市三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成”），不仅如此，也在福建泉州“豪掷” 333亿元大力拓展化合物半导体。成为半导体领域一个最受人瞩目的领头羊。

DIGITIEMS特此专访三安光电股份有限公司。三安领导高层指出，“围绕公司战略发展规划，未来将继续提升LED市场占有率，以巩固龙头企业地位，同时着重于砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体新材料的研发、生产和销售，加快化合物半导体集成电路步伐。”

目前，三安集成参与的客户设计方案已超260个，产品已获得部分客户认证通过，进入小批量生产阶段，6吋晶圆年产能达36万片。随着砷化镓、光通讯产品逐渐受到客户大量验证使用;氮化镓和碳化硅产品逐渐由研发导入量产，预测2018下半年到2019年出货量将会逐步增长。

三安光电生产车间

7年实现3个三安缔造“新王朝”

2017年底，三安光电在福建泉州建设研发与制造氮化镓、砷化镓LED衬底、外延、芯片、大功率氮化镓激光器、光通讯器件、射频、滤波器、功率型半导体（电力电子）、特种衬底材料、特种封装产品等七大产化项目，投资总额333亿元（含公共配套设施投资），全部项目5年内投产，7年内全部项目实现达产。业内预计，达产后年销售收入约270亿元，若按三安光电2017年的83.9亿元营收体量计算，等于再造“3个”三安光电。

通过泉州项目，三安光电研发的III-V族化合物半导体材料的应用领域从原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领域，基本涵盖了今后III-V族化合物半导体材料应用的重要领域。

换言之，三安光电在继续巩固LED龙头地位的同时，也在强化化合物半导体领军企业的优势，踩上5G和物联网行业风口，扩大高端化合物半导体产能，意图打开新的市场空间。

三安光电表示，三安集成电路在整个化合物半导体产业链中，所拥有的核心价值在于“规模化的制造平台”，这是三安集成电路最主要的优势。

埋伏5G再造高点聚焦下一个十年

根据SEMI数据显示，化合物半导体增速远高于半导体整体增速，到2020年，化合物半导体市场将增大至440亿美元，复合增长率为12.9%，是整个半导体市场增速6.5%的两倍。

其中5G将是主要推动商机，“5G是下一个金矿，但机会早在5G之前开启。”三安高层指出，如果说解决的是5G从系统端到标准化的过程，三安解决的就是5G解决方案中芯片制造的环节。砷化镓，是目前终端手机需要用到小功率的PA所需要的基础材料；磷化铟是在5G商用时代所需频点需要用到的材料。

“针对5G、大数据与物联网应用市场，大力开发高端微波射频器件、滤波器、光通讯器件等产品。预计将在2019年第三季度完成基于磷化铟的射频功放的应用以及用于未来数据中心的25G赫兹长波段的器件。”对于未来5G发展，三安充满信心和规划。

大基金加持扩张浪潮下的乘风破浪

国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”）目前合计持有三安光电11.30%股权，为公司第二大股东。三安光电同时与华芯投资（大基金的唯一管理机构）、国开行、三安集团约定四方建立战略合作关系，大力支持公司发展以III-V族化合物半导体为重点的集成电路业务。

除在泉州，三安光电也“阔气”布局国内外化合物半导体领域。根据公司公告资料显示，2015年通过募资16亿元，总投入达30亿元，用于砷化镓和氮化镓生产线；2017年以1000万美元、2000万美元和9000万日元，分别在美国、香港和日本成立全资子公司，进行光通讯、滤波器和化合物半导体研发生产；此外，在北欧有碳化硅衬底的制造和研发中心……

三安相关高层表示，“目前利用全世界的优秀人才，会把所有的力量集中放在国内，最大的研发中心位于厦门。同时积极与***地区同行业者加强联系，进行人才联合培养。”此外，三安集团通过产业链整合、海内外并购，将持续进一步推动公司做大做强GaAs/GaN半导体业务，打造全球化合物半导体龙头。